导读:本文包含了合金靶论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:钼铌合金,轧制工艺,密度,氧含量
合金靶论文文献综述
党晓明,安耿,李晶,路晓涛,王培华[1]（2019）在《钼铌合金靶材轧制工艺研究》一文中研究指出通过调整轧制工艺研究了不同钼铌合金板烧结坯的密度、氧含量、坯料开轧温度和变形量等因素对其轧制成形的影响。结果表明:钼铌合金的氧含量在0.100%～0.126%时,氧元素不是引起晶界表面能下降的主要因素;烧结坯中大量孔洞、裂纹等缺陷导致轧制中轧板容易出现分层、开裂、起皮甚至断裂。(本文来源于《热加工工艺》期刊2019年11期）
张德胜,张勤,杨洪英[2]（2019）在《Au、Ge对银基合金靶材坯料耐硫化性能的协同作用》一文中研究指出采用自主设计的带有气氛保护、冒口保温、磁力搅拌和强制冷却功能高频熔炼-铸造-搅拌一体化设备制备银基合金靶材坯料。研究了Au、Ge协同作用对银基合金靶材坯料的组织和性能的影响。结果表明,随着Au、Ge添加量的增加,银基合金靶材微观组织细化,二次枝晶变短,抗硫化性提高,且在Au、Ge添加量均为1.0%(质量分数)时,银基合金靶材坯料的耐硫化性能最佳。随着Au Ge添加量增加,元素偏析现象加剧,在Agl.5Cu0.1Y1.5Au靶材的晶界处出现少量的富集区,使靶材的抗硫化和耐蚀性有所下降。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2019年03期）
高岩,贺昕,刘晓[3]（2018）在《大规模集成电路用高纯铜及铜合金靶材研究与应用现状》一文中研究指出随着大规模集成电路制程向高密集度的方向发展,器件的特征尺寸不断缩小,集成度越来越高。在90nm后随着布线的宽度变窄,高纯铜及铜合金靶材的应用成为一个研究热点。本文通过多个专利及相关文献的检索,总结了高纯铜及铜合金靶材的分类,分析了高纯铜的纯度、合金元素的种类以及分布对高纯铜靶材溅射性能的影响,展望了今后大规模集成电路靶材的发展趋势。(本文来源于《材料导报》期刊2018年S2期）
张德胜,张勤,于云鹤,杨洪英[4]（2018）在《钇对银基合金靶材坯料微观组织及性能的影响》一文中研究指出采用光学显微镜、SEM、EDS、硬度测试、电阻率测试和耐硫化测试等方法,研究了Y的不同添加量对银基合金靶材坯料显微组织和性能的影响.结果表明:Y添加量较少时,Y主要以固溶体的形式存在,可以起到细化晶粒的作用,而Y添加量过多时,会有第二相析出.当Y添加量为0.1%时材料综合性能最好,此时银基合金靶材坯料的硬度值较高,电阻率较低,耐硫化性能最佳.(本文来源于《东北大学学报(自然科学版)》期刊2018年06期）
陆熠磊[5]（2018）在《磁控溅射合金靶制备铜锌锡硫（CZTS）薄膜太阳电池》一文中研究指出铜锌锡硫(CZTS)薄膜太阳电池由于其具有组成元素储备丰富、成本较低和环境友好,近年来受到了越来越多科研机构和人员的关注。CZTS薄膜材料是直接带隙半导体并且具有太阳电池的最优禁带宽度1.45eV。本论文采用磁控溅射CuZn和CuSn合金靶制备CZT预制层,并将预制层进行硫化过后得到CZTS薄膜吸收层。随后采用化学水浴法在制备完成的CZTS薄膜上沉积CdS缓冲层,并用磁控溅射制备本征氧化锌和ITO窗口层,最终制备出完整的CZTS薄膜太阳电池。通过X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光分光光度计、拉曼散射光谱仪、霍尔效应测试仪、场发射扫描电子显微镜和能谱仪等表征手段对CZTS薄膜的晶体结构、光电性能、表面与截面形貌和组成成分等进行分析。