导读:本文包含了毫米波振荡器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:压控振荡器,低相噪,负阻,滤波
毫米波振荡器论文文献综述
朱玲,单奇星,胡成成,高海军[1]（2019）在《一种低相位噪声的CMOS毫米波压控振荡器》一文中研究指出基于65 nm CMOS工艺,设计了一种低相位噪声的压控振荡器。采用LC谐振回路,通过控制电压来改变电容的容值,达到振荡器输出频率可控的效果。仿真结果表明:在电源电压为1.2 V,控制电压在-3～3 V范围内变化时,振荡器的输出频率为139.4～149.3 GHz。振荡频率为140 GHz下,频偏1 MHz处的相位噪声为-91.83 dBc·Hz~(-1)。(本文来源于《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
吴雪君[2]（2019）在《毫米波带状注扩展互作用振荡器研究》一文中研究指出毫米波通常指波长在1-10mm之间,工作频率在30GHz到300GHz之间的电磁波。毫米波技术在国防、人工检测、5G通信、无人驾驶汽车等方面有着巨大的应用。毫米波振荡器是毫米波技术的重要组成部分,具有重大的研究价值。扩展互作用速调管和扩展互作用振荡器统称为扩展互作用器件。其中扩展互作用速调管(EIK)是一种放大器,已被用作高功率毫米波真空设备的重要来源。ElO在科学,商业和军事应用中发挥着重要作用,如通信,雷达,发射机,大气传感和近物体分析。EIO的相互作用腔是短波慢波结构,它利用了行波管(TWT)和速调管的优点。而常见的扩展互作用振荡器有圆柱的EIO和带状注的EIO。圆柱与带状注的区分在于它们的电子通道。其中在传统圆柱EIO难以产生大功率,因为谐振腔中的尺寸小和大电流密度。带状注的EIO可以明显降低光束的电流密度,从而降低光束的自由空间电荷效应。与圆柱EIO相比,可以承载更大的电流,从而增强光束功率,实现高输出功率。比如CIP公司的研究人员设计了一种高频CW可调谐EIO,工作频率为264GHz,输出功率为1W。带状注EIO比圆柱EIO在相同情况下,其散热效果更好,能产生高的功率。本论文展开对毫米波带状注扩展互作用振荡器的探究。设计Ka波段的高频结构,讨论间隙数目与特性阻抗及输出功率的关系。又基于电子通道和输出端口不变的情况下,展开耦合腔和互作用间隙及耦合口的参数改变对谐振频率、特性阻抗、场强分布的影响,并进行耦合腔和互作用间隙的参数改变对色散曲线的影响。最终成功的设计出了在电子注0.8mm×3.2mm下,电子注进入1mm×4mm的电子通道,在工作电压15.5kV、工作电流4A、工作频率在33.57GHz的情况下,最终达到了输出功率14.9kW,电子效率为24%的Ka波段带状注扩展互作用振荡器。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
谭文[3]（2019）在《CMOS毫米波压控振荡器研究与设计》一文中研究指出随着华为、叁星和高通等电信巨头纷纷宣布推出最新的第五代(5G)产品,预示着5G时代已经到来。5G技术至少会带来叁个技术提升:用于更大规模电子设备的通信,超可靠和低延迟的通信以及增强的移动宽带。自动驾驶是5G技术在交通系统中的一个典型应用,而作为自动驾驶“眼睛”之一的毫米波雷达又是其最关键的传感器。毫米波雷达大多采用传统的叁五族制程,由于工艺昂贵导致其成本太高从而无法大面积地在市场推广。因此,基于价格更低、硬件兼容性更高的CMOS制程的毫米波雷达研究受到了工业界与学术界大量关注。压控振荡器(VCO,Voltage-Controlled Oscillator)是毫米波雷达电路中不可或缺的关键模块,它的相位噪声、调谐范围等参数对雷达的探测精度至关重要。本文使用了65nm CMOS制程对VCO的电路设计进行了比较深入的讨论,为国内24GHz毫米波雷达的设计提供了借鉴。本文首先对毫米波压控振荡器的背景与研究意义进行了介绍,同时也对比了国内外相关工作的研究现状,指出了国内相关设计研究的不足。对压控振荡器的基础知识进行了讲解,使读者对VCO的电路设计有一个全面的认识。