导读:本文包含了负磁电阻论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:电子气,p-n结,光记忆,磁电阻
负磁电阻论文文献综述
贺安鹏[1]（2019）在《P型非晶碳薄膜/钛酸锶表面电子气异质结光致负磁电阻的特性研究》一文中研究指出铝酸镧(LaAlO_3,LAO)与钛酸锶(SrTiO_3,STO)均是钙钛矿结构的绝缘氧化物。近年来,研究人员在LAO/STO异质结界面诱发出高浓度的电子气,其拥有量子霍尔效应、磁电阻、超导等绝缘氧化物所不具备的物理特性。而另一种制备电子气的方法是通过Ar~+轰击STO在其表面诱发氧空位,其产生的电子气与LAO/STO界面电子气具有许多相似的物理特性,如磁电阻、持续光电导效应等。尽管电子气是电子导电体系(n型),直到目前尚没有研究表明它可与p型材料构成p-n结。一个主要的难点是电子气一般隐藏在界面之中,很难与其它材料形成接触。而Ar~+轰击制备的STO表面电子气(STO surface electron gas,SSEG)恰恰能解决该问题。因此本研究主要关注于利用该方法构建p-n结及其相关的物理特性。SSEG通过Ar~+轰击单晶STO(100)制备。经200 V与400 V电压加速的Ar~+轰击STO制备了载流子面密度(n_s)不同的SSEG,尽管n_s更小的SSEG展现出更低的迁移率,但它们都表现出金属行为。在n_s不同的SSEG中研究了光与磁电阻、磁与光电导效应的关系。实验结果表明:光照射在较小n_s的样品中表现出对正磁电阻的增益效果,而在较大的n_s样品中将抑制正磁电阻效应;在磁场的作用下,n_s更小的SSEG的光电导效应会被轻微的抑制,而n_s更大的SSEG的光电导效应被显着增强。本研究开发了一种简单、普适的Ar~+辐射方法用于p型非晶碳薄膜(p-type amorphous carbon film,p-a-C)/SSEG(p-a-C/SSEG)p-n结的构建,该方法还适用于SSEG与其它p型半导体材料p-n结的制备。之后在低温环境下研究了p-n结在黑暗和光辐射下的磁电阻特性,随着激光器的开启,p-n结从正磁电阻态演变为负磁电阻态。此外,光功率密度的改变只影响正磁电阻态转变到负磁电阻态所需的时间,而不改变最终的负磁电阻态。另一个非常有趣的现象是:p-a-C/SSEG异质结在经历一个光脉冲转变为负磁电阻态后,在无光条件下仍然保持着负磁电阻态,这表明该p-n结对光信号具有长期记忆能力,并且在去掉外加磁场后就可以转变为正磁电阻态。因此,p-a-C/SSEG异质结在可擦写光记忆存储器件方面具有应用前景。(本文来源于《苏州科技大学》期刊2019-04-01）
桂运安[2]（2014）在《二维纳米材料实现最高负磁电阻效应》一文中研究指出本报讯（ 桂运安）日前，中科大谢毅院士团队、吴长征特任教授课题组与曾晓成教授及中科院强磁场中心研究组合作，通过阴离子固溶技术实现目前二维纳米材料中最高的负磁电阻效应，该现象的发现有可能推动二维材料在自旋电子器件领域的进展。成果发表在最新一期物理学顶尖(本文来源于《安徽日报》期刊2014-10-16）
朱亮清,林铁,郭少令,褚君浩[3]（2012）在《非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻机理研究》一文中研究指出研究磁性半导体中负磁电阻产生机理对正确理解载流子与磁性离子间的sp-d磁交换作用是非常重要的.通过变温(10—300 K)磁输运和变温(5—300 K)磁化率实验研究了一系列不同Mn含量非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻和顺磁增强效应.实验结果表明其负磁电阻与温度的关系和磁化率与温度的关系基本一致,两者都包含一个呈指数型变化的温度函数exp(-K/T).根据磁性半导体的杂质能级理论,非简并P型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶在低磁场范围内出现负磁电阻效应的主要物理机理为外磁场的磁化效应使得受主杂质或受主型束缚磁极化子的有效电离能减小.(本文来源于《物理学报》期刊2012年08期）