最终将采用I-V测试系统和外量子效率测试仪分别测试CZTS薄膜太阳电池的性能。最后结合实验数据结果和理论分析对不同条件下制备的CZTS薄膜的质量和CZTS薄膜太阳电池的性能进行分析判断。本论文主要的研究内容:(1)探究溅射周期对于CZTS薄膜的影响。具体分为溅射周期对于CZTS薄膜晶体质量的改变。溅射周期对于CZTS薄膜表面和截面形貌的影响。溅射周期对CZTS薄膜禁带宽度的改变。(2)探究不同硫化条件对于CZTS薄膜及其太阳电池的影响。具体分为不同硫化条件对于CZTS薄膜晶体质量的影响。不同硫化条件对于CZTS薄膜表面和截面形貌的影响。不同硫化条件对于CZTS薄膜电学性能的影响。不同硫化条件对于CZTS薄膜太阳电池性能的影响。(3)探究不同Zn含量对于CZTS薄膜及其太阳电池的影响。具体分为不同Zn含量对于CZTS薄膜表面和截面形貌的影响。不同Zn含量对于CZTS薄膜晶体质量的影响。不同Zn含量对于CZTS薄膜电学性能的影响。不同Zn含量对于CZTS薄膜太阳电池性能的影响。最后使用化学试剂刻蚀CZTS薄膜已达到优化吸收层的目的。研究的结果表明:(1)单周期溅射制备的CZTS薄膜中存在Cu_2S二次相,四周期溅射制备的CZTS薄膜结晶性最好。单周期制备的CZTS薄膜表面存在较多针孔而四周期制备CZTS薄膜更加致密且晶粒大小相近。单周期溅射制备的CZTS薄膜截面存在着许多巨大的空洞。双周期溅射制备的CZTS薄膜截面的晶粒相对要致密和均匀一些,但是Mo/CZTS之间还是存在较大的空洞。四周期溅射制备的CZTS薄膜截面的晶粒最为致密和均匀。此外通过CZTS薄膜(αhν)~2~hν的曲线图显示三种不同溅射周期所制备的CZTS薄膜的带隙大小分别为单周期1.37 eV、双周期1.4 eV和四周期1.49 eV。(2)AS5硫化条件下制备的CZTS薄膜的晶体质量最为良好。而AS2、AS3和AS7条件下制备的CZTS薄膜中都存在Cu_2S二次相。AS2、AS3和AS7条件下制备的CZTS薄膜表面都存在针孔并且有富铜的CZTS晶粒存在。六种不同条件下制备的CZTS薄膜的载流子浓度都在10~(18)~10~(19)的数量级。采用不同硫化条件(AS2-AS7)制备出了效率分别为2.8%、3.15%、5.12%、5.44%、4.7%和3.87%的CZTS薄膜太阳电池。(3)CZTS薄膜中Zn/Sn比例调控在1.2时,CZTS薄膜具有更为良好的晶体质量。当Zn/Sn的比例大于1.04时,图谱中的348 cm~(-1)位置出现了ZnS二次相的特征峰。富锡的CZTS薄膜(Zn/Sn=0.8)表面存在大量的针孔而随着Zn/Sn比例的增加CZTS薄膜表面出现了白色细碎的晶粒和点状物。CZTS薄膜的载流子浓度随着Zn/Sn比例的增加而增加。最终薄膜Zn/Sn含量为1.2时,制备的CZTS薄膜太阳电池效率达到了5.07%,是这五组电池的最高效率。经过稀盐酸刻蚀吸收层后将太阳电池效率提升到了5.41%,利用EQE图谱做出两种不同处理的CZTS薄膜太阳电池的带隙分别为1.43eV和1.41 eV。(本文来源于《云南师范大学》期刊2018-05-25）
