导读:本文包含了孔洞生长论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:CdS单晶,物理气相传输(PVT)法,晶体缺陷,孔洞
孔洞生长论文文献综述
霍晓青,程红娟,于凯,赵堃,王健[1]（2019）在《PVT法生长大尺寸CdS单晶中的孔洞研究》一文中研究指出CdS单晶是一种电学和光学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料,近年受到人们的广泛关注。但是大尺寸CdS单晶在生长过程中易形成孔洞缺陷,质量难以控制,使其电学性能不稳定,制约着晶体的实际应用。采用物理气相传输(PVT)法成功地生长了尺寸为55 mm×15 mm的CdS单晶,对CdS单晶中孔洞产生的过程、孔洞形成的原因进行了分析和研究,进而提出了改进的CdS晶体生长技术,降低了晶体孔洞缺陷的密度,提高了CdS晶体的质量。在25～300 K,对采用改进生长方法生长的大尺寸CdS单晶进行了霍尔迁移率、载流子浓度和电阻率等测试,其迁移率最高可达7 000 cm~2·V~(-1)·s~(-1),为大尺寸CdS单晶在器件中的实际应用提供了重要的数据支撑。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年11期）
刘强,郭巧能,钱相飞,王海宁,郭睿林[2]（2019）在《循环载荷下纳米铜/铝薄膜孔洞形核、生长及闭合的分子动力学模拟》一文中研究指出本文运用分子动力学模拟了在应变幅比为R=–1的循环载荷条件下,扩散焊纳米铜/铝双层薄膜内部孔洞形核、生长以及闭合的演化机理.研究发现,在循环载荷条件下,孔洞主要在铜/铝双层膜的铝侧内部形核,且有孔洞Ⅰ和孔洞Ⅱ两种演化方式.孔洞Ⅰ在铜-铝相互扩散形成双层膜时在因柯肯达尔效应所产生出的空隙缺陷位置处形核,这种形核方式下,空隙缺陷形成空位后,空位在铝侧无序结构内部向铜原子数相对密集的区域移动.当空位聚集形成孔洞时,孔洞在固定位置生长.孔洞Ⅱ在压杆位错被克服所形成的空隙缺陷位置处形核,在铝侧形核后的孔洞没有发生移动.与孔洞Ⅰ相比,孔洞Ⅱ在应变加载过程中孔洞形核时的应力大、孔洞生长速度较快且尺寸稍大,在应变卸载阶段孔洞闭合速度也较快.两种孔洞在形核、生长和闭合过程中有两方面的共同特点:1)两种孔洞都是在铝侧无序结构内部的空隙缺陷处形核. 2)两种孔洞在其生长、闭合过程中外形变化相同.在孔洞生长阶段,两种孔洞在外形上都是先沿应变加载方向拉伸长大,然后沿与应变加载相垂直的方向长大,最后趋向球形发展.在孔洞闭合阶段,两种孔洞在外形上首先沿应变加载方向压缩成椭球状,然后沿与应变加载相垂直的方向从孔洞两端向孔洞中心闭合消失.在随后的循环加载过程中,孔洞消失位置处没有再次出现新孔洞,而是在铝侧其它位置无序结构内部的空隙缺陷处形核.(本文来源于《物理学报》期刊2019年13期）
卢漳华,韩超[3]（2018）在《同安打造全市首个“会呼吸”的生态墙》一文中研究指出“会呼吸、能救命” 官浔溪透气挡墙全市首创漫步在官浔溪上游步道，河道两边通畅干净，绿草小树点缀两岸，沿岸砌筑的挡墙缝隙长满绿植，绿意葱葱生机盎然。作为全国中小河流治理重点县示范项目、省重大水利工程、市重点项目，官浔溪中上游河道治理工程(本文来源于《厦门日报》期刊2018-02-07）
刘云华,吕剑,朱林,罗年猛[4]（2014）在《基于区域生长的叁角网格模型孔洞修补方法》一文中研究指出为复原残缺叁角网格模型的原始形状,针对丢失尖锐特征的模型,提出一种基于区域生长的孔洞修补方法。在根据模型的拓扑连接关系提取孔洞边界信息后,利用广度优先算法以孔洞边界为起点对孔洞周边网格进行区域划分,由对应孔洞特征区域的几何性质计算新补丁面片的法矢,并据此逐层迭代地向孔洞内部进行异步生长,同时为每个孔洞边界网格设置一个控制信号控制区域生长的异步性,对不同区域的新面片求交恢复以确定尖锐特征线和特征角。实验结果表明,对于尖锐特征丢失的残缺模型,该方法在修补孔洞的同时能够完整地恢复模型的原始形状。(本文来源于《计算机工程》期刊2014年10期）