最后重点分析了VCO电路的关键参数-相位噪声,对相位噪声的产生原理做了很详细的探讨,并总结了优化方法。基于上述认识,本文使用标准的65nm CMOS制程设计了两款不同结构的VCO芯片。1、基于Class-B电路结构的8GHz VCO,通过3倍频器倍频到24GHz,实测的频率调谐范围为23~26.5GHz,在载波频率为24GHz处时相位噪声为-104dBc/Hz@1MHz,芯片面积大小为650μm×500μm。2、基于Class-C电路结构的24GHz VCO,电路引入了两组开关电容阵列,拓展了压控振荡器的频率调谐范围,同时也减小了VCO的K_(VCO)。实测的频率调谐范围为21.95~24.25GHz,在载波频率为24.25GHz时的相位噪声为-100.79dBc/Hz@1MHz,芯片面积大小为380μm×500μm。两款CMOS毫米波VCO芯片的设计加深了笔者对VCO基本原理的理解,同时也为国内毫米波VCO芯片的研究提供了思路。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
李志芸[4]（2019）在《47/94GHz毫米波压控振荡器的研究与设计》一文中研究指出伴随着电子、计算机以及网络技术的不断革新,我们已经生活在一个信息技术时代,科学技术的进步使我们生活更加便利化,对人们的生活方式带来了深远的影响。在电子应用中,毫米波因其具有独特的优势而广受欢迎,首先在毫米波频段应用极其少,来自不同应用的干扰较少,另一方面毫米波具有可用频谱非常丰富。毫米波具有一个非常大的优势在于,因毫米波的波长更短,相比较于射频收发机设计,毫米波芯片更容易全集成。本文研究了毫米波频段的压控振荡器,研究InPHBT工艺中毫米波压控振荡器的设计与优化,实现低噪声低功耗的频率源,在国内外学者研究的基础上,对毫米波芯片进行了深入分析和研究,尤其对工作与47/94GHz VCO进行了更加全面细致的分析及设计。本文主要的研究内容分为两部分。首先,本文主要集中对当前毫米波频段的划分以及应用背景进行分析,对当前毫米波VCO的研究现状及进行全面的、深入的调研。在当前学者的研究基础上提出新的VCO结构。其次分析了两种振荡器模型及其起振条件,分别是反馈型放大器模型和负阻模型,通过对模型的分析,理解了振荡器的基本原理。随后介绍了 VCO设计中重要的性能参数,并分析了重要参数之间的冲突和权衡,这是设计时所需要考虑的因素,减小相位噪声是VCO设计的重点。随后分析了相位噪声模型,提出了减小相位噪声的方法。最后分析了 Colpitts拓扑结构。随后分析讨论了毫米波电路设计中关键的无源元件,包括电感,电容,微带线,巴伦。讨论了在毫米波频段电路设计中,如何设计出具有较好高频特性的无源器件并应用于电路设计中。最终设计了以下两种不同中心工作频率VCO电路:1.基于InP HBT工艺设计了一种中心频率工作于47GHz的Colpitts结构宽带压控振荡器,运用了变容管阵列,该VCO在全频带内具有5dBm以上的输出功率,最高达到9dBm。电路输出频率为41.3GHz～55GHz,调谐范围为13.7GHz,并且具有相对较好的调谐线性度,相位噪声的范围为-61.277～-89.039dBc/Hz@1MHz,此VCO调谐频率范围比达到28%。2.基于InPHBT工艺设计了一种单端Colpitts压控振荡器与倍频器集成的电路。在0～1.1V电压范围内,输出频率为96.4～101.6GHz,调谐范围为5GHz,输出端口为50欧姆时,输出功率在-9dBm以上,中心频率为1MHz时,相位噪声为-76.3dBc/Hz。该压控振荡器适用于W波段应用。(本文来源于《杭州电子科技大学》期刊2019-03-01）