孙川希[6]（2018）在《相变存储用Al_(0.7)Sb_2Te_3合金靶的制备及性能研究》一文中研究指出目前,Al-Sb-Te相变薄膜因其与CMOS高兼容性及高热稳定性而成为相变存储材料的研究热点。现均采用多靶共溅射法来制备Al-Sb-Te相变薄膜,此法制备的薄膜虽然具有可实现数据高速存储的热、电学性能,但薄膜成分均匀性欠佳,精确实现设计值成分较困难,而选用多元单靶为溅射靶材有望较好解决上述问题。因此,设计、优化多元单靶的成分和制备工艺,并系统表征反映靶材质量的各项性能,是相变存储领域的重要课题。本文在分析了 Sb-Te系相变材料研究进展及二元合金合成结果的基础上,确定原子比Al:Sb:Te=0.7:2:3的材料组成,并采用真空固相合成法与烧结-热等静压法成功制备出Al-Sb-Te合成粉及Al_(0.7)Sb_2Te_3(简写AST)合金靶材,并采用XRD、FESEM及金相、EDS、XPS等分别表征粉体物相组成和靶材致密度、物相组成、显微组织、元素含量及其分布、元素价态组成等性能,评价靶材质量,分析讨论了 Al在AST合成粉与合金靶中的存在形式。首先,研究了 Al、Sb、Te及相关化合物的理化性质,并结合反应热力学与动力学分析结果,优化原料粉混合、压制工艺,设计了 AlSb、Sb_2Te_3、Al_2Te_3与AST粉的真空固相合成温度及对应的保温时间。结果表明:二元合金的合成难度排序为:Sb_2Te_3<AlSb<Al_2Te_3。相比Al、Sb、Te叁者的混合粉,AST叁元合成粉的相结构发生了显着变化,其主相为Sb_2Te_3、单质Al少量存在;且与Sb_2Te_3二元合金粉相比,A1的掺杂使主相Sb_2Te_3晶格常数a几乎不变,晶格常数c从31.443A减小至30.438A,晶胞体积V减小0.016%。其次,研究了 AST叁元合金靶材的制备及性能。以AST合成粉为原料,采用烧结-热等静压制成相对密度为99.6%的AST合金靶。FESEM分析表明,AST合金靶平面与截面的显微组织基本一致,均形成明显的Al_(0.1)Sb_2Te_3基体相与单质Al弥散相两相组成,基体相与弥散相结合紧密、界面无缝隙,界面处存在宽度2～3μm的过渡区域。XPS分析可知,由表及里刻蚀靶材,随着深度从0增加至405.9nm,Al价态逐渐从A1203的化合态为主过渡至单质态为主,并且刻蚀深度为405.9nm时,Al的价态组成中存在较低含量的AlSb化合态,Sb的价态组成来自Sb_2Te_3、Sb_2O_3、AlSb,Te的价态组成仅来自Sb_2Te_3。刻蚀深度405.9nm的XPS分析表明,Al_(0.1)Sb_2Te_3基体相中的Al是形成AlSb有效化合来影响靶材的组织结构。(本文来源于《北京有色金属研究总院》期刊2018-05-02）
孙川希,周增林,谢元锋,夏扬[7]（2019）在《Al_(0.7)Sb_2Te_3合金靶的制备及性能研究》一文中研究指出Al-Sb-Te相变薄膜与CMOS兼容性高,热稳定性佳,所以能很好满足相变存储器高温稳定工作的需求。以原子比Al∶Sb∶Te=0.7∶2.0∶3.0的混合粉为原料,采用真空合成法与烧结-热等静压制备Al-Sb-Te合成粉及用于溅射沉积Al_(0.7)Sb_2Te_3薄膜的叁元靶材,通过X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电镜(FESEM)及金相显微镜(OM)、能谱仪(EDS)分别表征粉体物相、靶材显微组织及元素分布等。结果表明:Al_(0.7)Sb_2Te_3合成粉的主相为Sb_2Te_3相,且与Sb_2Te_3二元合金粉相比, Al原子的掺杂使Sb_2Te_3主相的晶格常数与晶胞体积均减小,具体表现为:晶格常数a,c从Sb_2Te_3二元合金粉的0.4267, 3.0443 nm减小到Al_(0.7)Sb_2Te_3合成粉的0.4258, 3.0423 nm,且晶胞体积减小0.486%;再用Al_(0.7)Sb_2Te_3合成粉为原料,制备出的叁元靶材相对密度达到99.5%,且其平面与截面显微组织基本一致,均形成明显的Al0.1Sb_2Te_3基体相与单质Al弥散相两相组成,基体相与弥散相结合紧密,界面处存在宽度2～3μm的过渡区域。所制备的近全致密两相Al_(0.7)Sb_2Te_3合金靶材,有望改进磁控溅射法制备Al-Sb-Te系列薄膜的工艺和效果。(本文来源于《稀有金属》期刊2019年07期）
