管阵列论文-邱澜鑫,董荣,蔡芳共,张勤勇

管阵列论文-邱澜鑫,董荣,蔡芳共,张勤勇

导读:本文包含了管阵列论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:二氧化钛纳米管阵列,阳极氧化法,综述,场致溶解理论

管阵列论文文献综述

邱澜鑫,董荣,蔡芳共,张勤勇[1](2019)在《TiO_2纳米管阵列的阳极氧化法制备及形成机理研究进展》一文中研究指出二氧化钛(TiO_2)纳米管阵列因其独特的结构和优异的性能而备受关注,在太阳能电池、光电催化降解有机污染物和光解水制氢等领域获得广泛应用。然而,与TiO_2纳米管阵列的制备和应用方面的研究相比,对其形成机理的研究相对较少,目前尚无一种模型或机理能够完美解释有序纳米管阵列结构的形成。本文首先回顾了近年来阳极氧化法在金属Ti基底上原位生成TiO_2纳米管阵列所用电解液的发展趋势,并重点综述了TiO_2纳米管阵列的几种生长机理,如场致溶解理论、黏性流动模型、两电流模型和氧气气泡模具效应。分析表明,结合现有的几种生长机理能较全面地解释TiO_2纳米管阵列的形成过程。"氧气气泡模具"为TiO_2纳米管的形成提供最初的孔核,阻挡层氧化物受"氧气气泡模具"阻挡而致其"从下向上"黏性流动生长,最终形成垂直有序纳米管阵列结构,而两电流模型进一步定量解释了阳极氧化过程中TiO_2纳米管阵列的形成。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年11期)

[2](2019)在《清华大学魏飞团队实现一步法制备99.9999%半导体碳纳米管阵列》一文中研究指出10月2日,清华大学化学工程系魏飞教授团队题为"超纯半导体性碳纳米管的速率选择生长"(Rate selected growth of the ultrapure semiconducting carbon nanotube arrays)的论文在《自然-通讯》(Nature Communications)上在线发表。该论文研究指出,碳纳米管在生长过程中的原子组装速率与其带隙相互锁定,金属管数量随长度的指数衰减速率比半导体管高出数量级,在长度达到154mm后可实现99.9999%超长半导体管阵列的一步法制备,这一方法为制备结构完美、高纯半导体管水平阵列这一世界性难题提供了一项全新的技术路线,对新一代碳基电子材料的可控制备具有重要价值。(本文来源于《半导体信息》期刊2019年05期)

郝文卓,姜根山,刘月超,孙建浩[3](2019)在《周期性管阵列中视在声速传播特性》一文中研究指出0引言目前,对于大型火(核)电站锅炉泄漏管道的检测定位技术广泛建立在空旷炉膛环境基础上,结合时延估计方法给出泄漏管道的位置[1-3]。而声波在管阵列中传播时不仅存在通过空气通道的直达声,还存在大量管壁反射声和散射声,锅炉不同位置管阵列的管径、间距及排列方式也不尽相同,声信号在环境复杂的锅炉管阵列中传播时声速会发生一定变化[4],从而出现定位不准的情况。因此,利用时延估计方法对处于管阵列中的声源进行定位时,必须考虑声波在管阵列中的传播速度。本文通过仿(本文来源于《2019年全国声学大会论文集》期刊2019-09-21)

邱琳,郭璞,冯妍卉,张欣欣[4](2019)在《纳米涂层增强碳纳米管阵列界面热输运》一文中研究指出为解决电子界面的散热问题,热界面材料逐渐得到人们的关注与发展。由碳纳米管组装而成的阵列材料具备良好导热性能及稳定性。为了进一步改善阵列-热沉界面导热,本文提出在大直径碳管阵列顶端溅射纳米薄膜以有效改善热阻问题。利用3ω法测量获得了纳米薄膜附着前后阵列与热沉接触热阻,结果表明涂层覆盖的阵列表现出极低的界面热阻,阻值大小与表面粗糙度密切相关。研究结果为制备具有优异性能的阵列热界面材料提供了实验指导。(本文来源于《工程热物理学报》期刊2019年09期)

