导读:本文包含了硅微波功率晶体管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硅横向扩散金属氧化物半导体,千瓦级,微波功率晶体管
硅微波功率晶体管论文文献综述
黄乐旭,应贤炜,梅海,丁晓明,杨建[1]（2019）在《千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究》一文中研究指出针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W硅LDMOS微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0.19℃/W。在50 V工作电压、230 MHz工作频率、脉宽为100μs、占空比为20%、输入功率为6 W的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23.5 dB,漏极效率74.4%,电压驻波比10∶1。该晶体管已实现工程应用。(本文来源于《现代雷达》期刊2019年09期）
应贤炜,王建浩,王佃利,刘洪军,严德圣[2]（2016）在《1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制》一文中研究指出针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2016年03期）
邬海峰[3]（2015）在《功率晶体管建模及射频与微波功率放大器设计》一文中研究指出近年来,无线频谱资源日益匮乏,普及绿色通信势在必行,这导致无线通信系统的性能指标变得尤为重要。射频与微波功率放大器是决定无线通信系统中发射机的线性度、效率和带宽等指标的重要模块,该模块卓越的性能主要依赖于精确的功率晶体管模型、先进的设计方法和丰富的设计经验。然而,目前在功率晶体管建模及射频与微波功率放大器设计中有很多实际问题需要研究解决。论文围绕其中的一些亟待解决的热点问题,研究了神经网络映射技术用于异质结双极型晶体管建模的方法,同时研究了针对某些无线通信系统中射频与微波功率放大器的若干关键设计技术。论文的主要贡献和创新点总结如下:1.针对现有异质结双极型晶体管模型在大尺寸分布特性的影响下存在深饱和区精度亟待提高的问题,提出了一种神经网络映射异质结双极型晶体管模型。在是德公司的Advanced Design System软件中,利用符号定义器件实现了该模型,并验证了准确性。仿真结果显示,该模型同现有Agilent HBT模型相比,在非饱和区精度提升1.26倍,在深饱和区精度提升3.15倍,为神经网络映射法改进异质结双极型晶体管模型的工作提供了经验和指导。2.针对现有方法在设计VHF/UHF频段超宽带CMOS功放时存在面积大的难题,提出了一种叁级超宽带CMOS功放结构,并在0.41 mm~2芯片内实现了0.1~1.2 GHz内良好的功率增益、效率、回波损耗等指标,这在现有CMOS功放研究文献中具有最高的Fo M1值(功率×增益×回波损耗×相对带宽/面积)。实测结果表明该功放完全满足面向行业专网应用的宽带射频收发芯片的研发需求。3.针对软件无线电系统中超宽带CMOS功放的设计瓶颈,成功将堆迭技术首次应用到VHF~C波段超宽带CMOS功放设计中,完善了现有堆迭CMOS功放设计原理中源极输入阻抗分析方法,并在0.64 mm~2芯片内实现了输出功率大于0.2 W、上下限频率比为60倍的1 d B带宽,这在现有CMOS功放的研究文献中具有最高的Fo M2值(功率×上限频率/(面积×下限频率))。实测结果表明该集成功放能够满足宽带射频收发芯片的研发需求。(本文来源于《天津大学》期刊2015-09-01）
李玉锋[4]（2013）在《射频/微波功率晶体管非线性参数化表征与建模》一文中研究指出众所周知，功率放大器是每个发射机系统的核心部件，随着雷达应用、卫星通信及无线通信的迅速发展，要求研发工程师和科学家们不断地研究和设计出具有更高的输出功率、更高的功率附加效率以及更高的线性度等指标的功率放大器，以满足更快的数据通信、更宽的雷达信号等需求。这就需要不断提高半导体功率管的性能，并把对半导体功率管的应用扩展到其性能的极限，经常使其进入到半导体功率管的非线性工作区域甚至饱和状态，并由此带来了非常严重的非线性特性。功率器件的非线性特性往往会给雷达、卫星及通信系统造成严重问题，往往是信息之间互相干扰、系统有效带宽下降的最主要原因。高效和精确地仿真设计功率放大器，首当其冲的便是功率管的大信号模型，但是这面临着诸多问题，首先很多半导体厂家并不提供设计功放所需要的功率管的大信号模型，其次现在多数大信号模型仍然无法摆脱经典S参数的烙印，只是在针对某型号功放单独设计。本文提出了射频/微波功率晶体管大信号非线性参数化表征与建模方法，建立了功放的非线性Z参数与Y参数与其端口等效非线性电感与等效非线性电容有直接关系，可以据此对功放进行负载匹配，改善功率并提高效率。基于安捷伦科技公司的X参数，利用X实测数据转换得到大信号非线性S参数，并继续转换为大信号非线性Z参数与大信号非线性Y参数。重新设计负载阻抗，与输出阻抗匹配，提高输出功率与效率。非线性参数化表征与建模方法能够更快捷的设计微波功率放大器的端口匹配网络，降低谐波损耗，提高输出功率、效率。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2013-07-01）
