导读:本文包含了层生长论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:热障涂层,界面形貌,界面应力,TGO生长行为
层生长论文文献综述
唐健江,于方丽,张海鸿,白宇,王俊文[1]（2019）在《热障涂层的界面形貌对TGO层生长行为的作用机制》一文中研究指出通过对陶瓷层/粘接层界面应力和热生长氧化物(thermally grown oxides,TGO)层的生长规律分析,研究涂层界面凸起对TGO生长行为的作用机制。结果表明:TGO在陶瓷层/粘接层界面凸起区域的生长速率高于其他区域;由ANSYS有限元软件应力分析可知,随着界面粗糙度的增加(10μm增至20μm),涂层的界面应力增加(185 MPa增到406 MPa);TGO层的厚度增加(1.6μm增至9.3μm)同样会使界面应力增加(142 MPa增大到574 MPa);此外,在高温氧化过程中,陶瓷层/粘接层界面凸起区域主要表现为拉应力,凹陷区域为压应力;拉应力能够促进TGO层的快速生长,压应力则会抑制TGO的生长速率;在保证涂层有效结合强度的前提下,降低粘接层的表面粗糙度,能够有利于降低涂层的界面应力以及减缓TGO的生长速率,从而提高热障涂层高温稳定性。(本文来源于《航空材料学报》期刊2019年05期）
贾文婷,王文波,田林海,王晓云,常勇强[2]（2019）在《硅酸钠浓度对Ti_3Al基合金微弧氧化层生长及其摩擦磨损性能的影响》一文中研究指出目的研究硅酸钠溶液浓度对Ti_3Al基合金表面制备微弧氧化膜层结构的影响,以提高Ti_3Al基合金微弧氧化膜层的摩擦磨损性能。方法采用恒流模式微弧氧化电源,分别在6、8、10 g/L的Na_2SiO_3电解液中,对Ti_3Al基合金试样进行微弧氧化处理,用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、Image J软件、X射线衍射仪(XRD)及显微硬度仪,分析微弧氧化膜层的表面形貌和截面形貌、元素分布、厚度、相组成以及表面硬度。用CFT-I型磨损试验机研究不同微弧氧化膜层的摩擦磨损性能。结果随着Na_2SiO_3浓度的增加,微弧氧化的工作电压与起弧电压均逐渐减小。微弧氧化层表面呈多孔状,存在熔融物堆积导致的环状凸起。随着Na_2SiO_3浓度的增加,氧化层表面微孔直径减小,膜层逐渐增厚。微弧氧化膜层主要Al_2O_3、SiO_2、TiO_2、Nb_2O_5以及Al_2SiO_5相组成,微弧氧化处理明显降低了Ti_3Al基合金的摩擦系数和磨损率。电解液Na_2SiO_3质量浓度为10 g/L时,微弧氧化膜层的平均摩擦系数为0.49,磨损率仅为2.1×10~(-7) mm~3/(N·mm),主要表现为微切削磨损与轻微的粘着磨损。结论随着硅酸钠浓度的增加,有利于提高微弧氧化膜层的形成速率,缩短反应时间。微弧氧化处理能够显着改善Ti_3Al基合金的耐磨性。(本文来源于《表面技术》期刊2019年07期）
谢飞,程健,邹伟东,潘建伟[3]（2019）在《交流电场对Q215钢800℃粉末法渗硼硼化物层生长的影响》一文中研究指出与传统粉末法渗硼对比,研究交流电场对800℃不同渗剂条件下Q215钢渗硼层中FeB与Fe2B相生长的影响。结果表明:常规渗硼在渗剂硼铁含量低于3%、渗层未形成FeB时,增加硼铁可显着促进渗硼层生长;然后进一步增加硼铁含量,渗层出现FeB,但对渗层厚度影响不大。交流电场显着促进渗硼层生长,随硼铁含量的增加,渗层厚度先增后减。硼铁高于10%后,渗层才出现FeB。施加交流电场改善内扩散,可影响Fe_2B、FeB生长和转化。(本文来源于《热加工工艺》期刊2019年14期）
桓思恒[4]（2019）在《正向电流和钨酸钠对铝合金微弧氧化陶瓷层生长及摩擦磨损行为的影响》一文中研究指出铝合金有低密度、高比强度、成型和耐蚀性性好、成本低等一系列优点。但是表面低硬度、磨损性能差、易损伤等是铝及其合金的应用上的瓶颈。利用铝合金微弧氧化技术可以在铝合金表面原位生长以基体金属氧化物为主具有耐磨、耐蚀、耐高温等特点的陶瓷层,本文以6061铝合金为对象,利用双极性脉冲电源,通过控制正向电流、微弧氧化时间与钨酸钠的浓度对6061铝合金的表面进行微弧氧化处理,探讨正向电流、钨酸钠含量以及微弧氧化时间对微弧氧化陶瓷层的厚度、表面粗糙度、微观形貌、组织结构、硬度和摩擦磨损的影响。结果表明:随着正向电流增大,陶瓷层厚度增大,表面粗糙度增大,陶瓷层微孔数减少,孔径增大。随着氧化时间增大,陶瓷层厚度增大,表面粗糙度增大,陶瓷层表面微孔逐渐不均匀,表面有微裂纹产生。随着电解液钨酸钠含量增大,陶瓷层厚度先增大后减小,表面微裂纹增多。钨酸钠为2g/L时陶瓷层厚度最大,击穿电压整体较好。微弧氧化过程中钨酸钠参与反应,陶瓷层表面有钨氧化物生成。微弧氧化陶瓷层的摩擦系数大小与陶瓷层表面粗糙度和载荷正相关;随着氧化时间延长,陶瓷层表面疏松层粗糙度较大,但摩擦系数最终都稳定于0.2,微弧氧化陶瓷层的磨损性能主要和陶瓷的致密层相关;随着正向电流增大,陶瓷层耐磨损性能提高;随着钨酸钠含量增大,陶瓷层的耐磨损性能提高,磨损量降低。(本文来源于《西安理工大学》期刊2019-06-30）