赵斌,张芮境,申倩倩,王羿,薛晋波[5](2019)在《TiO_2纳米管阵列基底退火温度对CdSe/TiO_2异质结薄膜光电化学性能的影响》一文中研究指出通过电化学沉积法以TiO_2纳米管阵列(TNTs)为基底制备CdSe/TiO_2异质结薄膜。研究TiO_2纳米管阵列基底不同退火温度(200,350,450,600℃)对CdSe/TiO_2异质结薄膜光电化学性能的影响。采用SEM,XRD,UV-Vis,电化学测试等方法对样品的微观形貌、晶体结构、光电化学性能等进行表征。结果表明:立方晶型的CdSe纳米颗粒均匀沉积在TiO_2纳米管阵列管口及管壁上。TiO_2纳米管阵列未经退火及退火温度为200℃时,为无定型态,在TiO_2纳米管阵列上沉积的CdSe纳米颗粒数量少,尺寸小,异质结薄膜光电性能较差,光电流几乎为零。随着退火温度升高到350℃,TiO_2纳米管阵列基底开始向锐钛矿转变;且沉积在TiO_2纳米管上的CdSe颗粒增多,尺寸增大,光电化学性能提高。退火温度为450℃时光电流值达到最大,为4.05mA/cm~2。当退火温度达到600℃时,TiO_2纳米管有金红石相出现,CdSe颗粒变小,数量减少,光电化学性能下降。(本文来源于《材料工程》期刊2019年08期)

周淑慧,刘世凯,董柯军,李云有,董浩永[6](2019)在《CsPbI_3复合TiO_2纳米管阵列的制备及表征》一文中研究指出为提高二氧化钛纳米管阵列(TiO_2NTAs)的光电化学性能,对其进行半导体复合改性处理。采用阳极氧化法制备得到TiO_2NTAs,热注入法制备得到全无机钙钛矿CsPbI_3,浸渍法实现CsPbI_3与TiO_2NTAs的复合,制备得到不同浸渍次数的CsPbI_3/TiO_2NTAs。通过一系列光电性能测试表明,经CsPbI_3复合改性处理后,TiO_2NTAs的光电化学性能有明显的提高,且经4次浸渍得到的CsPbI_3/TiO_2NTAs光电性能最佳,其饱和光电流密度为0. 92 m A/cm2,约为TiO_2NTAs的2. 97倍,且对应的光转换率最高约为0. 55%。除此之外,其瞬态光电流密度最大,约为0. 69 m A/cm2,并表现出最佳的光响应特性。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年08期)

赵海谦,董明,王忠华,刘立君,刘晓燕[7](2019)在《定向碳纳米管阵列应用的研究进展》一文中研究指出与普通碳纳米管相比,定向碳纳米管阵列因具有独特的结构和更优异的力学、电学和热学特性而备受关注。表面超疏水改性、功能材料及强化传热是定向碳纳米管阵列应用的叁个主要方面。对定向碳纳米管阵列在这叁个领域应用的最新研究进展进行总结和分析,重点阐述定向碳纳米管阵列实际应用中主要存在的问题以及发展方向。(本文来源于《化工新型材料》期刊2019年08期)

