一、PTC热敏电阻及其发展趋势（论文文献综述）
傅煌培[1]（2019）在《安防摄像头电动云台伺服驱动器的设计与实现》文中指出近几年随着摄像头图像传感器技术的快速发展,人们对摄像头在安防上所起的作用有了新的认识,安防摄像头在反恐维稳上起到了决定性的作用。而电动云台在安防领域中扮演着重要的角色,它能够稳定摄像头,并让摄像头的视角按照指令左右和上下运动,以获取更清晰的目标图像。随着近几年全球社会治安的恶化,各国对安防摄像头和电动云台的需求量猛增,同时对电动云台的性能也有了更高的要求,因此构建一个旋转快速、定位精准、又能长时间稳定工作的电动云台是提升安防摄像头图像质量的一个技术关键。而力矩电机伺服系统是一种精度高、快响应和功率密度大的新型永磁电机系统,而伺服电机和驱动器的小型化使它们嵌装到电动云台中成为可能,从而将大幅提升电动云台的性能。本文首先从安防摄像头电动云台技术要求出发,设计并实现了一种双轴力矩伺服电机驱动器,它以FPGA为控制核心,实现了一台驱动器同时对两个伺服电机同步驱动控制,有效缩小了驱动器的体积;在FPGA内部设计了双轴伺服系统运动控制逻辑,以替代驱动器外部的伺服轨迹控制器,进一步减小了整个伺服系统的体积;STM32作为协处理器,用于多路电源控制、外部通信和负责浮点运算,有效提高了系统可靠性和性能;伺服电机每相工作电流采用纯电阻采样方法,不仅大幅度减小了电流采样延迟,同时提高了伺服电机电流环带宽和伺服系统响应速度;使用IGBT作用逆变电路的功率器件提升了伺服驱动的可靠性;针对速度环和位置环分别提出了改进型速度测量法和增加前馈的PI调节法,更进一步提高了这两个环的响应速度,改善了整个伺服的运动控制性能。最后对安防摄像头电动云台伺服驱动器进行了实验测试,首先使用Matlab和Signal Tap作为上位机对系统的相电流采样、电流环、速度环和位置环等方面的性能进行了实验测试,从实验数据可以得出,电流环的带宽从1.2KHz提高到了 1.7KHz,速度环的低速和高速运行的速度都十分精准,从静止加速额定速度仅需要1.69ms,位置环的定位误差极小,定位速度快,且有较好的抗干扰能力。
赵方舟[2]（2016）在《钛酸钡系正温度系数热敏电阻无铅化研究及性能优化》文中研究表明本文主要进行了钛酸钡系正温度系数热敏电阻元件无铅化的研究,并总结了实验过程中对元件除居里温度之外其它性能的优化。我们的研究目的在于响应环境保护的呼声,寻找合适的铅替代物以减小它对环境和人类带来的危害,并提高元件的性能指标。研究过程中,我们力求加深对钛酸钡系元件微观机理的认识并提出自己较为新颖的看法。目前主要取得了如下成果：（1）结合钛酸钡系正温度系数热敏电阻理论模型的指导,开发出能够显着降低元件晶界氧含量从而降低元件室温电阻率的热处理方法。该方法利用一定的降阻试剂,实现了对多阻值元件电阻的调节。该方法一方面有利于回收企业生产中出现的电阻过大的元件,能够创造可观的经济价值；另一方面促进了我们对钛酸钡系元件晶界模型认识的加深。基于实验结果,我们提出了半定量的晶界模型。该模型解释了氧含量变化对元件电阻温度特性的影响,也明确了自发极化补偿晶界受主态的程度。此外,结合对其它类型受主作用的分析,该模型有助于判断制备无铅元件时,添加剂向元件内引入受主的程度。上述实验方法己在企业中获得良好的应用,根据此实验内容申请的发明专利已经取得授权。（2）采用固相方法,制备了含有K0.5Bi0.5TiO3（简写为KBT）的无铅化钛酸钡系元件。通过添加纯相KBT和分开添加K2CO3、Bi2O3和Ti02两种添加方式,结合不同的技术手段,制备出了实用性强的无铅化元件。元件具有高于钛酸钡的居里温度（135℃左右）和极低的室温电阻率（13.84Ω.cm）。这一结果说明添加KBT会大幅增加元件室温电阻的问题可以克服,为进一步增加KBT含量奠定了良好的基础。在进行本实验的过程中,我们提出了在K20和Bi203熔点附近增加保温阶段的烧结制度。该方法有效促进了元件居里温度的提高和室温电阻的降低,也丰富了我们对烧结过程热动力学的认识。（3）采用固相方法,将KBT与铅按照一定比例共同添加,获得了居里点在200℃的元件。与具有同样居里点的含铅元件相比,元件中铅含量下降了50%。此成果有效减少了元件中的铅含量,实现了高温发热体中铅的部分替代。（4）进行了添加Ca、Y、Na0.5Bi0.5TiO3（简写为NBT）和KBT的研究,制备出居里点各异的元件。综合对比各组实验过程,我们发现晶界应力是能够抑制元件居里点提高的不利因素。这说明无铅化研究中,晶界结构和应力分布是影响材料性能的两个重要因素,同时强调了优化元件制备技术的必要性。（5）采用分开添加K2CO3、Bi2O3和Ti02的方式,将元件的电阻温度系数从16%/℃提高到了53%/℃,大幅度提高了元件的灵敏度。该结果说明晶界上残余的K起到了表面受主态的作用,对电阻温度系数的提高做出了较大贡献。另外,元件居里温度在此实验过程中没有发生变化的事实,说明烧结过程中,K和Bi挥发较多而未能有效提高居里点,也表明在微观局域范围,K和Bi是否具有1：1的摩尔比例对元件居里点的提高非常重要。（6）基于熔融态晶体冷却析出的相关理论,我们提出了在K2O和Bi2O3的熔点附近增加降温冷却阶段的烧结技术。该技术有效提高了元件的半导化效率,使元件的室温电阻率从514.55Ω·cm下降到112.95Ω·cm（降幅80%）。利用冷却析出的晶体会优先在晶界缺陷较多位置结晶的理论,上述增加降温冷却阶段的技术是陶瓷烧结上较为新颖的制备手段。结合液相烧结的相关理论,该技术完全可以移植到其它富含液相的陶瓷元件制备过程中。基于上述成果,我们对钛酸钡系元件的认识得到了加深,并由此总结出制备无铅元件必须解决的重要问题：（1）元件中K和Bi不仅仅需要达到配方层面1：1的摩尔比例,在微观结构上,这一比例的实现对提高居里点十分重要；（2）作为铅替代物的各类添加剂通常与钛酸钡具有不同的晶格常数,由此产生的晶界应力是不利于居里点提高的因素。有效消除这一影响并保持元件较低的电阻率,才能最终制备出实用性较好的元件；（3）由于PTC效应起源于连贯性较差的晶界,使得元件性能容易受到少数晶界的调控,也就是说电学性能对于微观结构和成分十分敏感。综合各种添加剂的特性来设计和开发新的制备技术,也是实现元件无铅化的重要手段。综上所述,本文取得的成果和经验对于其他研究者具有较好的参考价值,也克服了无铅化研究中常见的一些困难。我们认为随着材料科学的发展,元件无铅化的研究具有良好的前景。
