导读:本文包含了等离子体光发射谱论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:等离子体,光发射谱,微观动力学
等离子体光发射谱论文文献综述
张发荣,张晓丹,AMANATIDES,E,赵颖[1]（2019）在《氢气、氢气/硅烷等离子体时间分辨光发射谱的研究》一文中研究指出为了加深对等离子体增强化学气相沉积的认识,采用增强型电荷耦合器件(ICCD)研究了氢气及氢气/硅烷混合气体在不同气压条件下的时间分辨光发射谱,获得了辉光放电等离子体瞬态微观动力学过程的清晰图像。纯氢气辉光条件下,在一个射频周期内,H_β时间分辨光发射谱出现了4个峰。分析表明其中两个峰是由电子冲浪效应引起,额外两个峰的出现是由瞬时阳极时刻存在额外电场所致。另外,可观察到随着气压的增大,体欧姆加热效应增强。同氢气相比,当硅烷引入后,H_β时间分辨光发射谱由原来4个明显发射峰变成了两个明显发射峰。(本文来源于《发光学报》期刊2019年04期）
郭杏元,战永刚[2]（2018）在《等离子体辉光发射反馈控制系统在陶瓷硬质涂层制备中的应用》一文中研究指出材料的使用性能与材料的固有性能、材料的成分/组织结构、材料的制备/合成工艺等息息相关。控制材料的成份对薄膜的性能有至关重要的作用。反应溅射过程中,采用等离子体辉光发射强度能谱控制参与反应的金属粒子或反应气体的浓度或状态,并通过实时反馈系统进行比例调配,可以获得需要的化学计量比薄膜。陶瓷硬质涂层,如氮化物、碳化物、硼化物,金属掺杂DLC等,具有高硬度、低摩擦系数、耐高温、耐腐蚀等性能,广泛应用于机械加工、模具制造、地质探钻、纺织工业及航天航空领域。但薄膜中各组份的化学计量比对其性能有较大影响。本文先总结了反应磁控溅射制备陶瓷硬质工具涂层过程中,使用等离子体辉光反馈控制系统提高工具涂层成膜过程的稳定性以及各元素计量比,实现性能提升的现状。然后基于我们的实验结果,阐述等离子体辉光发射反馈控制系统在硬质装饰膜中的应用前景,希望通过等离子体辉光发射反馈系统控制装饰膜层中的成份与沉积速率,真正做到反应状态与时间的积分得到所需要的颜色,从而解决现如今依靠仿制跟踪、经验积累以及反复试错的现状。(本文来源于《科学技术创新》期刊2018年23期）
郭杏元,罗志鹏,战永刚[3]（2018）在《等离子体辉光发射反馈监控技术在光学薄膜中的应用》一文中研究指出目前光学减反光膜、光学装饰膜等广泛应用于消费电子行业,这些光学膜主要采用电子束蒸发和反应磁控溅射等方式制造。传统的反应磁控溅射光学膜具有致密度高、附着力好、颜色稳定等优点,但过氧态沉积速率低,生产效率不高。本文利用等离子体辉光发射监控技术(PEM)来稳定控制中频反应溅射过程中的靶状态,使靶材稳定在过渡态镀膜,既提高沉积速率,又不影响光学性能。实验结果表明,采用PEM反馈控制中频反应溅射制备氧化铌薄膜,777 nm处氧辉光强度设定值为40%时(过氧态标定为90%),沉积速率较传统的过氧态提高1-2倍;采用靶电压反馈控制中频反应溅射制备氧化硅薄膜,靶电压设定值为29%时(纯硅靶电压标定为90%),其沉积速率是过氧态的2～3倍。可见光透过率曲线显示没有明显增加吸收。按照此设定值制备4层AR膜,单炉镀膜时间由原来的2.3 h(过氧态镀膜)缩减到1 h,产能提高1倍以上。(本文来源于《装备制造技术》期刊2018年08期）