赵昆,邢杰,刘玉资,赵见高,吕惠宾[4]（2007）在《Fe-氧化物薄膜的室温低场正磁电阻和高场负磁电阻》一文中研究指出采用对靶溅射技术制备了多相共存的Fe-氧化物薄膜.X射线衍射和X射线光电子能谱的测试表明薄膜存在有多相:Fe,Fe3O4,γ-Fe2O3,FeO.高分辨透射电子显微镜结果表明薄膜由柱状颗粒结构组成,其中核心是未氧化的Fe,外壳为Fe的氧化物.在室温时,低场正磁阻和高场负磁阻共存于Fe-氧化物薄膜中,利用壳层模型给出了初步解释.非线性电流-电压曲线和光生伏特效应进一步验证了薄膜的隧穿电导特性.(本文来源于《科学通报》期刊2007年07期）
童六牛,何贤美[5]（2001）在《Cu掺杂对Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响》一文中研究指出研究了 Cu掺杂对 Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响。在用磁控溅射方法制备的 Fe/Si多层膜中，发现在 Si的标称厚度 tSi=1.9 nm附近存在一较强的反铁磁耦合（ AFM）峰和与之相对应的负磁电阻峰。在 Si层中掺入 6％的 Cu后，发现反铁磁耦合峰的饱和场显着降低，峰宽变窄，峰位略向较厚方向移动。掺杂后磁电阻峰的缝宽和峰位变化与 AFM峰相似，而磁电阻峰值则略有下降。在液氮温度 T=77 K下，掺杂前后具有负磁电阻效应的多层膜样品的电阻率都降低，而磁电阻效应和饱和场均增大。实验结果表明，用磁控溅射方法制备的 Fe/Si多层膜的层间耦合机制和磁电阻效应的机制与磁性金属 /非磁金属多层膜的层间耦合及磁电阻效应的机制是一致的。(本文来源于《安徽工业大学学报》期刊2001年03期）
熊光成,吴思诚,戴道生,章蓓,刘尊孝[6]（1996）在《铁磁Pr_(1-x)Sr_xMnO_3外延薄膜的输运性质与负磁电阻行为》一文中研究指出利用脉冲激光淀积法生长了外延Pr(?)Sr(?)MnO_3薄膜(其中x=0.1,0.2,0.3,和0.4).测量了薄膜样品在零场中与外加磁场下电阻率随温度的变化.对X≥0.2的样品在磁场下观察到负磁电阻效应.在logρ-l/T的坐标中,零磁场下的数据在很宽的温区显现很好的线性关系,具有热激活载流于输运特征.由实验数据线性拟合得到在样品成分0.1≤ X≤0.3范围的热激活能约为0.1eV.从对掺杂锰氧化物的电子结构分析出发,对这一材料的绝缘-金属相变,输运性质和负磁电阻行为进行了讨论.(本文来源于《中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)》期刊1996年08期）
负磁电阻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本报讯（ 桂运安）日前，中科大谢毅院士团队、吴长征特任教授课题组与曾晓成教授及中科院强磁场中心研究组合作，通过阴离子固溶技术实现目前二维纳米材料中最高的负磁电阻效应，该现象的发现有可能推动二维材料在自旋电子器件领域的进展。成果发表在最新一期物理学顶尖
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
负磁电阻论文参考文献
[1].贺安鹏.P型非晶碳薄膜/钛酸锶表面电子气异质结光致负磁电阻的特性研究[D].苏州科技大学.2019
[2].桂运安.二维纳米材料实现最高负磁电阻效应[N].安徽日报.2014
[3].朱亮清,林铁,郭少令,褚君浩.非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻机理研究[J].物理学报.2012
[4].赵昆,邢杰,刘玉资,赵见高,吕惠宾.Fe-氧化物薄膜的室温低场正磁电阻和高场负磁电阻[J].科学通报.2007
[5].童六牛,何贤美.Cu掺杂对Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响[J].安徽工业大学学报.2001
[6].熊光成,吴思诚,戴道生,章蓓,刘尊孝.铁磁Pr_(1-x)Sr_xMnO_3外延薄膜的输运性质与负磁电阻行为[J].中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学).1996