郭晨[3]（2014）在《施主掺杂和Na0.5Bi0.5TiO3对钛酸钡系PTCR居里温度的影响》文中认为本文主要研究了PTCR元件制造过程中Nb、La、Y三种施主掺杂和Na0.5Bi0.5TiO3（NBT）对元件居里温度的影响。Nb2O5掺杂摩尔比为0.118%—0.144%的范围内元件可良好半导化，随着Nb2O5掺杂增加，元件的居里温度略有下降（112℃+2℃）；La2O3掺杂摩尔比为0.097%—0.160%的范围内元件可良好半导化，随着La2O3掺杂增加，元件的居里温度略有下降（96℃+2℃）；Y2O3掺杂摩尔比为0.140%—0.191%的范围内元件可良好半导化，随着Y2O3掺杂增加，元件的居里温度略有上升（125℃+2℃）。三种施主掺杂都得到了明显的室温电阻率—掺杂摩尔百分比U型曲线。预烧之前添加NBT相对基础配方居里温度最多提高了20℃，预烧之后添加NBT相对基础配方居里温度最多提高了24℃，预烧前后添加NBT都会导致元件室温电阻率的升高。预烧后添加NBT相对于预烧之前添加更加集中作用于晶界，从而对居里点具有更高的移动效率。
车佩佩[4]（2013）在《低电阻率PTC热敏电阻器的优化研究》文中认为近年来，以BaTiO3半导体陶瓷材料为基础而发展起来的PTCR热敏元件已广泛应用于通信、家用电器、汽车、航天、飞机等领域，由于需求量的增加，越来越多的高校、科研机关及专家学者对此进行了长期深入的研究，对BaTiO3半导体陶瓷的理论体系做了更完善的补充，加深了人们对半导体陶瓷的认识，也为半导体陶瓷的应用奠定了理论基础；同时由于应用领域的不断扩大，对低电阻率的PTC元件的需求量越来越大，所以对其进行低阻化研究很有必要。本文就是基于现有的理论体系对PTC热敏电阻器进行低阻化研究。文章主要对PTC热敏电阻器的原理、性能、制备工艺、测试方法以及低阻化的研究方法进行了详细的论述。对于其测试方法着重介绍了ZWX-B/ZWX-C智能接口型测试系统、XRD和SEM等测试设备；而对于低阻化PTC热敏电阻器的性能优化研究分别从工艺、配方以及热处理等方面进行调整，配方方面主要研究了单施主Y元素、单施主Nb元素以及Mn的加入量对室温电阻率的影响，工艺方面主要研究了升温速率对室温电阻率的影响，还研究了还原热处理法对室温电阻率的影响，通过实验将室温电阻率降低到12.7Ω·cm。
潘彬[5]（2012）在《液相掺杂BaTiO3基PTC陶瓷的制备、微结构与性能研究》文中研究说明PTCR陶瓷是一种新型的半导体材料，它具有独特的电阻温度变化规律，被广泛地应用在电子通信设备、家用电器、电子仪表、医疗器械等多个领域。BaTiO3是具有代表性的钙钛矿结构材料，因其显着的铁电、压电性能，被广泛应用在热敏电阻器、陶瓷电容器和光电器件中。随着研究的深入，PTC材料以多元化的形式向着高技术、高性能、高应用领域的方向发展，高性能PTC陶瓷的研究与开发，是近期陶瓷材料开发的热点。这类应用要求PTC材料具有较低的室温电阻率、高耐压和承受大电流冲击等特性。因此，对该项目的深入探讨与研究是近来科研工作者的一个重点。本文首先采用液相掺杂-低温固相反应制备了铋掺杂BaTiO3基PTC陶瓷。首先TiCl4和BiCl3共同水解生成水合钛铋复合氧化物，再与等摩尔量的氢氧化钡和氢氧化锶在室温下研磨反应1h，得到了钛酸钡基纳米晶。利用XRD、TEM和SEM等对样品的物相、晶粒大小及微结构进行了分析，样品在常温下为立方晶系，颗粒均匀分布，基本呈球形，粒径约为60nm；在烧结温度1330℃，保温时间为20min的最佳烧结条件下，制备得到了室温电阻26.29，升阻比3.585×104的性能优良的PTC材料。在钛酸钡中以BiCl3、NbCl5的乙醇溶液形式引入Bi、Nb元素，采用低温固态反应制备了Bi、Nb双施主掺杂的纳米BaTiO3基PTC陶瓷粉，同时研究了烧结条件对PTC陶瓷材料性能的影响。利用XRD和TEM分析了样品的物相及微观形貌，发现样品为立方晶系的完全互溶取代固溶体，颗粒基本呈球形，粒径大约5060nm。制陶实验表明，以Bi、Nb进行双施主掺杂可有效改善材料的PTC性能，当最佳烧结温度为1330℃、保温时间为20min时，可以得到室温电阻为12.93，升阻比为1.920×105的电性能优良的PTC陶瓷。采用低温固相法合成了一系列La、Nb共掺的BaTiO3粉体，利用XRD和TEM分析粉体的物相及晶粒大小，发现粉体在常温下为立方晶系，颗粒分布均匀，粒径约为6070nm。并且详细探讨了烧结温度、保温时间及降温速率对钛酸钡基陶瓷材料室温电阻和PTC性能的影响，并对其影响机制给予合理的理论解释。最终在1340℃下烧结保温20min，再以150℃/h的降温速率冷却到1050℃，最后随炉自然降温，得到室温电阻36.74，升阻比1.066×105，电阻温度系数为22.78％的性能较佳的PTC陶瓷。通过对最高烧成温度、保温时间、升温速率、降温速率的控制，探索烧结制度对材料性能结构的影响规律。随着烧结温度的升高，样品粒径呈现出先减小后增大的趋势，瓷片的室温电阻先降低后升高，而升阻比先增大后减小；随着保温时间的延长，室温电阻先减小后增大，升阻比则先增大后减小；随着升、降温速率的增大，材料的室温电阻先降低后升高，升阻比先升高后降低。
