薄膜和论文-邹平,肖林刚,王瑞,姜鲁艳

薄膜和论文-邹平,肖林刚,王瑞,姜鲁艳

导读:本文包含了薄膜和论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:塑料薄膜,地膜,温室拱棚,设施园艺

薄膜和论文文献综述

邹平,肖林刚,王瑞,姜鲁艳[1](2019)在《温室拱棚覆盖薄膜和地膜选择与应用技术》一文中研究指出我国每年有各种各样的塑料薄膜材料在农业设施中应用,其中相当一部分被用作保护地栽培,如温室和拱棚。由于使用过程中会遇到各种恶劣环境,如太阳辐射、昼夜空气温湿度变化、农药化肥等的交叉作用,如若使用不当会导致环境问题以及造成经济损失。基于此,通过介绍选择覆盖薄膜、地膜时的注意事项和安装技术,以期通过采取恰当技术措施,避免或减少因安装或保护不当而造成的影响,延长薄膜使用寿命,更好地降低农业生产成本。(本文来源于《江西农业》期刊2019年18期)

闫薛卉,张勇[2](2019)在《高熵薄膜和成分梯度材料》一文中研究指出针对高熵合金薄膜的研究现状,围绕成分设计、制备工艺、相结构、力学性能、高温性能、耐蚀性能等方面进行了讨论。分析了合金薄膜相结构受氮气流率、基底偏压、基底温度等工作参数影响的规律。其力学性能随着C、B、N等小半径非金属原子含量的增加而强化,文中从固溶强化理论角度进行了分析和解释。同时高熵合金薄膜展现出了优异的高温和耐蚀性能,在高温、强酸等极端条件下具有良好的稳定性。此外,高熵材料成分复杂且体系多样化,可通过高通量制备实现多组分材料的平行制备,为高通量筛选提供一个高效平台。针对未来可用于高熵合金高通量制备的几种技术进行了讨论。(本文来源于《表面技术》期刊2019年06期)

贺业鹏[3](2019)在《单原子层薄膜和纳米管的热传导性质的晶格动力学仿真》一文中研究指出随着制造技术的不断进步,电子器件已经向纳米尺寸发展,从而高集成度导致其热效应越加严重、散热问题愈加突出,这就对微米纳米电子器件的热稳定性和可靠性提出了更高的要求。石墨烯等单原子层薄膜是具有优异电子、机械性能的纳米材料,在未来微米纳米电子器件的应用上具有很广阔的应用前景。而凭借其优异的热传导性质,纳米管可以成为设计微米纳米电子器件的重要元件。单原子层薄膜和纳米管的热传导性质决定着它们的散热能力,也与它们的热稳定性和可靠性有着密切联系。可见,单原子层薄膜和纳米管热传导性质的研究对于微米纳米电子器件的合理设计和可靠使用具有很重要的意义。一直以来,人们研究材料热传导性质的常用方法主要是基于牛顿经典力学的方法——玻尔兹曼传输方程法和经典分子动力学模拟。但由于电子器件尺寸发展已经达到纳米级别,使得器件性能受到量子效应的影响越来越明显,而前面两种经典方法忽略了量子效应,会在低温等量子效应比较明显的场合产生一定的误差;而且分子动力学模拟方法复杂,计算量大,不利于我们模拟粒子数较大的体系。因此本文采用考虑量子效应且计算要求低、速度快的晶格动力学模拟方法来研究单原子层薄膜和纳米管的热传导性质。以下是本文主要的研究内容和结论:1.单原子层薄膜和纳米管的晶格动力学理论本文在现有的晶格动力学理论的基础上,推导了单原子层薄膜和纳米管的晶格动力学矩阵,求解其本征值问题,得到了它们晶格振动的频率即声子频率公式、原子位移公式、原子动量公式、晶格振动能量公式、晶格振动群速度公式,并在此基础上推导了单原子层薄膜和纳米管原子间相互作用的叁阶非和谐势能公式。将叁阶非和谐势能作为微扰,运用Green函数理论推导了单原子层薄膜和纳米管的声子Green函数,并由Green函数极点的虚部得到声子谱线宽度的迭代公式。根据迭代计算得到的声子谱线宽度的结果,还计算了声子自由程。计算结果表明单原子层薄膜和纳米管的低频声子谱线宽度随波矢减小而减小,即其声子寿命随波矢减小而增加;并且低频声子的声子自由程要远大于高频声子的声子自由程。2.单原子层薄膜和纳米管的热传导性质本文在hardy能量通量公式的基础上,推导了单原子层薄膜和纳米管晶格振动的能量通量公式,再运用Green-Kubo公式推导得到单原子层薄膜和纳米管的热传导系数公式,该公式表明单原子层薄膜和纳米管的热传导系数为所有声子的热传导系数之和。而单个声子的热传导系数与其速度、声子能量、声子寿命(或谱线宽度)和自由程密切相关。利用Matlab分别对单原子层薄膜和纳米管热传导系数随尺寸变化的关系进行了仿真,结果表明,单原子层薄膜的热传导系数随薄膜尺寸增加而增加,并且经数据拟合发现,当其尺寸超过40*40原子层时,热传导系数与尺寸的对数阶呈线性关系,由此可见,当尺寸趋向无穷时,其热传导系数呈发散趋势;纳米管轴向热传导系数随其长度增加而增加,当长度趋近无穷时,其热传导系数也趋向无穷而发散,另一方面,纳米管热传导系数随其口径增大而减小。这些结论为微米纳米电子器件设计中散热问题的解决提供了理论依据。(本文来源于《湖南师范大学》期刊2019-06-01)