麦健航,陈锦雄,吕根品[5]（2014）在《扩孔时间变化对铝电解电容器用铝箔孔洞生长的影响》一文中研究指出铝电解电容器高压用阳极箔一次腐蚀发孔后,经200 V以上电压化成后容易填没孔洞,需要通过二次腐蚀来增大孔径。在保持扩孔腐蚀电流密度不变的条件下,随着扩孔时间的延长,腐蚀箔孔洞深度加长,芯层减薄,孔洞密度减少,孔径增加。从腐蚀以及化成静电折弯分析,并非芯厚较薄的强度就一定差,化成后强度与扩孔后的孔径大小和规则性有一定的关联。(本文来源于《广东化工》期刊2014年13期）
蔡后敏[6]（2014）在《γ-TiAl合金中孔洞生长与弥合的原子模拟》一文中研究指出γ-TiAl合金有许多特别的物理和化学性能,比如低密度、高熔点、高弹性模量、低扩散系数、良好的结构稳定性和良好的抗氧化性能及耐腐蚀性能。因此,它成为了航空航天领域中重要的材料,尤其是在未来的超音速飞机上,引起许多研究者的关注和研究。在这篇论文中,我们用分子动力学模拟研究了含有球形纳米孔洞的γ-TiAl合金中孔洞的生长和弥合,以及γ-TiAl单晶的断裂过程。我们发现剪切环的发射是孔洞生长的主要机制：位错核的不断产生和剪切环的扩展使孔洞不断长大,其也是在拉伸过程中材料产生缺陷结构的主要机制。此外,在γ-TiAl单晶的拉伸过程中,会形成微裂纹,其最先在孔洞表面和样本边界之间的变形区域形成。随着应变的增加,微裂纹迅速向孔洞和样本边界扩展,与孔洞连接,从而形成更大的缺陷,最终导致了γ-TiAl单晶的撕裂。我们也研究了样本的尺寸,应变速率和孔洞的体积分数对γ-TiAl单晶应变行为的影响。随着样本尺寸和孔洞体积分数的增加,γ-TiAl的屈服强度逐渐下降。但是随着应变速率的增加,屈服强度逐渐增加。杨氏模量对样本尺寸和应变速率的变化并不敏感,而只受到孔洞体积分数的影响,其随着孔洞体积分数的增加逐渐降低。为了更系统地探究含有纳米孔洞γ-TiAl单晶的力学行为,我们还模拟了在压缩状态下,样本中球形和圆锥形孔洞的弥合过程。由此了解到,在压应力作用下孔洞的弥合主要是依靠层错结构的扩展机制完成的,而且缺陷的弥合度跟缺陷的形状和大小有关。(本文来源于《兰州理工大学》期刊2014-04-21）
胡晓燕,徐建刚,闫新兴[7]（2012）在《单晶铝孔洞生长的分子动力学模拟》一文中研究指出用分子动力学方法模拟不同晶向单轴加载过程中,单晶铝中微纳米孔洞(约1.6 nm)的生长及周围区域的变形过程。为研究晶向对孔洞生长的影响,对具有相同初始孔洞体积分数的两个晶向进行拉伸加载,并对不同温度影响进行研究。结果表明:A晶向(x-[100],y-[010],z-[001])的形变机制主要是{111}晶面部分位错引起的堆垛层错,B晶向(x-[-110],y-[111],z-[11-2])主要是位错的移动与堆积;B晶向比A晶向的位错成核应力大;B晶向屈服应力比A晶向对温度敏感。(本文来源于《兵器材料科学与工程》期刊2012年06期）
樊宇平,黄靖香,蔡胥[8]（2012）在《中空钛合金假体壁上孔洞直径对细胞生长的影响》一文中研究指出背景:细胞在支架上的生长行为受到支架孔径及孔隙率等多种因素影响。目的:观察在体外中空钛合金假体壁上孔洞直径对骨髓基质干细胞生长及分化的影响。方法:将中空多孔金属试件按照壁上及底面孔径大小分为:φ1:1mm;φ2:1.5mm两组,均置于骨髓基质干细胞悬液中进行成骨诱导培养,以未成骨诱导培养作对照。分别于2,4周倒置相差显微镜观察细胞形态、生长情况,成骨诱导钙结节结果。结果与结论:4周时φ1实验组孔洞中细胞相向生长并相连,φ2组孔洞中未见相连现象;成骨诱导组在第4周有明显的钙结节形成。表明在体外骨髓基质干细胞在适当的钛合金金属孔径内可直接相向生长并联结,以预防植入物-宿主骨潜在间隙的形成;同时这种空间构型可为再生骨提供足够的生长空间。(本文来源于《中国组织工程研究》期刊2012年43期）
杨梅,董湘怀,杜继涛,李河宗[9]（2012）在《基于晶体塑性理论的孔洞生长行为研究》一文中研究指出采用率相关晶体塑性模型,建立叁维胞元计算模型,研究了晶粒取向和晶界对孔洞生长和聚合的影响.比较了不同晶粒取向的单晶和双晶体中孔洞的生长趋势,发现晶粒取向对孔洞生长方向,孔洞形状等有着显着的影响.(本文来源于《固体力学学报》期刊2012年01期）