章龙,顾江萍,黄跃进,沈希[6]（2012）在《基于PLC的冰箱压缩机PTC启动器寿命测试系统的设计》文中认为介绍了一种制冷压缩机用PTC启动器寿命测试系统。测试系统以PLC为控制核心,上位机以TP177A触摸屏作为人机接口,配合使用各种检测设备和传感器对PTC启动器从恢复状态到通电断开这一过程中的电流变化进行实时检测,并对PTC启动器往复多次通电直至其破坏或到达设定的测试次数时为止。系统控制界面友好、操作方便、可长时间自动工作,稳定可靠,在实际应用中成效显着。
刘芳[7]（2012）在《BaTiO3系热敏电阻器配方与工艺优化》文中研究表明正温度系数热敏电阻元件作为发展较为成熟的基础电子元器件,已经广泛应用到电子行业的各个领域。而其中BaTiO3系热敏电阻目前生产规模较大,生产中也出现许多值得探讨的问题,故对此的研究具有较高的理论与实践价值。本文主要研究了PTCR元件制造过程中各种添加剂如何影响元件室温电阻、生产中已涂电极元件的热处理降阻工艺和一些工艺条件的优化问题。具体来讲,添加剂对性能影响方面,在选取液态锰的添加形式后,选取Y、Mn、Ag、Cl进行正交实验,降低了元件室温电阻率（13.57Ω·cm）；成品元件热处理降阻方面,借助各种试剂的配合,达到了大幅降低成品元件室温电阻的要求；若干工艺条件优化方面,确定了较优的烧结升温速率和保温时间。
卢桂霞[8]（2011）在《碳纳米管/聚合物复合材料的热敏电阻特性研究》文中研究说明聚合物PTC材料是一种对温度非常敏感的材料,其被广泛应用于过流保护、自控温等领域。由于其对温度敏感的特性,已越来越引起人们的重视。目前,商品化的热敏电阻主要是以炭黑（CB）填充高密度聚乙烯（HDPE）制得的复合材料热敏电阻。在特定温度时,HDPE的结晶区开始熔化,从而导致基体的体积膨胀,进而导致由CB形成的导电网络的断裂,因此,电阻出现急剧增加（PTC效应）。虽然CB/HDPE热敏电阻已被广泛应用了数十年,但是仍然面临挑战。高的填料用量（20wt%-30wt%）和耐热性差是限制其发展的两个重要瓶颈。这主要是由于CB的低导电性和较差的热稳定性所导致的。以上缺点严重限制了CB/HDPE热敏电阻在某些领域的应用,例如通讯、电力、发电厂等要求热敏电阻具有耐电流、耐电压等特点的领域。碳纳米管（CNT）相比CB具有高导电性、高导热性和高长径比等优点,这些优点对于形成理想的导电网络和获得高性能的热敏电阻是有益的。CNT填充聚合物基体形成复合材料的PTC效应已开展了广泛的研究。本文的目的是通过实验研究探索降低复合材料热敏电阻导电填料的添加量,开发具有耐大电流、耐大电压特性的热敏电阻。本文以CNT为导电填料,以HDPE和聚甲醛（POM）作为基体材料制备功能复合材料以及热敏电阻,研究了CNT/HDPE和CNT/POM热敏电阻的相关技术性能,如PTC效应、电压-电流曲线、阻温曲线和响应速度,以及其与CB/HDPE热敏电阻的对比。首次发现了CNT/HDPE热敏电阻的不动作电压和不动作电流分别为3.9 V和182.9 mA,相比CB/HDPE热敏电阻的不动作电压（1.4 V）和电流（80 mA）分别提高178.5%和128.6%。也就是说碳纳米管基热敏电阻,即使是在较高的外加电压下,仍然可以保持低电阻状态。碳纳米管基热敏电阻的耐电压特性主要归因于CNT导电网络的高导热性,碳纳米管基热敏电阻可以被应用于高功率传输、通信等领域。
赵方舟[9]（2011）在《BaTiO3系热敏电阻器配方与工艺优化》文中研究说明正温度系数热敏电阻元件作为发展较为成熟的基础电子元器件,已经广泛应用到电子行业的各个领域。而其中BaTiO3系热敏电阻目前生产规模较大,生产中也出现许多值得探讨的问题,故对此的研究具有较高的理论与实践价值。本文主要研究BaTiO3系正温度系数热敏电阻元件的配方与制造工艺,包括各种添加剂的作用、含铅元件生产时铅挥发的抑制和若干工艺条件的优化。具体来讲,配方方面通过调节Y/Mn比例及含量降低了元件电阻,之后添加Ca提高了元件耐电压的性能,最后调整Ba/Sr比例获得较好的电阻突变性能;工艺方面第一是借助元件烧结时一些因素的改变抑制了铅的挥发,第二是借助各种测试仪器确定了较好的压片密度和预烧保温时间。
吴迪[10]（2010）在《采用PTCR设计温度报警装置》文中研究指明温度控制电路在工农业生产中有着广泛的应用,如在粮仓库的粮食仓贮保管中,粮仓内的温度是安全保管粮食的重要因素。本文阐述了PTCR的结构、基本特性,主要参数、应用及其发展趋势,采用PTC热敏电阻,LM311,电位器等组成一个简单的温度报警装置。实验结果表明,当由PTCR探头所接触的温度经电路转换电量输出一个开关量,如果温度超过预定值,此时的开关即开启,可以根据实际需要,开关可以直接控制声音、灯光报警器,以声音、灯光等形式提醒用户注意。开关也可以连接执行单元,对被测环境进行降温处理,以保证被测环境的温度处于一个相对安全的温度段。本文设计的温度报警装置结构简单,低成本,易投入生产,克服了原来人工测温、浪费人力、物力投入的缺点,提高测量的准确性,及时性。
二、PTC热敏电阻及其发展趋势（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、PTC热敏电阻及其发展趋势（论文提纲范文）