贾龙飞[4](2019)在《PLD生长YIG薄膜和3D吸波结构》一文中研究指出本论文分为两部分:采用脉冲激光沉积方法制备YIG磁性薄膜和设计制备了3D吸波结构。1988年发现巨磁阻效应以后,有关自旋的各种物理、材料和器件受到关注并开展了丰富的研究,以磁性隧道结为基础的非易失性存储器和以自旋电子学为理论基础的自旋阀器件从工厂走向了市场。自旋电子学中自旋信号的传输不依赖电荷的移动或转移,可以避免焦耳热的产生。为了研究和完善自旋流信号的输运特性,必然需要制备良好的自旋输运的材料。本文综合已有文献的实验结果,探索使用激光脉冲沉积技术(PLD)生长钇铁石榴石(YIG)薄膜的工艺参数,以Si<100>和GGG<111>为衬底分别研究了生长温度、生长压强、激光频率等条件对YIG薄膜成膜质量的影响。首先实验确认了750℃时YIG薄膜的生长质量最好,然后以此为基础,研究了生长气压和激光频率对薄膜的生长速度、结晶质量和表面平整度的影响。经优化,在条件为:氧气压7.5mTorr和激光重复频率4Hz时,制备得到优质YIG样品,表面粗糙度小于1nm,生长速率为2nm/min。在射频、毫米波、太赫兹等频段的电磁波的研究中,吸波材料是一种重要的应用材料。为了提高吸收效率,减轻吸波涂层的厚度,本文设计了两种具有3D结构的人工电磁结构,并采用3D打印技术制备了样品,进行了反射率测量和结果分析。两种结构分别是:锥尖向外、以正方形为底的周期排列的四棱锥结构和锥尖向内的四棱锥空腔周期结构。首先,用电磁仿真软件HFSS对单元体积固定为12mm3不同尺寸的模型进行了仿真,结果表明底边长为1mm、高为12mm时吸波带宽大,吸收率高;底面边长为2mm、高为3mm时吸波带宽有8GHz。考虑实际使用中吸波层厚度不宜超过3mm,我们制造了2mm*2mm*3mm的样品,并进行了反射率测量,测得其在2-5GHz和10-18GHz有明显的吸波效果。(本文来源于《南京大学》期刊2019-05-31)

[5](2018)在《第十五届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会》一文中研究指出为进一步推动我国超导薄膜和超导电子器件及相关领域的研究和学术交流,中国电子学会超导电子学分会定于2018年10月15日至18日在江西省井冈山市召开"第十五届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会"。本届研讨会拟就当今国际超导电子学研究前沿领域进行深入讨论和交流。会议有关事项通知如下:一、会议主题1、超导薄膜及其他材料;2、超导传感器探测器及其应用;3、超导无源器件及其应用;4、新型超导量子器件与电路;(本文来源于《太赫兹科学与电子信息学报》期刊2018年04期)