孙研豪,刘一鸣,张王刚,温婧,牛晓峰[8](2019)在《铜掺杂TiO_2纳米管阵列薄膜的制备及表征》一文中研究指出提出了一种磁控溅射和阳极氧化相结合制备Cu掺杂TiO_2纳米管(Cu-TNT)阵列的方法。掺杂后的样品通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等手段对其结构和光电性能做了研究与分析。结果表明:Cu以离子形态均匀地掺杂进入TiO_2纳米管中,且为取代掺杂;Cu掺杂对TiO_2纳米管(TNT)的生长具有抑制作用,对TNT的形貌有明显影响;Cu掺杂对TNT晶体生长取向也有明显影响,抑制锐钛矿(101)晶面的生长,使(101)晶面产生晶格畸变、晶面间距变宽并促进锐钛矿(004)晶面的择优生长。瞬态光电流响应分析表明Cu掺杂TNT有利于抑制光生电子-空穴对的复合速率,提高太阳能利用率。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2019年08期)

李玲,姚生莲,赵晓丽,杨佳佳,王野熹[9](2019)在《阳极氧化法制备Zr-17Nb合金表面氧化物纳米管阵列及其性能研究》一文中研究指出利用电化学阳极氧化技术,在含有丙叁醇、0.35 mol/L NH4F和5%H2O (体积分数)的溶液中,在Zr-17Nb合金表面制备了高度有序的氧化物纳米管阵列。使用XRD、SEM、HRTEM、EDS和XPS对纳米管阵列的结构、形貌和成分进行了详细研究。结果表明,在恒定外加电压70 V的条件下,阳极氧化过程中Zr和Nb的氧化溶解速率保持一致。450℃退火处理后,纳米管膜层由无定型态转化为晶态,由正交相ZrO2和正交相锆铌氧化物(Nb2Zr6O17)组成。退火处理后,纳米管膜层弹性模量降低,硬度提高。同时,纳米管阵列表面水接触角减小,呈现更好的亲水性。(本文来源于《金属学报》期刊2019年08期)

郑新华[10](2019)在《CdS/PbS/TiO_2纳米管阵列的制备及其对304SS的光生阴极保护性能研究》一文中研究指出TiO_2纳米管阵列(TiO_2 NTAs)具有较大的比表面积、电荷易于分离及纳米尺寸等优点。因此在光电方面表现出较好的效应,被广泛的应用于光生阴极保护、光催化降解污染物、光催化产氢和太阳能电池等领域。由于自身的结构限制,在光电及光生阴极保护的应用中表现出较大的局限性。这是由于TiO_2的禁带宽度较大,使其只能利用太阳光中不足4%的紫外光,对太阳光谱中占大部分的可见光响应性极低,同时光生电子与空穴分离后容易复合降低了光生电子的利用率。对TiO_2 NTAs进行改性是提高光生电子的利用率的必要手段,多元半导体复合TiO_2 NTAs表现出较好的性能。本论文利用阳极氧化技术在无机体系(0.5wt%NH_4F+0.1mol/L H_3PO_4)中制备出有序的TiO_2 NTAs,然后在超声辅助下利用连续离子层沉降法(SILAR)在TiO_2纳米管阵列的内部及表面复合CdS和PbS的量子点。系统的研究了在不同的循环次数下得到的复合光阳极膜的微观结构、成分及光电性能。扫描电子显微镜(SEM)形貌显示TiO_2 NTAs呈现规则的阵列结构,共复合膜中首先沉积9次循环PbS,然后沉积15次CdS(以下简称15CCdS/9CPbS/TiO_2)量子点分布均匀,形貌最佳。在共复合膜中XRD检测到CdS、PbS和锐钛矿的混相结晶态。UV-Vis测试发现共复合膜的光吸收范围可以拓展到825nm左右。TEM证实了共复合膜为CdS和PbS包覆TiO_2 NTAs的理想结构。SKP测试中得出共复合膜具有最小的表面功函数值。对光阳极膜进行了光电性能测试,包括光电流i-t曲线、线性扫描伏安(LSV)和交流阻抗(EIS)。结果显示15次CdS复合TiO_2 NTAs(15CCdS/TiO_2)和15CCdS/9CPbS/TiO_2复合膜样品光电性能有较大的提高,光电流密度分别达到了4.6 mA/cm~2和6.0 mA/cm~2。LSV测试中表现出的饱和光电流密度也分别达到6.0 mA/cm~2和8.2 mA/cm~2。交流阻抗也显示两者具有较小的截面转移电阻(Rct)和较大的电容(CPE),说明两者光电性能较好。分别将光阳极膜TiO_2 NTAs、9次PbS复合TiO_2 NTAs(9CPbS/TiO_2)、15CCdS/TiO_2和15CCdS/9CPbS/TiO_2与304SS藕连进行了光生阴极保护性能测试。通过OCP测试发现304SS藕连光阳极膜之后具有较低的电位,15CCdS/TiO_2和15CCdS/9CPbS/TiO_2体系无论光照还是暗态条件下得到的电位均较低,撤去光照后电位上升的趋势较为缓慢,并且暗态下持续14h电位仍然处于304SS自腐蚀电位以下。PDP也显示15CCdS/TiO_2和15CCdS/9CPbS/TiO_2藕连304SS时具有较低的阴极保护电位和较大的电流密度。EIS结果也显示这两种光阳极膜藕连304SS之后低频区具有较低的阻抗值,拟合电路中也显示具有较小的低频区电荷转移电阻。动电位扫描显示在阴极保护范围内并未产生过保护现象。光生阴极保护下浸泡3个月的形貌也显示304SS基本未被腐蚀。最后本文对光生阴极保护的机理进行了探究并进行了展望。(本文来源于《北京石油化工学院》期刊2019-06-25)