（1）安防摄像头电动云台伺服驱动器的设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景和意义 |
| 1.2 安防摄像头电动云台伺服驱动器研究现状和发展趋势 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.2.3 发展趋势 |
| 1.3 安防摄像头电动云台伺服驱动器简介 |
| 1.3.1 安防摄像头电动伺服云台的组成 |
| 1.3.2 安防摄像头电动云台伺服驱动器的控制方法 |
| 1.3.3 安防摄像头电动云台技术要求 |
| 1.4 课题的来源和论文结构安排 |
| 1.4.1 课题来源 |
| 1.4.2 论文内容及框架 |
| 第2章 安防摄像头电动云台伺服驱动器硬件设计 |
| 2.1 系统硬件总体结构 |
| 2.2 电源电路设计 |
| 2.2.1 EMC及防过流过压拓扑 |
| 2.2.2 母线电压整流及控制电路 |
| 2.2.3 母线电压检测电路 |
| 2.2.4 辅助电源设计 |
| 2.3 主控电路设计 |
| 2.4 通信电路设计 |
| 2.4.1 上位机通信电路 |
| 2.4.2 伺服电机编码器通信 |
| 2.5 逆变功率电路 |
| 2.5.1 数字电隔离 |
| 2.5.2 IGBT桥 |
| 2.5.3 IGBT桥驱动 |
| 2.5.4 纯电阻式伺服电机相电流采样电路 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 伺服云台驱动器主控逻辑设计 |
| 3.1 主控逻辑框架 |
| 3.2 外部信号处理 |
| 3.3 相电流采集 |
| 3.3.1 相电流数字滤波 |
| 3.3.2 相电流中值判断 |
| 3.4 增量式编码器解码 |
| 3.5 单轴工作时基 |
| 3.6 单轴控制逻辑 |
| 3.6.1 电流环 |
| 3.6.2 速度环 |
| 3.6.3 位置环 |
| 3.7 用户脉冲解码 |
| 3.8 FSMC通信 |
| 3.9 双轴伺服系统运动控制逻辑 |
| 3.10 本章小结 |
| 第4章 μC/OSII嵌入式系统设计 |
| 4.1 μC/OSII系统简介 |
| 4.2 μC/OSII系统移植 |
| 4.3 μC/OSII任务设计 |
| 4.3.1 μC/OSII系统中任务框架 |
| 4.3.2 FSMC通信 |
| 4.3.3 电子齿轮比计算 |
| 4.3.4 电源管理 |
| 4.3.5 上位机通信 |
| 4.3.6 双轴伺服系统运行数据管理 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 实验测试与结果分析 |
| 5.1 系统测试平台 |
| 5.1.1 测试框架 |
| 5.1.2 上位机平台 |
| 5.1.3 硬件平台 |
| 5.2 辅助电源测试 |
| 5.3 逆变功率电路测试 |
| 5.4 软件测试 |
| 5.4.1 纯电阻相电流数字滤波测试 |
| 5.4.2 FSMC通信测试 |
| 5.5 系统指标测试 |
| 5.5.2 电流环测试 |
| 5.5.3 速度环测试 |
| 5.5.4 位置环测试 |
| 5.5.5 位置环加负载定位用时测试 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 系统实现与结果分析 |
| 6.1 课题总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（2）钛酸钡系正温度系数热敏电阻无铅化研究及性能优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的基本参数及应用 |
| 1.1.1 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的基本参数 |
| 1.1.2 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的应用 |
| 1.2 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的研究现状及展望 |
| 1.2.1 钛酸钡系正温度系数热敏电阻研究现状 |
| 1.2.2 钛酸钡系正温度系数热敏电阻研究面临的问题及展望 |
| 1.3 本文的选题意义及内容安排 |
| 1.3.1 选题意义 |
| 1.3.2 内容安排 |
| 第二章 钛酸钡系正温度系数热敏电阻基本理论及无铅化机理 |
| 2.1 钛酸钡系正温度系数热敏电阻基本理论 |
| 2.1.1 钛酸钡的材料特性 |
| 2.1.2 钛酸钡系PTCR的理论模型 |
| 2.2 钛酸钡系元件无铅化机理 |
| 2.2.1 铁电相变基本理论 |
| 2.2.2 钛酸钡及钛酸铅相变实验成果及铅替代物特性 |
| 2.2.3 晶界性质在无铅化研究中的重要性 |
| 2.3 小结 |
| 第三章 钛酸钡系正温度系数热敏电阻制备测试与无铅化工艺要求 |
| 3.1 钛酸钡系正温度系数热敏电阻制备工艺 |
| 3.2 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的测试 |
| 3.3 钛酸钡系正温度系数热敏电阻无铅化工艺要求 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的室温电阻调控及晶界模型探讨 |