孟锡俊,李建婷,刘大为[5]（2019）在《GaN基外延结构中EBL层生长工艺对发光效率的影响》一文中研究指出根据量子限域电子溢出理论及极化场引起的能带弯曲理论,我们采用不同工艺的EBL层结构,通过控制Al组分分布,在不影响P-GaN层空穴的注入的情况下,提升电子限制能力,提升芯片的发光效率。(本文来源于《电子测试》期刊2019年12期）
于晴,段碧雯,郭林宝,李冬梅,孟庆波[6]（2019）在《背界面修饰调控铜锌锡硫吸收层生长方向》一文中研究指出铜锌锡硫(Cu_2ZnSnS(e)_4)薄膜太阳能电池具有组成元素丰度高,吸收系数高,带隙可调等优点,作为铜铟镓硒的姊妹电池,具有巨大的发展潜力,是未来实现产业化的薄膜太阳能电池中的有力选手。吸收层结晶质量是影响太阳电池效率的主要因素,铜锌锡硫硒薄膜电池中吸收层的双层及多层结晶问题一直困扰着许多研究团队。本文通过引入MoO_3背面阻挡层,调控了吸收层的生长过程,有效的消除了Mo界面的结晶,获得了晶粒纵向贯穿的,且缺陷态和次生相更少的高质量吸收层薄膜。PL, Raman, TEM等多种表征手段显示,多层结晶产生的主要原因是Mo与前驱膜中的纳晶CZTS反应生成含硫二次项,在背界面引入晶核,使结晶同时从正面和背面发生。通过引入阻挡层可避免背界面的成核,从而获得单向生长的贯穿晶粒。通过此方法获得的高质量吸收层,使得我们有效的提高了电池的开路电压和填充因子,最终获得了11.68%的认证效率。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）
魏靖[7]（2019）在《TD盐浴渗铬层生长机理》一文中研究指出利用TD盐浴渗铬技术,在1173、1223、1273 K的温度条件下,分别对5Cr Ni Mo合金钢进行0~6 h的盐浴渗铬和硼铬共渗实验,以探究覆层厚度与TD处理时间和TD处理温度的规律和覆层组织生长机理。通过XRD分析覆层的物相;通过SEM-EDS观察覆层的形貌。结果表明,在TD盐浴渗铬中,覆层中主要物相为M7C3和Cr7C3,覆层致密且与基体结合良好。当TD处理时间大于1 h时,覆层厚度与TD处理温度和TD处理时间遵循抛物线规律:(92=5743exp(-18492/T)t,其扩散激活能为154.3 k J/mol。根据覆层厚度与TD处理时间和TD处理温度的规律,绘制出5Cr Ni Mo合金钢盐浴渗铬的覆层厚度等高线图,便于在实际生产中,对覆层厚度进行预测;根据非稳态扩散理论和规则溶液亚晶格理论求解出覆层厚度数学模型的理论解:L2=4570exp(-17185/T)t;在TD盐浴硼铬共渗中,共渗层中主要物相为Fe B和Fe2B、Cr5B3、Cr B,覆层致密且与基体结合良好。当TD处理时间大于1 h时,覆层厚度与TD处理温度和TD处理时间遵循抛物线规律:(92=8909.1exp(-21550/T)t,其扩散激活能为179.2 k J/mol。在相同的工艺条件下,硼铬共渗层的厚度比单独渗铬要厚很多。(本文来源于《武汉科技大学》期刊2019-05-01）
孟锡俊,李建婷[8]（2019）在《成核层生长工艺对紫外LED外延片性能的影响》一文中研究指出目前LED产品已经形成了成熟且稳定的产业,新兴的紫外LED的市场也随之发展迅速,使得越来越多的技术人员开始开发研究。本文通过对成核层工艺的研究,结合外延过程中的翘曲情况,得到了成核层生长工艺对紫外LED外延片性能的影响效果。(本文来源于《电子元器件与信息技术》期刊2019年04期）
王碧侠,李建新,马兴飞,马红周,李子一[9]（2019）在《工业纯钛TA2熔盐电解法渗硼的渗层生长动力学》一文中研究指出选用硼酸钠-氯化钙体系为电解质,采用熔盐电解法在钛表面渗硼,研究熔盐温度及渗硼时间对渗层物相、形貌及渗层厚度的影响,并对渗层生长动力学进行了分析。利用XRD对渗硼试样表面进行物相分析,利用扫描电镜(SEM)观察渗硼试样的断面形貌并采用能谱(EDS)进行元素分析。结果表明:在温度为1153～1293 K、电流密度为500 A/m~2,通电15～60 min的条件下,Ti表面得到的硼化物渗层上层是均匀致密的TiB_2,下层是嵌入基体的针状TiB;在1293 K下渗硼60 min后,所得渗层中TiB_2厚度约为8.4μm。根据TiB_2渗层厚度随时间的变化关系,计算出渗层在1193、1243和1293 K的生长速率常数分别为5.85×10~(-15)、1.24×10~(-14)和2.10×10~(-14) m~2/s,TiB_2渗层生长激活能为152.02 kJ/mol。(本文来源于《中国有色金属学报》期刊2019年01期）