朱玲[5]（2019）在《CMOS毫米波压控振荡器的设计》一文中研究指出伴随着无线通信产业的飞快发展,人们对于通讯系统带宽的要求也变得越来越高。鉴于在高频的微波频段拥有非常充足的频谱资源,现代通讯系统正向着高频微波特别是毫米波频段发展。毫米波通讯相较于之前比较传统的无线电短波、超短波以及微波的通讯,拥有许多独特的地方。因为毫米波波段介于微波波段与光波波段的中间(即毫米波的波长在微波波长与光波波长中间),因而其能够同时拥有微波与光波的一些优势。与此同时,毫米波在其传输过程中不易受到杂波的干扰,对尘埃及一些其他介质微粒具有较强的穿透能力,使得通讯过程相对稳定。CMOS工艺具备工艺简单、集成度高、速度快以及功耗低等一系列的优势,故一直以来成为了各类集成电路工艺的首选。本文分为以下几个部分。第一部分首先阐述了 CMOS毫米波压控振荡器的研究意义以及国内外的一些研究现状。第二部分介绍了毫米波压控振荡器的设计原理以及电感等一些无源器件的分析。最后,基于GF 65 nm CMOS工艺设计了一款宽频带的压控振荡器以及一款低相噪的压控振荡器。论文的主要研究工作如下:1、对宽频率范围的压控振荡器的设计进行了研究。可变电感的版图设计在ADS软件中实现,通过改变开关MOS管的开闭状态来控制电感线圈间的耦合系数,从而改变电感的感值;然后将电感生成SP模型放入基于Cadence平台设计的电路原理图中进行仿真与分析;最后实现的压控振荡器的振荡频率为137.87～162.34 GHz,功耗为15.64 mW,频偏1 MHz处的相位噪声为-86.63 dBc/Hz。与传统的可变电容阵列调谐方式相比,本文的压控振荡器具有比较大的频率调谐范围。2、对低相位噪声的正交压控振荡器的设计进行了研究。通过分析振荡器的相位噪声模型,选取合适的电路结构与元件,并运用尾电流优化、大电容滤波、谐振滤波等技术来提高LC压控振荡器的相位噪声性能。最后实现的压控振荡器的振荡频率为139.4～149.3 GHz,振荡幅值为0.1～2.1 V,功率范围大概是9.25～9.72 dBm,频偏1 MHz处的相位噪声为-91.83 dBc/Hz。与传统的压控振荡器相比,本文的压控振荡器具有较好的相位噪声性能。(本文来源于《杭州电子科技大学》期刊2019-03-01）
张加程,高晓强,孙高勇[6]（2018）在《毫米波压控振荡器设计》一文中研究指出设计了一款毫米波压控振荡器芯片。本文从理论上分析了影响压控振荡器振荡频率的因素,并提出了一种设计思路,从而得到了一款毫米波压控振荡器。利用软件仿真,采用GaAs HBT工艺进行流片,达到了预期的设计目标。该宽带压振荡器芯片实测结果显示,当电调电压在0-20V变化时输出频率覆盖21-30GHz,调谐线性度2.2:1,电调电压在6V时相位噪声为-89dBc/Hz@100kHz。(本文来源于《电子元器件与信息技术》期刊2018年06期）
白晶[7]（2018）在《毫米波片上变压器及压控振荡器的关键技术研究》一文中研究指出近年来毫米波技术迅速发展并且逐渐得到了广泛的应用,其中毫米波压控振荡器作为毫米波射频收发机中的关键部分也逐渐引起了广泛的关注。压控振荡器对于接收机和发射机的性能有着十分关键的影响,特别是其相位噪声性能和调谐范围的影响,故高性能的毫米波压控振荡器也是目前的研究热点。本文首先介绍了对毫米波压控振荡器的研究的重要性,介绍了国内外对于压控振荡器以及片上集成变压器的研究进展,然后详细介绍了压控振荡器的原理、重要的性能参数以及常用的电路结构。最后介绍了设计的叁种片上变压器以及毫米波压控振荡器。本文的毫米波压控振荡器设计利用Cadence virtuoso软件,采用的工艺是TSMC 65 nm工艺,本文提出的设计可以实现较大的调谐范围以及较好的相位噪声性能。本文的主要工作及创新点如下:(1)本设计为使用LC谐振回路的负阻型压控振荡器,谐振回路中的电感部分采用变压器结合调节电路的结构,使得该设计也可以使用电感调节的方式实现振荡器谐振频率的调节,可以有效扩展频率调节范围。(2)为了实现大的频率调节范围和较好的相位噪声性能,利用HFSS软件在TSMC 65 nm工艺的基础上分别设计了叁种类型的片上集成变压器,第一种是参数值固定的八边形螺旋变压器,品质因数在工作频段内为17.3-18.3,另外两个是电感值和品质因数都可以调节的四边形变压器,利用有源开关管和无源片上变压器组成的可重置片上集成变压器的结构,可以实现电感值的调节,品质因数在工作频段内为11.5-22.0左右。(本文来源于《温州大学》期刊2018-05-01）