| 4.1 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的室温电阻调控 |
| 4.2 晶界模型探讨 |
| 4.3 小结 |
| 第五章 钛酸钡系正温度系数热敏电阻无铅化实验研究 |
| 5.1 Y、Ca含量对元件居里温度的影响 |
| 5.1.1 Y对元件居里温度的影响 |
| 5.1.2 Ca对元件居里温度的影响 |
| 5.2 NBT对元件居里温度的影响 |
| 5.2.1 NBT粉体的合成 |
| 5.2.2 含NBT的钛酸钡系元件制备 |
| 5.3 KBT对元件居里温度的影响 |
| 5.3.1 KBT粉体的合成 |
| 5.3.2 KBT添加方式的研究 |
| 5.3.3 添加纯相KBT制备无铅元件 |
| 5.3.4 分开添加K_2CO_3、Bi_2O_3和TiO_2制备无铅元件 |
| 5.3.5 KBT系列无铅元件制备小结 |
| 5.4 KBT与铅共同添加以减小铅用量的实验 |
| 5.5 各种添加剂对元件微观结构的影响 |
| 5.6 小结 |
| 第六章 钛酸钡系正温度系数热敏电阻基本性能优化 |
| 6.1 调整主体配方及烧结工艺对半导化效率的提高 |
| 6.1.1 调整主体配方对半导化效率的提高 |
| 6.1.2 调整烧结工艺对半导化效率的提高 |
| 6.2 高电阻温度系数元件的制备与烧结助剂的作用 |
| 6.2.1 高电阻温度系数元件的制备 |
| 6.2.2 烧结助剂的作用 |
| 6.3 小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（3）施主掺杂和Na0.5Bi0.5TiO3对钛酸钡系PTCR居里温度的影响（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 BaTiO_3基 PTC 的现状及展望 |
| 1.1.1 BaTiO_3系 PTCR 元件现今的研究成果 |
| 1.1.2 PTC 热敏电阻器的发展状况及问题和展望 |
| 1.2 本文的研究内容和文章结构 |
| 1.2.1 本文的研究内容 |
| 1.2.2 文章主题实验部分安排 |
| 第二章 BaTiO_3基 PTCR 基本理论 |
| 2.1 BaTiO_3基 PTCR 元件的晶体结构 |
| 2.1.1 BaTiO_3的晶体结构 |
| 2.1.2 BaTiO_3系半导瓷的晶界特性 |
| 2.2 BaTiO_3半导瓷的半导化机理 |
| 2.2.1 施主掺杂法 |
| 2.2.2 强制还原法 |
| 2.3 BaTiO_3半导瓷 PTC 效应的理论模型 |
| 2.3.1 Heywang-Jonker 表面势垒模型 |
| 2.3.2 钡缺位模型—Daniels 模型 |
| 2.3.3 Desu 的界面析出模型 |
| 2.4 PTC 热敏电阻器的性能参数 |
| 2.5 PTC 热敏电阻器的基本特性及其应用 |
| 2.5.1 电阻-温度特性及应用 |
| 2.5.2 电流-时间特性及应用 |
| 2.5.3 电压-电流特性及应用 |
| 第三章 BaTiO_3基 PTCR 的制备与测试 |
| 3.1 PTC 材料的制备工艺 |
| 3.1.1 原料的选取 |
| 3.1.2 施主掺杂 |
| 3.1.3 材料成型与制备 |
| 3.1.4 烧结工序 |
| 3.1.5 电极制备工序 |
| 3.2 PTCR 的测试系统 |
| 3.2.1 PTCR 元件的阻温测试系统 |
| 3.2.2 PTCR 耐压测试仪 |
| 第四章 施主掺杂对 PTCR 元件半导化的影响 |
| 4.1 Nb_2O_5掺杂对 PTCR 元件半导化和居里温度的影响 |
| 4.2 La_2O_3掺杂对 PTCR 原件半导化和居里温度的影响 |
| 4.3 Y_2O_3掺杂对 PTCR 原件半导化和居里温度的影响 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 BaTiO_3-Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3系 PTC 陶瓷 |
| 5.1 NBT 粉体的制备 |
| 5.2 NBT 添加对 BaTiO_3基 PTCR 原料半导化和居里温度的影响 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（4）低电阻率PTC热敏电阻器的优化研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 国内外 PTC 热敏电阻器的研究现状 |
| 1.2 PTC 电阻材料的发展前景 |
| 1.2.1 PTC 热敏电阻器的发展前景 |
| 1.2.2 国内外 PTC 热敏电阻产品的差距及存在的问题 |
| 1.3 本文的研究内容和文章的结构 |
| 1.3.1 本文的研究内容 |
| 1.3.2 文章的结构安排 |
| 第二章 PTC 热敏电阻元件的特性及应用 |
| 2.1 PTC 热敏电阻器的基本特性 |
| 2.1.1 PTC 热敏电阻器的三大特性 |
| 2.1.2 PTC 热敏电阻器的性能参数 |
| 2.2 PTC 热敏电阻器的应用 |
| 2.2.1 电阻-温度特性的应用 |
| 2.2.2 电流-时间特性的应用 |
| 2.2.3 电压-电流特性的应用 |
| 2.3 小结 |