童亮,彭浩,高金环,黄杰[5]（2012）在《S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验》一文中研究指出为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根据摸底结果分别进行了3组恒定应力加速寿命试验,最高试验壳温分别为250℃和220℃,大幅度提高了温度应力,加快了试验速度。试验全程采用数据采集卡实施实时监测,并对失效样品进行了失效分析,最大程度地保证了试验数据的准确性。通过对试验结果的统计分析,推算出了两种S波段硅微波功率晶体管的平均寿命。(本文来源于《半导体技术》期刊2012年04期）
童亮,彭浩,高金环,黄杰[6]（2011）在《Si微波功率晶体管加速寿命试验夹具的设计》一文中研究指出温度应力的加速寿命试验结果与所用夹具的耐温性及壳温的精确测量与控制直接相关。通过大量研究,发现一体式夹具在试验壳温提高到某一值时性能迅速劣化,因此设计符合高温下使用的分离式夹具是加速寿命试验顺利进行的必要条件。提供了两种加速寿命试验夹具的设计思路,并用于Si微波功率管加速寿命试验,通过步进应力试验和恒定应力试验,获取了该Si微波功率管加速寿命。分体夹具可耐受的试验温度在260℃以上,为加速寿命试验提供了温度应力的提升空间。(本文来源于《半导体技术》期刊2011年08期）
郭潇菲,刘凤莲,王传敏[7]（2009）在《微波功率晶体管放大器匹配电路的设计》一文中研究指出对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法。着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果。根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值。(本文来源于《微波学报》期刊2009年05期）
娄辰[8]（2009）在《3.1～3.4GHz-45W硅微波脉冲功率晶体管的研制》一文中研究指出由于固态硅微波脉冲功率晶体管具有体积小、重量轻、大功率、高增益、高可靠等特点,如今广泛应用于通讯、雷达、电子对抗等领域。本文从硅微波功率晶体管的设计考虑出发,对管芯频率性能设计、功率增益性能设计进行了讨论。针对3.1～3.4GHz-45W硅微波脉冲功率晶体管,对内匹配及功率合成进行了研究,介绍了常用的内匹配网络,着重讲述了T型网络的设计方法。针对研制器件的工程需要,进行了可靠性设计,尤其是对装配工艺质量对器件可靠性的影响进行了分析并提出了解决办法。在此基础上研制出3.1～3.4GHz,输出功率45W,增益7.0dB,效率36%(脉宽300μm,占空比10%,工作电压32V)的硅微波脉冲功率晶体管。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2009-04-01）
刘红兵,许洋[9]（2008）在《微波功率晶体管的热失效分析》一文中研究指出微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)上的多层金属化层存在质量缺陷,使管芯到BeO的热阻增大,因此出现了老化时部分器件失效现象。提出了预防措施,既可避免损失,也能保证微波功率晶体管在使用中的可靠性。(本文来源于《半导体技术》期刊2008年09期）
杜丽军,袁同山,汪邦金[10]（2008）在《微波功率晶体管的激励功率选取》一文中研究指出对于C类工作的固态微波功率管,降低工作电压是提高其可靠性的有效手段。文中就某功率管在工作电压降低的情况下,给出激励功率合理选择所必须考虑的综合因素:输出功率、工作效率、脉内顶降、增益平坦度。并给出影响工作效率、脉内顶降的物理分析和相应的实验数据。(本文来源于《火控雷达技术》期刊2008年02期）
硅微波功率晶体管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅微波功率晶体管论文参考文献
[1].黄乐旭,应贤炜,梅海,丁晓明,杨建.千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究[J].现代雷达.2019
[2].应贤炜,王建浩,王佃利,刘洪军,严德圣.1.2~1.4GHz600W硅LDMOS微波功率晶体管研制[J].固体电子学研究与进展.2016
[3].邬海峰.功率晶体管建模及射频与微波功率放大器设计[D].天津大学.2015
[4].李玉锋.射频/微波功率晶体管非线性参数化表征与建模[D].哈尔滨工业大学.2013
[5].童亮,彭浩,高金环,黄杰.S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验[J].半导体技术.2012
[6].童亮,彭浩,高金环,黄杰.Si微波功率晶体管加速寿命试验夹具的设计[J].半导体技术.2011
[7].郭潇菲,刘凤莲,王传敏.微波功率晶体管放大器匹配电路的设计[J].微波学报.2009
[8].娄辰.3.1～3.4GHz-45W硅微波脉冲功率晶体管的研制[D].西安电子科技大学.2009
[9].刘红兵,许洋.微波功率晶体管的热失效分析[J].半导体技术.2008
[10].杜丽军,袁同山,汪邦金.微波功率晶体管的激励功率选取[J].火控雷达技术.2008
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