高启,吴泽清,张传飞,李正宏,徐荣昆[4]（2012）在《考虑吸收效应后对Z-pinch产生Al等离子体发射谱的非局域热动平衡模拟》一文中研究指出本工作在采用细致能级模型计算等离子体布居数的基础上,细致地计算了等离子体的发射系数和吸收系数,采用简化的NLTE(非局域热动平衡)一维定态辐射输运近似计算了考虑吸收效应以后Z-pinch产生的Al等离子体的细致能谱并作了分析,结合考虑吸收与不考虑吸收时等离子体发射谱结构的改变,初步分析了等离子体不透明度对等离子体X光谱的影响.计算结果表明,不透明度效应对等离子体的光谱改造非常明显,等离子体不透明度对共振线有明显的影响,而对伴线的影响较小.我们的计算结果还表明,Z-pinch等离子体K线的有效吸收半径约为100–200 m.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2012年04期）
高启,吴泽清,张传飞,李正宏,徐荣昆[5]（2012）在《Z箍缩Al等离子体发射谱的非局域平衡模拟》一文中研究指出采用FAC(flexible atomic code)程序,在细致能级层次计算等离子体原子结构参数和等离子体中各种原子物理过程的基础上,建立了等离子体中各种能级布居的速率方程,其中考虑了等离子体中各种原子物理过程的影响.通过求解基于细致能级的速率方程,计算了Z箍缩产生的Al等离子体辐射的细致能谱结构,对实验谱进行了辨认和归类,并对实验测量谱的成分做了简单分析.(本文来源于《物理学报》期刊2012年01期）
于新明,易有根,胡峰,赵阳,蒲昱东[6]（2011）在《120TW/30fs激光产生的Al等离子体X射线发射谱分析》一文中研究指出在SILEX激光装置上利用超强超短激光(120TW/30fs)与Al靶相互作用产生热稠密等离子体。采用类氢共振线与类氦共振线线强比诊断得到电子温度在480～670eV之间,采用类锂jkl伴线与类氦共振线强度比得到电子温度在430～610eV之间,两种诊断方法得到的结果基本一致。用类氦互组合线与类氦共振线强度比方法获得电子密度在1.80×1020～6.45×1020cm?3之间。根据诊断结果,得到了类氢共振线,类氦共振线,类锂伴线(n=2)强度在两种激光对比度下随激光功率密度的变化规律。(本文来源于《核聚变与等离子体物理》期刊2011年02期）
姜荣恒[7]（2011）在《基于等离子体发射谱的反应溅射镀膜方法的实验研究》一文中研究指出随着现代工业的发展,各种功能薄膜越来越多地应用到各个领域；磁控溅射镀膜技术不仅具有沉积温度低、薄膜附着性好,均匀性好、密度高、杂质少,膜的厚度可以控制,操作简单等优点,而且可以制备导电材料、半导体材料以及绝缘材料薄膜,因此近年来得到了广泛地应用。为了优化反应溅射镀膜方法并为实现自动化镀膜提供实验依据,本文采用光谱法对反应溅射镀膜方法进行了实验研究。本文以直流磁控溅射系统和光谱监测系统为实验平台,以反应溅射制备氧化锌为例,通过对直流反应溅射过程中等离子体发射光谱的在线监测,从等离子体特征光谱的角度,通过分析不同靶功率、工作压强、工作气体流量和反应气体流量时放电等离子体特征光谱强度的变化规律,研究在直流反应溅射沉积氧化物薄膜过程中,靶功率、工作压力、工作气体流量以及反应气体流量这四个工艺参数对靶材溅射速率及靶材溅射状态的影响,并通过实验得出在靶功率一定、反应气体流量为零,靶材溅射速率最高时所对应的工作压力(5Pa)和工作气体流量值(10sccm),并在该参数下研究了氧气流量对金属靶材溅射状态的影响,并获得了ZnO的反应迟滞曲线,得出溅射速率骤降点发生在氧气流量为1.5sccm处。通过光谱监测系统和靶功率的监测和控制,制备了反应迟滞曲线上不同溅射阶段的薄膜,并分别对薄膜的晶体结构、表面形貌以及成分进行了表征,结果表明,随着反应气体流量的增加,薄膜成分逐渐由金属锌膜过渡到氧化锌薄膜,并在氧气流量为1.6sccm时,薄膜的晶粒尺寸最大,表面均匀致密,氧化锌薄膜的结晶质量达到最优；对薄膜的导电特性、透光性和润湿性进行检测结果表明,在金属溅射阶段,由于薄膜中含有较多的剩余锌原子,薄膜的导电性良好,接近于金属锌的导电性,透光率都在80%以下,受晶粒尺寸和薄膜应力变化的影响,薄膜的水接触角在45.9。