杜春,高柱仙,张正国[6](2018)在《低温化学浴制备PbS薄膜和表征及其在太阳能电池中的应用(英文)》一文中研究指出为得到高质量的PbS薄膜,使用化学浴沉积法在40℃、50℃和60℃的低温下在包覆有TiO 2层的FTO衬底上成功制备了PbS薄膜。所制备的PbS薄膜外观光滑、致密,使用X射线衍射、场发射扫描电镜、紫外可见近红外和紫外光电子能谱分析了该薄膜。根据分析结果,运用谢乐公式计算得到以上温度下制备的PbS薄膜的粒径分别为30nm、36 nm和39 nm,且相应禁带宽度分别估算为1.58 eV、1.38 eV和1.20 eV。通过紫外光电子能谱结果计算出相应功函数分别为-4.90 eV、-4.60 eV和-4.50 eV,结合PbS薄膜的禁带宽度和功函数计算了其导带边和价带边的大小。此外,以spiro-OMeT AD作为空穴传输层,制备了PbS/TiO 2太阳能电池,并获得了0.24%的光电转换效率。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2018年07期)

[7](2018)在《第十五届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会》一文中研究指出为进一步推动我国超导薄膜和超导电子器件及相关领域的研究和学术交流,中国电子学会超导电子学分会定于2018年10月15日至18日在江西省井冈山市召开"第十五届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会"。本届研讨会拟就当今国际超导电子学研究前沿领域进行深入讨论和交流。会议有关事项通知如下:(本文来源于《太赫兹科学与电子信息学报》期刊2018年03期)

王亚楠[8](2018)在《非补偿Fe-Sn共掺杂In_2O_3薄膜和纳米点阵列性质的研究》一文中研究指出Fe在In_2O_3晶格中的固溶度很大,可以有效避免二次杂质相的产生,因此Fe掺杂In_2O_3稀磁半导体备受人们关注。在Fe掺杂In_2O_3中,Fe是以+2和+3混合价态存在,Fe~(2+)是一个p型掺杂剂。当额外掺入Sn时,Sn~(4+)是一个n型掺杂剂,这时Fe~(2+)-Sn~(4+)形成有效p-n对。这种非补偿性p-n共掺的方法有利于得到均相的稀磁半导体,同时通过调节p-n对的浓度可以调控体系的磁性及光学性质。本论文,我们利用激光分子束外延技术制备了Fe-Sn共掺杂In_2O_3薄膜和纳米点阵列,对其结构、价态、磁性以及光学性质进行了研究,并探讨了铁磁性的来源和局域表面等离子共振效应的机制,主要研究内容如下:(1)采用激光分子束外延技术,在Al_2O_3衬底上制备了一系列(In_(0.95-x)Sn_xFe_(0.05))_2O_3(x=0.02,0.05,0.1,0.15,0.2)薄膜。研究了Sn含量和厚度对薄膜结构、价态、磁性以及光学性质的影响。X-射线衍射及X-射线光电子能谱结果表明,所有的样品为单相的方铁锰矿结构,没有杂质相。薄膜样品表现出明显的室温铁磁性,随着Sn含量的增加,薄膜的饱和磁化强度几乎不变,薄膜厚度的减小使样品的饱和磁化强度增大。光学性质测试表明,Sn含量的增加使薄膜光学带隙增大,当Sn含量为20%时,由于散射作用的增强,导致光学带隙减小。薄膜厚度的减小,也会使薄膜的光学带隙减小。(2)采用激光分子束外延技术,在附有氧化铝模板的Al_2O_3衬底上制备了一系列Fe-Sn共掺杂In_2O_3纳米点阵列。研究了Sn含量和纳米点尺寸对纳米点阵列结构、价态、磁性以及光学性质的影响。结构及组成测试表明,纳米点阵列为单相的立方In_2O_3结构,Sn和Fe取代了In的晶格位置,并且Sn以+4价形式存在,Fe以+2和+3混合价态存在。纳米点大小均匀,排列有序。纳米点阵列表现出明显的室温铁磁性,随着Sn含量的增加,样品的饱和磁化强度几乎不变,纳米点尺寸的减小会使样品的饱和磁化强度增大。纳米点阵列的铁磁性可能来源于载流子诱导的磁偶极子之间的长程铁磁耦合作用。随着Sn含量的增加,纳米点阵列的光学带隙增大。纳米点阵列在近红外区有局域表面等离子共振吸收峰,并且可以通过改变Sn的含量以及纳米点的尺寸来调控共振吸收峰的位置。(本文来源于《山西师范大学》期刊2018-06-13)

