导读:本文包含了大功率红光论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:激光器,二极管激光器,640nm,窗口结构
大功率红光论文文献综述
朱振,肖成峰,夏伟,张新,苏建[1]（2018）在《大功率640nm红光半导体激光器的设计及制备》一文中研究指出设计并制备了一款短波长红光640nm的大功率半导体激光器。利用金属有机化学气相沉积技术生长了AlGaInP材料的激光器外延层,其中,限制层使用低折射率的AlInP材料,有源区使用张应变的GaInP/AlGaInP量子阱。外延层有源区的光致发光谱出现两个分裂的发光峰,位于627nm及616nm处,分别对应于电子到轻空穴及重空穴的跃迁。对芯片窗口区域进行选择性Zn扩散,量子阱原子发生混杂,波长蓝移了43nm。不带非吸收窗口的器件在1.9A发生腔面灾变性光学损伤(COD),功率为1.4 W。而带窗口结构的器件没有产生COD,功率输出受限于热饱和,最大功率为2.3 W。室温连续电流测试,1A下波长为639nm,1.5A下波长为640nm。器件水平发散角为6°,垂直发散角为41°。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2018年08期）
薛蕾[2]（2012）在《A1GaInP大功率红光发光二极管的研发》一文中研究指出半导体LED及其应用被认为是21世纪最具发展前景的高技术领域之一。发光二极管作为一种全新的照明技术,利用半导体芯片作为发光材料、直接将电能转换为光能,具有发光效率高、耗电量少、使用寿命长、安全可靠性强、环保卫生等优越性。本研究致力于提高LED的发光亮度和发光效率,降低生产成本。本文针对AlGaInP红光大功率高亮度LED,采用MOCVD、蒸镀机、光刻机、清洗台、PECVD、晶圆键合机、ICP刻蚀机等一系列设备,研究了LED整套工艺,对LED进行了包含ODR全方位反射镜、P/N型低温退火形成欧姆接触层、以及高透过率导电层ITO及表面粗化等多项新工艺的改进,制成成品芯片在20mA电流驱动下,正向导通电压为2.2V,反向漏电流<10μA,波长620-625nm,光强大于350mcd。由于该亮度档的小功率LED封装后亮度可达到传统高亮红光片的2倍以上,并且功率低于1W,所以能很好的满足了中高端SMD以及直插式封装的需求,因此可广泛应用在LED显示屏、车灯、景观照明、以及半导体照明等高需求领域。(本文来源于《大连理工大学》期刊2012-11-01）
刘海浪,张瑞宾,黄以平,彭治国[3]（2012）在《大功率AlInGaP红光LED的电子束辐照效应》一文中研究指出通过实验研究和蒙特卡罗模拟方法,针对大功率AlInGaP红光LED开展了电子束辐照效应方面的研究。运用CASINO程序详细分析了电子束在LED芯片中的射程和能量损失分布,利用电子束辐照设备研究并总结了大功率AlInGaP红光LED在不同能量和剂量的电子束辐照条件下的光通量和光功率的变化表现为剂量效应。结果表明:在带电粒子辐照过程中,入射粒子与材料内部原子会发生弹性碰撞及电离作用,在AlInGaP材料内部引发结构缺陷形成色心。(本文来源于《光电子技术》期刊2012年01期）
王海卫,张新,李沛旭,汤庆敏,李树强[4]（2010）在《4.8 W连续输出大功率红光半导体激光器的研制》一文中研究指出利用MOCVD生长Mg掺杂的AlGaInP材料,研究了Mg掺杂特性,在此基础生长了AlGaInP/GaInP 650 nm大功率量子阱激光器。通过采用Zn扩散无吸收窗口技术,制作出150μm条宽1 200μm腔长的器件。20℃时,连续电流条件下测试其斜率效率达1.10 W/A,阈值电流560 mA,最大输出功率超过4.8 W。器件激射波长658 nm,光谱半峰宽(FWHM)只有1.2 nm,寿命超过5 000 h。(本文来源于《2010’全国半导体器件技术研讨会论文集》期刊2010-07-16）
陈焕庭,吕毅军,陈忠,张海兵,高玉琳[5]（2009）在《大功率AlGaInP红光LED散热基板热分析》一文中研究指出采用有限体积数值模拟、瞬态热阻测试方法以及热沉温度—峰值波长变化的关系,对叁种散热基板上大功率AlGaInP红光发光二极管(LED)进行热特性分析。叁种LED采用相同型号、规格,散热基板,区别在于散热通道以及材料。测量样品的瞬态温度响应曲线,基于结构函数理论模型对温度响应曲线进行数学处理,得出包含热阻与热容的结构函数,区分出样品内部热流通道上各个区域的热阻与热容,进而发现散热瓶颈区域。测试样品在不同热沉温度下的电致发光光谱,通过热沉温度—峰值波长系数为区别样品散热性能提供定性判断依据。通过模拟与测试结果比较,为优化陶瓷基板内部散热结构,设计最佳的散热模型提供重要参考依据。(本文来源于《光学学报》期刊2009年03期）