付振华,李继文,魏世忠,耿宏安,刘刚[8]（2018）在《铌钽合金化对钼合金靶材组织与薄膜结构的影响》一文中研究指出采用模压和真空热压烧结工艺制备了钼铌和钼钽两种钼合金靶材,以薄膜半导体-液晶显示器(TFTLCD)无碱玻璃为衬底,磁控溅射沉积了不同厚度的钼薄膜。利用场发射扫描电镜和共聚焦显微镜表征了靶材显微组织、元素面分布以及薄膜微观形貌。借助四探针测试仪测试了薄膜的方阻值,研究了铌和钽合金化对钼薄膜导电性的影响。研究结果表明:铌、钽合金化均可细化靶材晶粒,且靶材晶粒均无明显择优取向。钼铌和钼钽两种合金靶材平均晶粒尺寸分别为70.02μm和34.43μm。相同溅射工艺参数下,钼铌和钼钽合金薄膜厚度分别约为200 nm和240 nm。钼铌合金薄膜平均方阻为15.68Ω/□,钼钽合金薄膜平均方阻为22.00Ω/□。钽合金化后,钼靶材晶粒细化更为显着,晶粒尺寸分布更加均匀,薄膜沉积速度更快,且表面粗糙度较小,导致钼钽合金薄膜方阻增长较大。(本文来源于《河南科技大学学报(自然科学版)》期刊2018年03期）
马特[9]（2018）在《激光辐照轻质合金靶体多场耦合破坏效应数值研究》一文中研究指出激光武器的靶目标多为圆柱壳结构。承受的工作载荷主要包括飞行惯性过载、发动机内部工作压强以及发动机内部燃料燃烧时的高温载荷,同时还承受了周围流场引入的气动载荷,所以激光武器对靶目标的毁伤过程中存在着复杂的多场耦合效应,据此我们将其分为激光辐照下靶目标的热-力耦合毁伤以及激光辐照下靶目标的流-热-固耦合毁伤两种破坏模式,并对以上两种破坏模式选取了典型目标作为研究对象,开展了以下工作:1.激光辐照下靶目标的热-力耦合毁伤效应。首先,通过实验获得了轴压圆柱壳的临界屈曲载荷,并与理论上得到的轴压作用下圆柱壳的屈曲方程及解析解进行了对比,发现实验结果与大挠度非线性解析解相近;同时也对激光辐照下轴压薄壁圆柱壳的屈曲行为进行了实验研究,结果表明临界屈曲载荷随激光功率密度的增加而快速下降;并通过数值模拟更深入地分析了激光辐照引起的热-力耦合屈曲行为。其次,通过数值计算模拟了激光诱导充压柱壳的热-力耦合破坏效应,研究了典型结构的动态爆裂过程,获得的破坏模式与相应的实验结果基本一致。给出了叁类典型破坏模式及其对应的参数范围,探讨了各类破坏模式的形成机理,并分析了不同光斑尺寸、壳体厚度条件下热软化效应对破坏内压阈值的影响,以及预内压与破坏时间的关系。然后,通过数值计算初步探索了激光辐照下轴内压联合作用时,不同计算条件下柱壳的损伤模式的种类以及柱壳损伤模式发生转变的原因。最后,通过热传导方程和热弹塑性静力学方程组,对其中的模型相似参数进行讨论研究,提出圆柱壳在承受耦合多项载荷以及各个载荷单独作用时均适用的相似准则。并根据需要遵循的相似准则条件对相似准则进行了考核与误差分析。2.激光辐照下靶目标的流-热-固耦合毁伤效应。通过流-热-固耦合模型对亚声速切向气流作用下激光辐照铝板实验出现的破坏现象进行了数值模拟,通过仿真得到的破坏模式、破坏过程以及破坏时间与实验结果基本一致;并与无气流时铝板由于热力耦合作用产生的结构响应进行了对比,研究发现切向气流产生的气动压差对激光诱导的铝板变形以及等效塑性应变都有着显着的影响。(本文来源于《哈尔滨工程大学》期刊2018-01-10）