| 第三章 BaTiO_3半导体陶瓷的 PTC 效应机理 |
| 3.1 BaTiO_3半导瓷的晶体结构及半导化机理 |
| 3.1.1 BaTiO_3半导瓷的晶体结构 |
| 3.1.2 BaTiO_3陶瓷的半导化机理 |
| 3.2 BaTiO_3半导瓷 PTC 效应的理论模型 |
| 3.3 BaTiO_3半导瓷中的各种掺杂 |
| 3.3.1 Mn 的加入对 BaTiO_3半导瓷的 PTC 效应的影响 |
| 3.3.2 Pb、Sr 的加入对 BaTiO_3半导瓷的 PTC 效应的影响 |
| 3.3.3 Ca 的加入对 BaTiO_3半导瓷的 PTC 效应的影响 |
| 3.3.4 Ni 的加入对 BaTiO_3半导瓷的 PTC 效应的影响 |
| 3.3.5 双施主掺杂对 BaTiO_3半导瓷的 PTC 效应的影响 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 BaTiO_3基 PTC 热敏电阻器的制备及测试 |
| 4.1 BaTiO_3基 PTC 热敏电阻器的制备工艺 |
| 4.2 BaTiO_3基 PTC 热敏电阻器的测试 |
| 4.3 小结 |
| 第五章 低电阻率 PTC 热敏电阻器的实验研究 |
| 5.1 低电阻率 PTCR 配方优化研究 |
| 5.1.1 单施主 Y 掺杂量的研究 |
| 5.1.2 Mn 掺杂的研究 |
| 5.1.3 Nb 掺杂量的研究 |
| 5.2 低电阻率 PTCR 工艺优化研究 |
| 5.3 热处理降低 PTCR 阻值的研究 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（5）液相掺杂BaTiO3基PTC陶瓷的制备、微结构与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 摘要 |
| 1.1 常见PTCR热敏材料及主要参数 |
| 1.2 BATIO_3基PTC材料的理论模型 |
| 1.3 BATIO_3基PTC材料的基本组成 |
| 1.4 PTC材料的特性及其应用 |
| 1.4.1 电阻—温度特性(R-T特性) |
| 1.4.2 电压—电流特性(V-I特性) |
| 1.4.3 电流—时间特性(I-T特性) |
| 1.4.4 恒温特性 |
| 1.5 BATIO_3系PTC陶瓷材料的发展及应用前景 |
| 1.5.1 现代功能陶瓷粉体制备的现状 |
| 1.5.2 掺杂方法 |
| 1.5.3 片式叠层化 |
| 1.5.4 前景与展望 |
| 1.6 本课题研究的目的、内容和意义 |
| 第2章 Bi掺杂BaTiO_3基PTC陶瓷的制备、微结构与性能研究 |
| 摘要 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验 |
| 2.2.1 试剂与仪器 |
| 2.2.2 掺杂BaTiO_3纳米晶的制备 |
| 2.2.3 PTC陶瓷的制备 |
| 2.2.4 结构与性能的测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 样品结构与形貌分析 |
| 2.3.2 Bi元素掺杂对钛酸钡陶瓷PTC性能的影响 |
| 2.3.3 烧结条件对材料微观结构及电性能的影响 |
| 2.4 结论 |
| 第3章 Bi、Nb双施主掺杂对钛酸钡基陶瓷性能的影响 |
| 摘要 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验 |
| 3.2.1 试剂和仪器 |
| 3.2.2 掺杂BaTiO_3粉体的制备 |
| 3.2.3 制陶实验 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 双施主Bi、Nb掺杂对材料性能的影响 |
| 3.3.2 样品的XRD分析 |
| 3.3.3 TEM形貌分析 |
| 3.3.4 烧结条件对材料性能的影响 |
| 3.4 结论 |
| 第4章 La、Nb掺杂钛酸钡陶瓷的制备及电性能研究 |
| 摘要 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.2.1 仪器与试剂 |
| 4.2.2 掺杂BaTiO_3纳米晶的制备 |
| 4.2.3 制陶实验 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 粉体结构与形貌分析 |
| 4.3.2 配比优化 |
| 4.3.3 烧结制度对材料性能的影响 |
| 4.4 结论 |
| 第5章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 |
（6）基于PLC的冰箱压缩机PTC启动器寿命测试系统的设计（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 PTC热敏电阻芯片特性及启动器工作原理 |
| 2.1 PTC热敏电阻芯片 |
| 2.1.1 PTC热敏电阻的阻温特性 |
| 2.1.2 PTC启动器动态电流时间特性 |
| 2.2 PTC启动器工作原理 |
| 3 技术指标及控制要求 |
| 3.1 系统技术指标 |
| 系统技术指标如下: |
| 3.2 系统控制要求 |
| 4 系统构成 |
| 4.1 系统硬件构成 |
| 4.2 系统软件设计 |
| 4.3 上位机界面 |
| 5 系统运行分析 |