王小丽,牛萍娟,李晓云,于莉媛,杨广华[6]（2008）在《高亮度大功率InGaAlP红光LED芯片研制》一文中研究指出报道了大功率高亮度InGaAlP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED芯片电流扩展分布更均匀,而且更有利于与其它器件的集成。对制备好的芯片进行了I-V特性、光谱特性、光通量和光强的测量。芯片的电性能非常好,其开启电压VT为1.5V;当工作电压达到3V时,工作电流为500mA;在工作电流为350mA时,峰值波长为635nm,半峰全宽为16.4nm,光强为830mcd。在色度学测试中,色坐标为x=0.6943,y=0.3056,显色指数为18.4。因此可以得知高亮度大功率InGaAlP红光LED是未来LED作为普通照明光源应用的第一步,而且将会在科学研究和工业投资的很多应用领域中成为新的焦点。(本文来源于《发光学报》期刊2008年02期）
夏伟,马德营,王翎,李树强,汤庆敏[7]（2007）在《高透腔面大功率650nm红光半导体激光器》一文中研究指出利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长的应变量子阱(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP材料进行选择区域扩Zn,使扩Zn区域的光致发光(PL)谱的峰值蓝移达175 meV,形成对650 nm波长激光器的高透腔面,有益于减少激光器腔面光吸收,增加了激光器退化的光学灾变损伤(COD)阈值.后工艺制作出条宽100μm,腔长1 mm的增益导引激光器,实现了红光半导体激光器的大功率输出.激光器阈值电流为382 mA,在2.28 A工作电流时达到光学灾变损伤阈值,最大连续输出光功率1.55 W,外微分量子效率达到0.82 W/A.(本文来源于《中国激光》期刊2007年09期）
陈檬,庞庆生,李平雪,黄建军,毕向军[8]（2007）在《大功率单管LD泵浦Nd:GdVO_4/LBO红光激光器》一文中研究指出研究了一种大功率单管LD(激光二极管)泵浦晶体、I类临界相位匹配LBO腔内倍频、高效紧凑结构的全固态红光激光器．利用自行设计的高耦合效率、小聚焦光斑的自聚焦透镜耦合LD,当泵浦功率为4W、倍频红光671nm、基模输出280mW时,光一光转换效率达到7%．(本文来源于《北京工业大学学报》期刊2007年01期）
大功率红光论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
半导体LED及其应用被认为是21世纪最具发展前景的高技术领域之一。发光二极管作为一种全新的照明技术,利用半导体芯片作为发光材料、直接将电能转换为光能,具有发光效率高、耗电量少、使用寿命长、安全可靠性强、环保卫生等优越性。本研究致力于提高LED的发光亮度和发光效率,降低生产成本。本文针对AlGaInP红光大功率高亮度LED,采用MOCVD、蒸镀机、光刻机、清洗台、PECVD、晶圆键合机、ICP刻蚀机等一系列设备,研究了LED整套工艺,对LED进行了包含ODR全方位反射镜、P/N型低温退火形成欧姆接触层、以及高透过率导电层ITO及表面粗化等多项新工艺的改进,制成成品芯片在20mA电流驱动下,正向导通电压为2.2V,反向漏电流<10μA,波长620-625nm,光强大于350mcd。由于该亮度档的小功率LED封装后亮度可达到传统高亮红光片的2倍以上,并且功率低于1W,所以能很好的满足了中高端SMD以及直插式封装的需求,因此可广泛应用在LED显示屏、车灯、景观照明、以及半导体照明等高需求领域。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
大功率红光论文参考文献
[1].朱振,肖成峰,夏伟,张新,苏建.大功率640nm红光半导体激光器的设计及制备[J].激光与光电子学进展.2018
[2].薛蕾.A1GaInP大功率红光发光二极管的研发[D].大连理工大学.2012
[3].刘海浪,张瑞宾,黄以平,彭治国.大功率AlInGaP红光LED的电子束辐照效应[J].光电子技术.2012
[4].王海卫,张新,李沛旭,汤庆敏,李树强.4.8W连续输出大功率红光半导体激光器的研制[C].2010’全国半导体器件技术研讨会论文集.2010
[5].陈焕庭,吕毅军,陈忠,张海兵,高玉琳.大功率AlGaInP红光LED散热基板热分析[J].光学学报.2009
[6].王小丽,牛萍娟,李晓云,于莉媛,杨广华.高亮度大功率InGaAlP红光LED芯片研制[J].发光学报.2008
[7].夏伟,马德营,王翎,李树强,汤庆敏.高透腔面大功率650nm红光半导体激光器[J].中国激光.2007
[8].陈檬,庞庆生,李平雪,黄建军,毕向军.大功率单管LD泵浦Nd:GdVO_4/LBO红光激光器[J].北京工业大学学报.2007