林瑞[8]（2018）在《140/220GHz毫米波压控振荡器的研究与设计》一文中研究指出随着无线通信技术日趋成熟,用户对无线传输的需求也越来越大,传统的无线电波频段已变得拥挤不堪。鉴于毫米波频段存在大量未征用的频段,在无线通讯领域具有巨大的潜力,因此毫米波通信系统应运而生,作为其中的重要一环,毫米波压控振荡器(Voltage-controlled Oscillator,VCO)逐渐成为了国内外学者重点研究的对象之一。本文针对毫米波VCO进行了研究,研究并设计了工作在140与220GHz频段的VCO电路,其主要内容如下:首先,文中介绍了毫米波在大气中传播时的衰减以及“大气窗口”的概念,随后讲述了毫米波收发系统及其应用,并总结了国内外的毫米波VCO的研究现状、电路结构、设计方法、所用工艺以及各项性能指标。其次分析了振荡器的基本原理并给出了几种典型的振荡器结构,同时介绍了VCO的各项重要参数以及若干设计时需要考虑的因素,为电路设计奠定理论基础。最终设计并实现了以下几款VCO电路:1、140GHz频段差分VCO。该VCO基于0.45um In P HEMT工艺设计,采用差分电容叁点式结构,设计时的信号传输线采用微带线结构,振荡核心管工作在零栅极偏压下。考虑到工艺的偏差,设计时预留了5-8GHz的振荡频率,整个VCO的振荡频率范围为145.3-148GHz,输出功率均大于0.1d Bm,最高为0.44d Bm,相位噪声性能良好并且在147.8GHz时达到-97.1d Bc/Hz@1MHz。2、140GHz频段Colpitts VCO。该VCO基于1um In P HBT工艺设计,电路采用单管结构,在全频带内具有3d Bm以上的输出功率,最高达到4.1d Bm。电路设计时信号传输线由带有地屏蔽层的微带线实现,振荡频率为138-141.8GHz,并且具有相对较好的调谐线性度,相位噪声在全频带内稳定在-80.5d Bc/Hz@1MHz左右。3、140GHz频段带有基极反馈电感的共基极交叉耦合VCO以及采用变压器改进后的电路。设计基于1um In P HBT工艺,采用更适合高频率振荡器的共基极交叉耦合结构,同时,使用基极反馈电感提升振荡器负阻部分的大小,改善起振状态。VCO的振荡频率为137.4-141.2GHz,输出功率在1.5d Bm以上,相位噪声在全频带内为-82d Bc/Hz@1MHz左右。随后提出并设计了片上无源变压器对该电路结构进行了改进。改进后的电路采用了2对变容管来增加其频率调谐范围,最终实现了140-150.7GHz左右的振荡频率,输出功率在大部分频带范围内大于2d Bm,而且比之前的电路具有更好的相位噪声性能,基本在-87d Bc/Hz@1MHz左右。4、220GHz频段耦合线VCO。该VCO基于1um In P HBT工艺设计,在传统的push-push共发射极交叉耦合振荡器的基础上,设计并采用了耦合线代替反馈路径中的隔直电容和负载电感,并且使用基极偏置电压VBE进行调谐,取二次谐波输出,最终实现了217-237GHz的振荡频率,输出功率在-2.9d Bm左右,全频带内相位噪声性能基本在-90d Bc/Hz@1MHz左右,并且具有良好的调谐线性度。(本文来源于《杭州电子科技大学》期刊2018-03-01）
郑原野[9]（2018）在《CMOS毫米波宽频带压控振荡器和分频器的设计》一文中研究指出随着无线通信技术的快速发展,通信系统对带宽的要求变得越来越高。由于频谱资源日益紧张和传输速率有限,以往的低频段已经越来越不能满足人们日常生活的需求,无线通信朝着更高的频段发展已成为必然趋势。毫米波是指频率在30~300GHz的电磁波,由于其波长短、频带宽,毫米波可以有效地解决高速宽带无线接入面临的许多问题,因而在短距离通信中有着广泛的应用前景。作为毫米波收发系统中的关键电路,压控振荡器(VCO,Voltage Controlled Oscillator)和分频器工作在链路的最高频率上,其性能的好坏直接影响着收发系统的性能,是毫米波集成电路研究的重要内容。本文首先阐述了CMOS毫米波压控振荡器和分频器的研究意义和目前的研究进展,然后对压控振荡器和分频器的宽频带结构、性能参数、设计方法进行了分析,最后基于65nm CMOS工艺设计实现了宽频带(73.3~88.1GHz))压控振荡器和宽频带(81~110GHz)注入锁定分频器,仿真结果达到了预期要求。