唐鹏[10]（2012）在《高应变率下孔洞生长与晶界断裂机理研究》一文中研究指出高应变率下材料的力学行为与准静态加载下有很大的区别。而在现代工业文明中，许多材料都工作在高应变率下，如工程爆破、穿甲弹武器、高速加工成形等。研究材料在高应变率下的力学行为具有重要的指导意义。通过研究高应变率下材料在晶界处孔洞形核，孔洞在外力作用下的生长规律和相关的位错运动机理，解释高应变率下材料在晶界断裂处的原因，揭示其内在机理，为预测材料在极端环境下的力学性能，具有重要的研究价值和实用价值。本文采用分子动力学方法模拟计算了刃型位错和螺型位错与金属钨的孪晶界的相互作用，并模拟了多晶钨在高应变率下的单轴拉伸。模拟计算结果表明，在晶粒尺寸小于9.19nm时，材料的强度随着晶粒尺寸增长而增长，随着应变率增长而增长。孔洞在晶界处形核，然后沿着晶界长大，之后多处孔洞连通导致材料破坏。在此过程中，晶界也会向材料内部发射位错。当不同的位错遇到孪晶界时，其反应也不一样。可能被晶界阻碍吸收，可能穿透晶界，也可能在晶界上分解成两个不全位错沿晶界滑动。本文研究了在零温下，材料在高应变率下单轴拉伸断裂的机理，但高应变率下的材料往往工作在更复杂的外部环境下，如应力波的传播，材料局部温度的迅速变化等，这是未来需要进一步研究和完善的工作。(本文来源于《华中科技大学》期刊2012-02-01）
孔洞生长论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文运用分子动力学模拟了在应变幅比为R=–1的循环载荷条件下,扩散焊纳米铜/铝双层薄膜内部孔洞形核、生长以及闭合的演化机理.研究发现,在循环载荷条件下,孔洞主要在铜/铝双层膜的铝侧内部形核,且有孔洞Ⅰ和孔洞Ⅱ两种演化方式.孔洞Ⅰ在铜-铝相互扩散形成双层膜时在因柯肯达尔效应所产生出的空隙缺陷位置处形核,这种形核方式下,空隙缺陷形成空位后,空位在铝侧无序结构内部向铜原子数相对密集的区域移动.当空位聚集形成孔洞时,孔洞在固定位置生长.孔洞Ⅱ在压杆位错被克服所形成的空隙缺陷位置处形核,在铝侧形核后的孔洞没有发生移动.与孔洞Ⅰ相比,孔洞Ⅱ在应变加载过程中孔洞形核时的应力大、孔洞生长速度较快且尺寸稍大,在应变卸载阶段孔洞闭合速度也较快.两种孔洞在形核、生长和闭合过程中有两方面的共同特点:1)两种孔洞都是在铝侧无序结构内部的空隙缺陷处形核. 2)两种孔洞在其生长、闭合过程中外形变化相同.在孔洞生长阶段,两种孔洞在外形上都是先沿应变加载方向拉伸长大,然后沿与应变加载相垂直的方向长大,最后趋向球形发展.在孔洞闭合阶段,两种孔洞在外形上首先沿应变加载方向压缩成椭球状,然后沿与应变加载相垂直的方向从孔洞两端向孔洞中心闭合消失.在随后的循环加载过程中,孔洞消失位置处没有再次出现新孔洞,而是在铝侧其它位置无序结构内部的空隙缺陷处形核.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
孔洞生长论文参考文献
[1].霍晓青,程红娟,于凯,赵堃,王健.PVT法生长大尺寸CdS单晶中的孔洞研究[J].半导体技术.2019
[2].刘强,郭巧能,钱相飞,王海宁,郭睿林.循环载荷下纳米铜/铝薄膜孔洞形核、生长及闭合的分子动力学模拟[J].物理学报.2019
[3].卢漳华,韩超.同安打造全市首个“会呼吸”的生态墙[N].厦门日报.2018
[4].刘云华,吕剑,朱林,罗年猛.基于区域生长的叁角网格模型孔洞修补方法[J].计算机工程.2014
[5].麦健航,陈锦雄,吕根品.扩孔时间变化对铝电解电容器用铝箔孔洞生长的影响[J].广东化工.2014
[6].蔡后敏.γ-TiAl合金中孔洞生长与弥合的原子模拟[D].兰州理工大学.2014
[7].胡晓燕,徐建刚,闫新兴.单晶铝孔洞生长的分子动力学模拟[J].兵器材料科学与工程.2012
[8].樊宇平,黄靖香,蔡胥.中空钛合金假体壁上孔洞直径对细胞生长的影响[J].中国组织工程研究.2012
[9].杨梅,董湘怀,杜继涛,李河宗.基于晶体塑性理论的孔洞生长行为研究[J].固体力学学报.2012
[10].唐鹏.高应变率下孔洞生长与晶界断裂机理研究[D].华中科技大学.2012
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