高杰[10]（2017）在《钼铌合金靶材制备及其溅射薄膜性能研究》一文中研究指出本文以钼粉、铌粉为原料,采用热压烧结工艺制备Mo-10Nb合金靶材,并将Mo-10Nb靶材用于直流磁控溅射镀膜,分析Mo-10Nb靶材的制备工艺对溅射薄膜性能与微观形貌的影响。通过研究不同热压工艺参数和Nb粉含量对Mo-10Nb合金靶材致密度和微观形貌的影响,探索合适的热压工艺参数,从而制备出高纯、高致密和晶粒均匀的Mo-10Nb合金靶材,并探讨了制备工艺对磁控溅射薄膜性能的影响。本实验采用X射线衍射仪、四探针电阻仪、AFM和SEM等分别表征溅射薄膜的择优取向、结晶性、导电性能、表面粗糙度、截面形貌及薄膜厚度,继而确定Mo-10Nb合金靶材的热压温度与薄膜性能之间的关系。研究结果表明:采用热压烧结工艺比无压烧结工艺更容易获得高致密、结晶性好和Nb元素分布均匀的Mo-10Nb合金靶材,且Mo-10Nb合金热压烧结的致密化过程与McClelland(麦克莱兰德)热压方程吻合,表明热压烧结温度和压力是Mo-10Nb合金致密化的关键因素。同时,通过研究加入不同含量Nb粉对Mo-Nb合金靶材的物相、致密度、微观形貌等的影响,得出10 wt%的Nb粉加入有利于靶材的致密化和晶粒细化。此外,对Nb粉含量为10 wt%时,不同热压烧结温度制备的Mo-10Nb合金靶材进行磁控溅射,分析其溅射薄膜的性能,结果表明:热压烧结温度为1820℃,保温时间为2 h,压力为15 MPa时,制备的Mo-10Nb合金靶材,其溅射薄膜的结晶性较好,择优取向为(110)晶面,表面粗糙度为87 nm,方阻值为0.1?(14)?。(本文来源于《北方民族大学》期刊2017-03-01）
合金靶论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用自主设计的带有气氛保护、冒口保温、磁力搅拌和强制冷却功能高频熔炼-铸造-搅拌一体化设备制备银基合金靶材坯料。研究了Au、Ge协同作用对银基合金靶材坯料的组织和性能的影响。结果表明,随着Au、Ge添加量的增加,银基合金靶材微观组织细化,二次枝晶变短,抗硫化性提高,且在Au、Ge添加量均为1.0%(质量分数)时,银基合金靶材坯料的耐硫化性能最佳。随着Au Ge添加量增加,元素偏析现象加剧,在Agl.5Cu0.1Y1.5Au靶材的晶界处出现少量的富集区,使靶材的抗硫化和耐蚀性有所下降。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
合金靶论文参考文献
[1].党晓明,安耿,李晶,路晓涛,王培华.钼铌合金靶材轧制工艺研究[J].热加工工艺.2019
[2].张德胜,张勤,杨洪英.Au、Ge对银基合金靶材坯料耐硫化性能的协同作用[J].稀有金属材料与工程.2019
[3].高岩,贺昕,刘晓.大规模集成电路用高纯铜及铜合金靶材研究与应用现状[J].材料导报.2018
[4].张德胜,张勤,于云鹤,杨洪英.钇对银基合金靶材坯料微观组织及性能的影响[J].东北大学学报(自然科学版).2018
[5].陆熠磊.磁控溅射合金靶制备铜锌锡硫（CZTS）薄膜太阳电池[D].云南师范大学.2018
[6].孙川希.相变存储用Al_(0.7)Sb_2Te_3合金靶的制备及性能研究[D].北京有色金属研究总院.2018
[7].孙川希,周增林,谢元锋,夏扬.Al_(0.7)Sb_2Te_3合金靶的制备及性能研究[J].稀有金属.2019
[8].付振华,李继文,魏世忠,耿宏安,刘刚.铌钽合金化对钼合金靶材组织与薄膜结构的影响[J].河南科技大学学报(自然科学版).2018
[9].马特.激光辐照轻质合金靶体多场耦合破坏效应数值研究[D].哈尔滨工程大学.2018
[10].高杰.钼铌合金靶材制备及其溅射薄膜性能研究[D].北方民族大学.2017