论文的主要研究工作如下:1.本文对CMOS毫米波宽频带压控振荡器的设计进行了研究。在ADS仿真环境下,采用开关耦合电感结构,通过开关通断改变电感的耦合系数从而改变电感值的大小,在Cadence中完成电路设计并分析电路的仿真数据,最终实现了中心频率为80GHz、输出频率调谐范围为14.8GHz(73.3~88.1GHz)的宽频带压控振荡器。与传统的电容调谐相比,利用该结构的电感设计的压控振荡器的频带范围大大提高。2.对宽频带注入锁定分频器的设计进行了研究。基于65nm CMOS工艺,采用电路复用技术和双端混频技术实现了一个宽锁定范围的毫米波注入锁定分频器(ILFD),有效的扩大分频器的锁定范围,而且不会引入额外的功耗。在最后的电路仿真结果显示,当调节电压范围从0~1.2V变化时,输入的频率锁定范围为81~110GHz,工作电压为0.8V,电路的功耗仅为5.74m W。该分频器适用于W-Band(75~110GHz)的系统应用。(本文来源于《杭州电子科技大学》期刊2018-03-01）
李竹[10]（2017）在《基于CMOS工艺的微波毫米波宽带压控振荡器研究与芯片设计》一文中研究指出PLL(Phase Locked Loop)即锁相环频率综合器电路直接影响着无线收发信机性能的好坏,是实现无线收发信机全集成的关键瓶颈。在锁相环频率综合器PLL中,VCO(Voltage Control Oscillator)提供实际的输出信号,其性能直接决定了 PLL的关键性能参数:VCO的相位噪声决定了 PLL的带外相位噪声;PLL的输出频率范围直接由VCO的调谐频率范围决定;PLL的输出频谱纯度同样取决于VCO的设计及其对共模噪声上变频调制载波频率的抑制能力,并且VCO的功耗占整个PLL功耗预算的绝大部分。因此,对VCO设计的研究具有非常重要的意义。本文在国家973项目的支持下,主要进行基于CMOS工艺的微波毫米波频段VCO电路设计研究,着重讨论了毫米波Ka频段宽带LC-VCO的电路结构和优化方法,分别给出了两种采用CMOS工艺实现的毫米波Ka频段宽带LC-VCO电路,对其进行了电路和版图设计,最后给出了测试结果。此外,对微波频段超宽带VCO的电路设计进行了分析,完成了 3-7GHz超宽带LC-VCO的电路、版图设计并流片测试。同时本文对实现LC-VCO电路的无源器件电感进行了优化设计研究。目前工艺中常见的可选择的形状为八边形电感,如果想采用性能更好的圆形电感就需要自行设计版图仿真,然后将仿真的数据建模再带回电路中。本文中介绍了圆形电感的优化设计,主要是在特定感值前提下,通过对电感的线宽、间距以及内径进行优化从而得到所需频率范围内性能最佳的电感设计。基于片上耦合电感的四阶谐振腔实现了宽带低相位噪声VCO设计。与传统的宽带VCO相比,在不影响相位噪声性能的情况下能获得几乎2倍于LC-VCO的频率调谐范围,缓和了频率调谐范围与相位噪声之间的限制关系。对变压器的耦合系数与频带选择以及品质因数之间的关系进行了详细的分析。与传统的八边形结构相比,变压器采用圆形共面非对称的中心抽头结构,Q值较高,相位噪声较低。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,在低频和高频模式下输出频率分别覆盖3.16～4.64GHz和4.5～7.01GHz,可实现3.16～7.01GHz连续频率调节,频率调谐范围达75%。在1.8V供电电压下,消耗直流电流在高频和低频模式下分别为6.3和4.9mA。在3.1,4.5,5.1和6.6GHz载频处相位噪声分别为-122.5、-113.3、-110.1和-116.8dBc/Hz。芯片面积为1.2 mm×0.62mm。对VCO的工作原理和电路结构进行了详细分析,由于毫米波频段可变电容Q值快速降低,可变电容而不是电感成为影响相位噪声的主要因素。为此,本文采用增强Q值的开关电容阵列来提高LC谐振网络的Q值。此外,电路采用NMOS交叉耦合对来提供负阻,降低寄生电容进一步拓展VCO的调谐频率范围。采用90nm CMOS工艺实现了一种33～40.2 GHz调谐范围的宽带低噪声VCO芯片。