管阵列论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

10月2日,清华大学化学工程系魏飞教授团队题为"超纯半导体性碳纳米管的速率选择生长"(Rate selected growth of the ultrapure semiconducting carbon nanotube arrays)的论文在《自然-通讯》(Nature Communications)上在线发表。该论文研究指出,碳纳米管在生长过程中的原子组装速率与其带隙相互锁定,金属管数量随长度的指数衰减速率比半导体管高出数量级,在长度达到154mm后可实现99.9999%超长半导体管阵列的一步法制备,这一方法为制备结构完美、高纯半导体管水平阵列这一世界性难题提供了一项全新的技术路线,对新一代碳基电子材料的可控制备具有重要价值。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

管阵列论文参考文献

[1].邱澜鑫,董荣,蔡芳共,张勤勇.TiO_2纳米管阵列的阳极氧化法制备及形成机理研究进展[J].电子元件与材料.2019

[2]..清华大学魏飞团队实现一步法制备99.9999%半导体碳纳米管阵列[J].半导体信息.2019

[3].郝文卓,姜根山,刘月超,孙建浩.周期性管阵列中视在声速传播特性[C].2019年全国声学大会论文集.2019

[4].邱琳,郭璞,冯妍卉,张欣欣.纳米涂层增强碳纳米管阵列界面热输运[J].工程热物理学报.2019

[5].赵斌,张芮境,申倩倩,王羿,薛晋波.TiO_2纳米管阵列基底退火温度对CdSe/TiO_2异质结薄膜光电化学性能的影响[J].材料工程.2019

[6].周淑慧,刘世凯,董柯军,李云有,董浩永.CsPbI_3复合TiO_2纳米管阵列的制备及表征[J].人工晶体学报.2019

[7].赵海谦,董明,王忠华,刘立君,刘晓燕.定向碳纳米管阵列应用的研究进展[J].化工新型材料.2019

[8].孙研豪,刘一鸣,张王刚,温婧,牛晓峰.铜掺杂TiO_2纳米管阵列薄膜的制备及表征[J].稀有金属材料与工程.2019

[9].李玲,姚生莲,赵晓丽,杨佳佳,王野熹.阳极氧化法制备Zr-17Nb合金表面氧化物纳米管阵列及其性能研究[J].金属学报.2019

[10].郑新华.CdS/PbS/TiO_2纳米管阵列的制备及其对304SS的光生阴极保护性能研究[D].北京石油化工学院.2019

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