李明达,李普生,薛兵[10]（2018）在《低功耗肖特基整流器件用200 mm高均匀性硅外延层生长工艺》一文中研究指出200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好且高均匀性的外延层,外延层厚度不均匀性<1. 0%,电阻率不均匀性<1. 1%,无滑移线、雾等缺陷。实验利用光学显微镜、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg-CV)等测试设备分别研究了外延层的表面形貌、厚度和电阻率等参数。通过精确调节外延炉内的热场和流场分布,结合设计附面层杂质稀释、基座浅层包硅等技术,解决了参数一致性与稳定性问题,实现了高质量200 mm的硅外延层。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2018年36期）
层生长论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
目的研究硅酸钠溶液浓度对Ti_3Al基合金表面制备微弧氧化膜层结构的影响,以提高Ti_3Al基合金微弧氧化膜层的摩擦磨损性能。方法采用恒流模式微弧氧化电源,分别在6、8、10 g/L的Na_2SiO_3电解液中,对Ti_3Al基合金试样进行微弧氧化处理,用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、Image J软件、X射线衍射仪(XRD)及显微硬度仪,分析微弧氧化膜层的表面形貌和截面形貌、元素分布、厚度、相组成以及表面硬度。用CFT-I型磨损试验机研究不同微弧氧化膜层的摩擦磨损性能。结果随着Na_2SiO_3浓度的增加,微弧氧化的工作电压与起弧电压均逐渐减小。微弧氧化层表面呈多孔状,存在熔融物堆积导致的环状凸起。随着Na_2SiO_3浓度的增加,氧化层表面微孔直径减小,膜层逐渐增厚。微弧氧化膜层主要Al_2O_3、SiO_2、TiO_2、Nb_2O_5以及Al_2SiO_5相组成,微弧氧化处理明显降低了Ti_3Al基合金的摩擦系数和磨损率。电解液Na_2SiO_3质量浓度为10 g/L时,微弧氧化膜层的平均摩擦系数为0.49,磨损率仅为2.1×10~(-7) mm~3/(N·mm),主要表现为微切削磨损与轻微的粘着磨损。结论随着硅酸钠浓度的增加,有利于提高微弧氧化膜层的形成速率,缩短反应时间。微弧氧化处理能够显着改善Ti_3Al基合金的耐磨性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
层生长论文参考文献
[1].唐健江,于方丽,张海鸿,白宇,王俊文.热障涂层的界面形貌对TGO层生长行为的作用机制[J].航空材料学报.2019
[2].贾文婷,王文波,田林海,王晓云,常勇强.硅酸钠浓度对Ti_3Al基合金微弧氧化层生长及其摩擦磨损性能的影响[J].表面技术.2019
[3].谢飞,程健,邹伟东,潘建伟.交流电场对Q215钢800℃粉末法渗硼硼化物层生长的影响[J].热加工工艺.2019
[4].桓思恒.正向电流和钨酸钠对铝合金微弧氧化陶瓷层生长及摩擦磨损行为的影响[D].西安理工大学.2019
[5].孟锡俊,李建婷,刘大为.GaN基外延结构中EBL层生长工艺对发光效率的影响[J].电子测试.2019
[6].于晴,段碧雯,郭林宝,李冬梅,孟庆波.背界面修饰调控铜锌锡硫吸收层生长方向[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[7].魏靖.TD盐浴渗铬层生长机理[D].武汉科技大学.2019
[8].孟锡俊,李建婷.成核层生长工艺对紫外LED外延片性能的影响[J].电子元器件与信息技术.2019
[9].王碧侠,李建新,马兴飞,马红周,李子一.工业纯钛TA2熔盐电解法渗硼的渗层生长动力学[J].中国有色金属学报.2019
[10].李明达,李普生,薛兵.低功耗肖特基整流器件用200mm高均匀性硅外延层生长工艺[J].科学技术与工程.2018