中心频率36GHz处1MHz频偏处相位噪声为-103.4dBc/Hz。核心电路功耗为13.8mW。芯片面积为0.53mm×0.47mm。基于90nm CMOS工艺设计了一种宽带低功耗低相位噪声的VCO。采用一种改进的电流复用交叉连接结构提供负阻。与传统的交叉耦合对结构相比,这种结构中PMOS和NMOS管是同时开关的,没有共源节点,因此也就没有由二次谐波引入的相噪。同时,这种结构能够节省一半以上的电流。电路采用一种改进的反型模式MOS可变电容,与传统的反型MOS可变电容相比,电容的调谐范围从32.8%提高到65%。文中对改进的可变电容给出了详细的分析。测试结果表明电路的振荡频率范围为27-32.5(GHz。30GHz中心频率1MHz频偏处的相位噪声为-101dBc/Hz。核心电路功耗为3.7mW。芯片面积为0.53mm×0.46mm。(本文来源于《东南大学》期刊2017-04-01）
毫米波振荡器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
毫米波通常指波长在1-10mm之间,工作频率在30GHz到300GHz之间的电磁波。毫米波技术在国防、人工检测、5G通信、无人驾驶汽车等方面有着巨大的应用。毫米波振荡器是毫米波技术的重要组成部分,具有重大的研究价值。扩展互作用速调管和扩展互作用振荡器统称为扩展互作用器件。其中扩展互作用速调管(EIK)是一种放大器,已被用作高功率毫米波真空设备的重要来源。ElO在科学,商业和军事应用中发挥着重要作用,如通信,雷达,发射机,大气传感和近物体分析。EIO的相互作用腔是短波慢波结构,它利用了行波管(TWT)和速调管的优点。而常见的扩展互作用振荡器有圆柱的EIO和带状注的EIO。圆柱与带状注的区分在于它们的电子通道。其中在传统圆柱EIO难以产生大功率,因为谐振腔中的尺寸小和大电流密度。带状注的EIO可以明显降低光束的电流密度,从而降低光束的自由空间电荷效应。与圆柱EIO相比,可以承载更大的电流,从而增强光束功率,实现高输出功率。比如CIP公司的研究人员设计了一种高频CW可调谐EIO,工作频率为264GHz,输出功率为1W。带状注EIO比圆柱EIO在相同情况下,其散热效果更好,能产生高的功率。本论文展开对毫米波带状注扩展互作用振荡器的探究。设计Ka波段的高频结构,讨论间隙数目与特性阻抗及输出功率的关系。又基于电子通道和输出端口不变的情况下,展开耦合腔和互作用间隙及耦合口的参数改变对谐振频率、特性阻抗、场强分布的影响,并进行耦合腔和互作用间隙的参数改变对色散曲线的影响。最终成功的设计出了在电子注0.8mm×3.2mm下,电子注进入1mm×4mm的电子通道,在工作电压15.5kV、工作电流4A、工作频率在33.57GHz的情况下,最终达到了输出功率14.9kW,电子效率为24%的Ka波段带状注扩展互作用振荡器。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
毫米波振荡器论文参考文献
[1].朱玲,单奇星,胡成成,高海军.一种低相位噪声的CMOS毫米波压控振荡器[J].杭州电子科技大学学报(自然科学版).2019
[2].吴雪君.毫米波带状注扩展互作用振荡器研究[D].电子科技大学.2019
[3].谭文.CMOS毫米波压控振荡器研究与设计[D].电子科技大学.2019
[4].李志芸.47/94GHz毫米波压控振荡器的研究与设计[D].杭州电子科技大学.2019
[5].朱玲.CMOS毫米波压控振荡器的设计[D].杭州电子科技大学.2019
[6].张加程,高晓强,孙高勇.毫米波压控振荡器设计[J].电子元器件与信息技术.2018
[7].白晶.毫米波片上变压器及压控振荡器的关键技术研究[D].温州大学.2018
[8].林瑞.140/220GHz毫米波压控振荡器的研究与设计[D].杭州电子科技大学.2018
[9].郑原野.CMOS毫米波宽频带压控振荡器和分频器的设计[D].杭州电子科技大学.2018
[10].李竹.基于CMOS工艺的微波毫米波宽带压控振荡器研究与芯片设计[D].东南大学.2017