-105.25。之间变化；随着反应气体流量的进一步增加,在过渡溅射阶段和化合物溅射阶段,薄膜的导电性逐渐减弱,受膜厚及薄膜结构的影响,薄膜透光性逐渐增强,在可见光范围内达到90%及以上,薄膜的润湿性逐渐呈现疏水性,并在氧气流量为1.4sccm时达到最大值109.87。。由以上结论可以看出通过光谱法可以对溅射工艺参数进行优化并在相同功率下达到靶材的最佳溅射状态；在实验获得的迟滞曲线的不同溅射阶段可以制备出预定成分和性质的薄膜。(本文来源于《东北大学》期刊2011-06-01）
刘磊,杨沁玉,王德信,杨平,张菁[8]（2010）在《介质阻挡放电等离子体沉积多孔硅纳米颗粒膜的光发射及红外光谱》一文中研究指出用介质阻挡放电(DBD)等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以硅烷为源气体,在沉积区域加载脉冲负偏压进行调节,在玻璃基片上沉积得到具有荧光特征的多孔硅纳米颗粒膜。沉积过程的发射光谱结果表明,在412 nm处出现S iH*(A2Δ→X2Π0-0)特征峰,证明放电沉积过程中存在不同程度的硅烷裂解。将脉冲负偏压固定在-300 V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜的红外光谱显示S i—O—S i在1 070cm-1伸缩振动吸收峰与800 cm-1的弯曲振动峰都有所增强,而930 cm-1的S i—H弯曲振动减弱。说明随着占空比的增加,S i—O—S i键的结合越来越明显。(本文来源于《发光学报》期刊2010年06期）
刘二强[9]（2009）在《基于等离子体光发射谱的磁控溅射薄膜成分控制及性能研究》一文中研究指出对薄膜材料而言,薄膜的成分对组织结构和性能有着极其重要的影响,传统磁控溅射技术制备薄膜过程中成分受溅射工艺参数的影响比较大,难以实现薄膜成分的精确控制,选择合适的成分控制方法对提高薄膜制备效率及合成高质量薄膜具有重要意义。本文采用闭合场非平衡磁控溅射系统制备CrN硬质膜和TiNi合金薄膜,通过监测和控制等离子体光发射谱强度即OEM(Optical Emission Monitor)值精确控制薄膜成分,并对其相关性能进行了测试,探讨了OEM对薄膜成分及性能的影响。结果表明,随着OEM的增加,反应气体N2流量下降, CrN硬质薄膜成分中的N元素含量下降;当OEM为60%时,CrN薄膜以单一的CrN相为主,柱状晶组织细密,薄膜沉积速率大,具有最小的摩擦系数和最好的耐磨损性能;当OEM为55%时,CrN薄膜与基体结合强度最好,并具有最高的硬度和弹性模量。使用双靶溅射制备TiNi合金薄膜,成分测试结果表明,不同的TiNi合金靶功率配合不同的Ti靶功率均可以获得近等原子比TiNi合金薄膜,溅射态薄膜为非晶态。能谱(EDS)测试结果表明光发射谱强度(OEM)与薄膜成分呈线性关系,但不同的TiNi合金靶功率下,线性关系的斜率不同。经晶化热处理,TiNi合金薄膜呈现柱状晶晶态组织,XRD分析分析可知,薄膜中仅存在面心立方TiNi B2相,说明在室温时TiNi合金薄膜均未发生马氏体转变或者R相转变。对成分为Ti47.54Ni52.46、Ti49.71Ni50.29、Ti51.11Ni48.89和Ti51.96Ni48.04四种不同成分的薄膜进行纳米压入测试。非平衡闭合场磁控溅射得到的TiNi合金薄膜,经过550℃30min真空退火热处理,得到母相单一的B2相组织,说明B2相马氏体相变温度高于室温,其不能在室温条件下表现出伪弹性。而对于母相单一的B2相TiNi合金薄膜,Ti3Ni4相的析出,增大了薄膜的显微硬度和弹性模量,但对于富Ti的TiNi合金薄膜,析出相对薄膜硬度的影响不太显着。(本文来源于《太原理工大学》期刊2009-05-01）