胡勇[9](2018)在《角分辨光电子能谱对铁硒薄膜和稀磁半导体材料的研究》一文中研究指出高温超导自发现以来一直是凝聚态物理中广泛研究的课题。生长在SrTi03衬底上的单层FeSe(FeSe/STO)薄膜作为铁基高温超导体家族中,结构最简单、超导转变温度最高的体系更是受到了广泛关注。另外,过去的几十间,稀磁半导体已发展成为材料科学中的一个重要分支。稀磁半导体的磁性起源问题一直备受关注。本论文本论文利用分子束外延技术在钛酸锶衬底上生长了FeSe/STO薄膜;利用角分辨光电子能谱技术,对FeSe/STO薄膜和“122”系新型稀磁半导体(Ba1-x,Kx)(Zn1-y,Mny)2As2的电子结构进行了系统的研究。本论文主要包括以下内容:1.对超导体的发现历程进行了简要介绍,并对铁基高温超导体的研究进展进行了简要的回顾,借此引出本文的研究出发点。2.对本论文主要使用的研究手段角分辨光电子能谱的组成、原理进行了详细的介绍。3.对分子束外延技术和扫描隧道显微镜的原理进行了简要介绍。对FeS-e/STO薄膜的分子束外延生长方法、制备过程进行了详细介绍。4.通过STM研究,发现在超导的单层FeSe/STO薄膜中存在大量的额外Fe。通过对超导单层FeSe/STO薄膜在室温条件下沉积Se并进行退火,发现:(1)超导单层FeSe/STO薄膜中至少存在20%额外的Fe;(2)单层FeSe/STO薄膜表面上,二层FeSe小岛在很低的温度(~150℃)下就可以形成,这个温度比单层FeSe/STO薄膜的生长温度(~490℃)要低很多;(3)在FeSe薄膜表面室温条件下沉积Se并在合适的温度下退火,可以作为一种检验样品中是否含有额外的Fe的方法;(4)单层FeSe/STO薄膜中额外的Fe很可能存在于STO衬底和FeSe薄膜的界面之间。至于额外的Fe对单层FeSe/STO薄膜高温超导电性的影响,这需要进一步的研究。该结果为理解单层FeSe/STO薄膜的高温超导电性提供了新的信息,也为进一步提高其超导转变温度提供了新的思路。5.对单层FeSe/STO薄膜的主要研究进展进行了简要的回顾,进而引出本文的研究动机。对单层FeSe/STO薄膜的母体及其随掺杂的演化进行了详细的介绍。通过系统的ARPES研究,建立了单层和多层FeSe/STO薄膜随掺杂电子结构的演化规律和相图,发现单层FeSe/STO薄膜具有独特的类似于Mott绝缘体的母体。只有当载流子浓度增加到一定程度(大于~0.07e/Fe)时,才开始出现绝缘体-超导转变。对于两层和多层FeSe/STO薄膜,其母体是向列相;随着载流子浓度的增加,相列相逐渐被压制,超导相开始出现。单层FeSe/STO薄膜独特的母体结构和随掺杂的演变,为理解单层FeSe/STO薄膜的高温超导电性提供重要信息。6.对稀磁半导体的研究背景进行了简要介绍。系统的研究了“122”系新型稀磁半导体(Ba1-x,Kx)(Zn1-y,Mny)2As2的电子结构。通过对(Ba,K)(Zn,Mn)2As2,Ba(Zn,Mn)2As2,(Ba,K)Zn2As2和BaZn2As2四种高质量单晶样品的电子结构的研究,并结合理论计算,发现:(1)母体BaZn2As2本身是一个窄带隙的半导体,稀磁半导体(Ba,K)(Zn,Mn)2As2的费米能落在As 4p价带附近;(2)Mn 3d电子的态密度位于EB~-3.2 eV;(3)在掺Mn的样品((Ba,K)(Zn,Mn)2As2 和 Ba(Zn,Mn)2As2)中观测到了 As 4p 轨道劈裂的迹象。这些结果揭示了 p-d相互作用在(Ba1-x,Kx)(Zn1-y,Mny)2As2的高铁磁转变温度中起了至关重要的作用。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2018-06-01)