| 6 结语 |
（7）BaTiO3系热敏电阻器配方与工艺优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 BaTiO_3基PTCR的发展现状与展望 |
| 1.1.1 BaTiO_3系PTCR主要研究成果 |
| 1.1.2 PTC热敏电阻器的发展状况、问题和展望 |
| 1.2 本文的研究内容和文章结构 |
| 1.2.1 本文的研究内容 |
| 1.2.2 文章结构安排 |
| 第二章 BaTiO_3基PTCR基本理论 |
| 2.1 BaTiO_3基PTCR晶体结构及半导化机理 |
| 2.1.1 BaTiO_3基PTCR晶体结构 |
| 2.1.2 BaTiO_3陶瓷的半导化机理 |
| 2.2 BaTiO_3半导瓷PTC效应的理论模型 |
| 2.3 PTC热敏电阻器的基本特性 |
| 2.3.1 PTCR元件的基本特性 |
| 2.3.2 PTC热敏电阻器的性能参数 |
| 2.4 小结 |
| 第三章 BaTiO_3系PTCR的制备与应用 |
| 3.1 PTC材料的制备工艺 |
| 3.2 PTC元件的应用 |
| 3.2.1 电阻—温度特性的应用 |
| 3.2.2 电流—时间特性的应用 |
| 3.2.3 电压—电流特性的应用 |
| 3.3 小结 |
| 第四章 BaTiO_3系PTCR热敏电阻器配方与特定工艺研究 |
| 4.1 PTC热敏电阻中各种添加剂的作用及低电阻率实验研究 |
| 4.1.1 Y对PTCR元件性能的影响 |
| 4.1.2 Mn对PTCR元件性能的影响 |
| 4.1.3 Ca对PTCR元件性能的影响 |
| 4.1.4 Pb、Sr对PTCR元件性能的影响 |
| 4.1.5 Ag对PTCR元件性能的影响 |
| 4.1.6 Cl对PTCR元件性能的影响 |
| 4.1.7 烧结助剂对PTCR元件性能的影响 |
| 4.1.8 关于添加剂作用和降低元件室温电阻的实验研究 |
| 4.2 热处理降低涂覆电极后成品元件室温电阻 |
| 4.2.1 实验安排及测试结果 |
| 4.2.2 降阻处理结果的讨论 |
| 4.3 实验过程中若干工艺条件优化 |
| 4.3.1 烧成时部分阶段升温速率的研究 |
| 4.3.2 烧成保温时间对元件性能的影响 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（8）碳纳米管/聚合物复合材料的热敏电阻特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 碳纳米管概述 |
| 1.1.1 碳纳米管分类 |
| 1.1.2 碳纳米管性能 |
| 1.1.3 碳纳米管的制备 |
| 1.1.4 碳纳米管的应用 |
| 1.2 PTC 材料概述 |
| 1.2.1 PTC 材料分类 |
| 1.2.2 聚合物PTC 材料效应产生机制 |
| 1.2.3 聚合物PTC 材料的应用 |
| 1.2.4 PTC 热敏电阻 |
| 1.3 存在的问题 |
| 1.4 本课题研究的目的和意义 |
| 1.5 本课题研究内容 |
| 第二章 原材料及试验方法 |
| 2.1 实验原料及仪器 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 复合材料和热敏电阻的制备 |
| 2.2.1 碳纳米管/高密度聚乙烯复合材料的制备 |
| 2.2.2 石墨化碳纳米管/聚甲醛复合材料的制备 |
| 2.2.3 热敏电阻的制备 |
| 2.3 测试与表征 |
| 2.3.1 复合材料的显微组织观察 |
| 2.3.2 电学性能测试 |
| 2.3.3 电压电流特性测试 |
| 2.3.4 电流时间特性测试 |
| 第三章 复合材料的电学性能及PTC 效应 |
| 3.1 碳纳米管的微观结构 |
| 3.2 碳纳米管/高密度聚乙烯和碳纳米管/聚甲醛复合材料的微观结构 |
| 3.3 碳纳米管/高密度聚乙烯复合材料的电学性能和PTC 效应 |
| 3.4 碳纳米管/聚甲醛复合材料的电学性能和PTC 效应 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 碳纳米管/高密度聚乙烯复合材料的电压电流特性 |
| 4.1 不同碳纳米管含量下CNT/HDPE 复合材料的电压-电流曲线 |
| 4.2 CNT/HDPE 和CB/HDPE 热敏电阻的电压-电流曲线对比 |
| 4.3 CNT/HDPE 和CB/HDPE 热敏电阻电流-时间曲线的对比 |
| 4.4 不同碳管含量热敏电阻在最高点电压下的电流-时间曲线 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 碳纳米管/聚甲醛复合材料的电压电流特性 |
| 5.1 不同碳纳米管含量的伏安曲线对比 |
| 5.2 与成品热敏电阻的不动作电流对比 |
| 5.3 不同电压激发下的电流时间曲线 |
| 5.4 不同碳纳米管含量CNT/POM 热敏电阻的电流时间曲线 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
| 作者在攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（9）BaTiO3系热敏电阻器配方与工艺优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 BaTi0_3 基PTC 的现状及展望 |