高舸,时炜,陶锐[10]（2008）在《电感耦合等离子体-光发射光谱分析中硝酸、高氯酸基体效应及抑制》一文中研究指出目的:研究电感耦合等离子体-光发射光谱分析中的硝酸、高氯酸及二者混合酸溶液的基体效应,并建立克服干扰的有效方法。方法:观察不同浓度硝酸、高氯酸及其混合酸对实验元素谱线发射强度的影响。选择醋酸为干扰抑制剂,观察其效果及最佳浓度。结果:实验元素在3种酸基体溶液中的相对谱线发射强度均有所下降,分别5%HC lO4+5%HNO3>5%HNO3>5%HC lO4。加入醋酸,可使各元素的相对发射强度有较大提高。结论:加入5%醋酸,可有效克服3种酸基体溶液的干扰效应,所建立的分析方法准确、灵敏、简便,符合痕量分析的要求。(本文来源于《中国卫生检验杂志》期刊2008年02期）
等离子体光发射谱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
材料的使用性能与材料的固有性能、材料的成分/组织结构、材料的制备/合成工艺等息息相关。控制材料的成份对薄膜的性能有至关重要的作用。反应溅射过程中,采用等离子体辉光发射强度能谱控制参与反应的金属粒子或反应气体的浓度或状态,并通过实时反馈系统进行比例调配,可以获得需要的化学计量比薄膜。陶瓷硬质涂层,如氮化物、碳化物、硼化物,金属掺杂DLC等,具有高硬度、低摩擦系数、耐高温、耐腐蚀等性能,广泛应用于机械加工、模具制造、地质探钻、纺织工业及航天航空领域。但薄膜中各组份的化学计量比对其性能有较大影响。本文先总结了反应磁控溅射制备陶瓷硬质工具涂层过程中,使用等离子体辉光反馈控制系统提高工具涂层成膜过程的稳定性以及各元素计量比,实现性能提升的现状。然后基于我们的实验结果,阐述等离子体辉光发射反馈控制系统在硬质装饰膜中的应用前景,希望通过等离子体辉光发射反馈系统控制装饰膜层中的成份与沉积速率,真正做到反应状态与时间的积分得到所需要的颜色,从而解决现如今依靠仿制跟踪、经验积累以及反复试错的现状。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
等离子体光发射谱论文参考文献
[1].张发荣,张晓丹,AMANATIDES,E,赵颖.氢气、氢气/硅烷等离子体时间分辨光发射谱的研究[J].发光学报.2019
[2].郭杏元,战永刚.等离子体辉光发射反馈控制系统在陶瓷硬质涂层制备中的应用[J].科学技术创新.2018
[3].郭杏元,罗志鹏,战永刚.等离子体辉光发射反馈监控技术在光学薄膜中的应用[J].装备制造技术.2018
[4].高启,吴泽清,张传飞,李正宏,徐荣昆.考虑吸收效应后对Z-pinch产生Al等离子体发射谱的非局域热动平衡模拟[J].中国科学:物理学力学天文学.2012
[5].高启,吴泽清,张传飞,李正宏,徐荣昆.Z箍缩Al等离子体发射谱的非局域平衡模拟[J].物理学报.2012
[6].于新明,易有根,胡峰,赵阳,蒲昱东.120TW/30fs激光产生的Al等离子体X射线发射谱分析[J].核聚变与等离子体物理.2011
[7].姜荣恒.基于等离子体发射谱的反应溅射镀膜方法的实验研究[D].东北大学.2011
[8].刘磊,杨沁玉,王德信,杨平,张菁.介质阻挡放电等离子体沉积多孔硅纳米颗粒膜的光发射及红外光谱[J].发光学报.2010
[9].刘二强.基于等离子体光发射谱的磁控溅射薄膜成分控制及性能研究[D].太原理工大学.2009
[10].高舸,时炜,陶锐.电感耦合等离子体-光发射光谱分析中硝酸、高氯酸基体效应及抑制[J].中国卫生检验杂志.2008