黄裕龙[10](2018)在《锂铁氢氧铁硒超导薄膜和单晶制备及相关物理性质》一文中研究指出铁基超导体是高温超导电性机理及应用的重要研究对象,在凝聚态物理领域引起了广泛的关注,大量的实验及理论工作促进了铁基超导电性的研究。FeSe基超导体具有简单的晶体结构,超导临界温度T_c变化范围广,是一个很特殊的体系。因此,制备系列典型样品,认知T_c从低到高的演变过程的物理机制,不仅将为FeSe基高温超导机理研究提供关键线索,也将为探索和应用开发具有更高临界参数超导体提供新的思路。本论文主要围绕(Li,Fe)OHFeSe高温超导体开展研究,具体内容如下:(1)优化“水热离子交换合成”软化学材料制备方法,制备出T_c可以连续变化的(Li,Fe)OHFeSe系列单晶;通过电输运测量分析,我们发现低T_c样品中存在金属-绝缘体转变现象,非超导晶体的低温电阻表现出绝缘行为。(2)利用本团队发明的“基体辅助水热外延生长”薄膜制备方法(Matrix-assisted Hydrothermal Epitaxial Growth,MAHEG),在国际上首次成功外延生长出高质量、高临界参数的(Li,Fe)OHFeSe单晶薄膜。该超导单晶薄膜的最高T_c为42K(起始抗磁转变温度及零电阻温度);(006)衍射峰摇摆曲线半高宽为0.22?,为所见诸报道的最佳值;通过Werthamer–Helfand–Hohenberg模型估算,沿着晶体c轴方向和ab面内的上临界磁场分别为79.5 T和443 T,在22 K时的临界电流密度达到0.5 MA/cm~2。如此高质量、高临界参数的(Li,Fe)OHFeSe超导单晶薄膜十分适用于高温超导电性的机理研究,且极具应用潜力,如开发高性能超导器件和大科学装置所需的强超导磁体等。此外,我们发明的MAHEG软化学成膜方法为制备其它功能材料提供了新的路径。(3)利用MAHEG方法并调节水热生长条件,在LaAlO_3衬底上成功外延出T_c从4 K到42 K的(Li,Fe)OHFeSe系列单晶薄膜,X射线衍射结构表征确认该系列薄膜均具有很好的结晶质量和外延特性。系统的电输运研究表明,(Li,Fe)OHFeSe体系中存在电子和空穴两类载流子的贡献,随着温度降低,二者的迁移率均在接近T_c时发散式增大。分析发现正常态的电子迁移率随着T_c的增加而单调增加,而空穴的迁移率在高T_c时却趋于饱和。在低T_c的薄膜样品中,电子和空穴迁移率的差别很小,但在高T_c的样品中,电子的迁移率远大于空穴的迁移率。我们的研究揭示了(Li,Fe)OHFeSe体系载流子的奇异输运特性,有助于加深对铁基高温超导机理研究的理解。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2018-06-01)

薄膜和论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

针对高熵合金薄膜的研究现状,围绕成分设计、制备工艺、相结构、力学性能、高温性能、耐蚀性能等方面进行了讨论。分析了合金薄膜相结构受氮气流率、基底偏压、基底温度等工作参数影响的规律。其力学性能随着C、B、N等小半径非金属原子含量的增加而强化,文中从固溶强化理论角度进行了分析和解释。同时高熵合金薄膜展现出了优异的高温和耐蚀性能,在高温、强酸等极端条件下具有良好的稳定性。此外,高熵材料成分复杂且体系多样化,可通过高通量制备实现多组分材料的平行制备,为高通量筛选提供一个高效平台。针对未来可用于高熵合金高通量制备的几种技术进行了讨论。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

薄膜和论文参考文献

[1].邹平,肖林刚,王瑞,姜鲁艳.温室拱棚覆盖薄膜和地膜选择与应用技术[J].江西农业.2019

[2].闫薛卉,张勇.高熵薄膜和成分梯度材料[J].表面技术.2019

[3].贺业鹏.单原子层薄膜和纳米管的热传导性质的晶格动力学仿真[D].湖南师范大学.2019

[4].贾龙飞.PLD生长YIG薄膜和3D吸波结构[D].南京大学.2019

[5]..第十五届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会[J].太赫兹科学与电子信息学报.2018

[6].杜春,高柱仙,张正国.低温化学浴制备PbS薄膜和表征及其在太阳能电池中的应用(英文)[J].人工晶体学报.2018

[7]..第十五届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会[J].太赫兹科学与电子信息学报.2018

[8].王亚楠.非补偿Fe-Sn共掺杂In_2O_3薄膜和纳米点阵列性质的研究[D].山西师范大学.2018

[9].胡勇.角分辨光电子能谱对铁硒薄膜和稀磁半导体材料的研究[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2018

[10].黄裕龙.锂铁氢氧铁硒超导薄膜和单晶制备及相关物理性质[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2018

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