| 1.1.1 BaTi0_3 系PTCR 目前的研究成果 |
| 1.1.2 PTC 热敏电阻器的发展状况及问题和展望 |
| 1.2 本文的研究内容和文章结构 |
| 1.2.1 本文的研究内容 |
| 1.2.2 文章结构安排 |
| 第二章 BaTi0_3基PTCR 基本理论 |
| 2.1 BaTi0_3 基PTCR 晶体结构及半导化机理 |
| 2.1.1 BaTi0_3 基PTCR 晶体结构 |
| 2.1.2 BaTi0_3 陶瓷的半导化机理 |
| 2.2 BaTi0_3 半导瓷PTC 效应的理论模型 |
| 2.3 PTC 热敏电阻器的基本特性 |
| 2.3.1 PTCR 元件的三大特性 |
| 2.3.2 PTC 热敏电阻器的性能参数 |
| 2.4 小结 |
| 第三章 BaTi0_3系PTCR 的制备测试与应用 |
| 3.1 PTC 材料的制备工艺 |
| 3.2 PTCR 的测试系统 |
| 3.2.1 PTCR 阻温测试系统 |
| 3.2.2 PTCR 耐压测试仪 |
| 3.3 PTC 元件的应用 |
| 3.3.1 电阻－温度特性的应用 |
| 3.3.2 电流－时间特性的应用 |
| 3.3.3 电压－电流特性的应用 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 BaTi0_3系PTCR 热敏电阻器配方与特定工艺研究 |
| 4.1 PTC 热敏电阻中各种添加剂的作用及实验研究 |
| 4.1.1 Y 对PTCR 元件性能的影响 |
| 4.1.2 Mn 的加入对PTCR 元件性能的影响 |
| 4.1.3 Ca 的加入对PTCR 元件性能的影响[37] |
| 4.1.4 Pb、Sr 的加入对PTCR 元件性能的影响 |
| 4.1.5 烧结助剂对PTCR 元件性能的影响 |
| 4.1.6 关于上述添加剂作用的实验研究 |
| 4.1.7 对于PTCR 元件半导化的一些讨论 |
| 4.2 含铅PTCR 元件生产过程中铅挥发的抑制 |
| 4.2.1 实验安排及测试结果 |
| 4.2.2 抑制铅挥发的讨论 |
| 4.3 实验过程中若干工艺条件优化 |
| 4.3.1 预烧保温时间的研究 |
| 4.3.2 压片密度对元件性能的影响 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（10）采用PTCR设计温度报警装置（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 国外同类课题研究现状及发展趋势 |
| 1.2 国内同类课题研究现状及发展趋势 |
| 1.3 本论文研究的目的 |
| 1.4 本论文研究的意义 |
| 1.5 本论文的主要内容 |
| 第2章 PTC 温敏电阻及主要元器件的选择 |
| 2.1 温敏元器件概述 |
| 2.2 PTC 温敏电阻 |
| 2.2.1 PTC 理论模型 |
| 2.2.2 PTC 热敏电阻的基本特性 |
| 2.2.3 PTC 热敏电阻的主要参数 |
| 2.2.4 PTC 材料的应用及热敏电阻产品 |
| 2.2.5 PTC 热敏电阻的现状与发展趋势 |
| 2.3 LM311 元器件 |
| 2.3.1 LM311 介绍 |
| 2.3.2 LM311 引脚功能 |
| 2.3.3 LM311 工作原理 |
| 2.4 电位器的选择 |
| 2.4.1 电位器的介绍 |
| 2.4.2 电位器的作用 |
| 2.4.3 电位器的特性 |
| 2.4.4 电位器的分类 |
| 第3章 报警装置的硬件设计 |
| 3.1 报警器的电路设计 |
| 3.2 电路的组成 |
| 3.3 温度报警器电路设计方案一工作原理 |
| 3.4 温度报警器电路设计方案二工作原理 |
| 第4章 实验结果与讨论 |
| 4.1 PTC 热敏电阻的阻值随温度变化的情况 |
| 4.2 PTC 热敏电阻的伏安特性曲线 |
| 4.3 采用PTCR 设计温度报警装置的实验结果与讨论 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
四、PTC热敏电阻及其发展趋势（论文参考文献）
- [1]安防摄像头电动云台伺服驱动器的设计与实现[D]. 傅煌培. 杭州电子科技大学, 2019(01)
- [2]钛酸钡系正温度系数热敏电阻无铅化研究及性能优化[D]. 赵方舟. 西安电子科技大学, 2016(02)
- [3]施主掺杂和Na0.5Bi0.5TiO3对钛酸钡系PTCR居里温度的影响[D]. 郭晨. 西安电子科技大学, 2014(02)
- [4]低电阻率PTC热敏电阻器的优化研究[D]. 车佩佩. 西安电子科技大学, 2013(S2)
- [5]液相掺杂BaTiO3基PTC陶瓷的制备、微结构与性能研究[D]. 潘彬. 河北大学, 2012(08)
- [6]基于PLC的冰箱压缩机PTC启动器寿命测试系统的设计[J]. 章龙,顾江萍,黄跃进,沈希. 压缩机技术, 2012(02)
- [7]BaTiO3系热敏电阻器配方与工艺优化[D]. 刘芳. 西安电子科技大学, 2012(05)
- [8]碳纳米管/聚合物复合材料的热敏电阻特性研究[D]. 卢桂霞. 沈阳建筑大学, 2011(04)
- [9]BaTiO3系热敏电阻器配方与工艺优化[D]. 赵方舟. 西安电子科技大学, 2011(08)
- [10]采用PTCR设计温度报警装置[D]. 吴迪. 黑龙江大学, 2010(07)