输运沉积特性论文-田惠娟,李庆祥,潘明,董宇红

输运沉积特性论文-田惠娟,李庆祥,潘明,董宇红

导读:本文包含了输运沉积特性论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:湍流,溶解氧输运,高Schmidt数,渗透沉积层

输运沉积特性论文文献综述

田惠娟,李庆祥,潘明,董宇红[1](2018)在《具有底部沉积层的槽道湍流中高Schmidt数溶解氧输运特性的大涡模拟研究》一文中研究指出该文采用大涡模拟方法研究了含有好氧细菌沉积层的槽道湍流中溶解氧穿越沉积层-水层交界面的高Schmidt数传质问题,并考虑了可渗透沉积层的各向同性属性和各向异性属性。采用动力学亚格子模型来封闭滤波后的叁维不可压缩Navier-Stokes方程以及溶解氧浓度输运方程。基于壁面摩擦速度定义的Reynolds数为180,Schmidt数为373。修正的Darcy-Brinkman-Forcheimer模型和Monod方程用来描述底部充满好氧细菌的可渗透沉积层。通过流场和浓度场的统计特性如平均和脉动速度及浓度等物理量的研究,探究了不同沉积层参数对动量输运和溶解氧输运的影响。研究结果表明,随着流向达西数的增加或者各向异性程度减弱,对流扩散加快,Sherwood数增加,溶解氧消耗更快。(本文来源于《水动力学研究与进展(A辑)》期刊2018年05期)

杨冬霞,范长胜[2](2015)在《微纳米木粉颗粒的输运和沉积特性分析》一文中研究指出为研究微纳米木粉在分离分级过程中流场和颗粒沉积的特性,依据加工系统结构对木粉的输运管道壁面进行木粉颗粒取样,并在显微镜下观察木粉粒径范围与管道壁上木粉沉积厚度进行比较分析研究。结果表明管道上、下壁面沉积的木粉与粉体颗粒的粒径大小、加工时间、分离粉体的送风量等因素都对颗粒的沉积都起到了重要作用。对微纳米木粉沉积特性的分析为今后加工生产纳米级木粉的输运、沉积和凝并特性的研究提供了重要的参考依据。(本文来源于《环境工程》期刊2015年S1期)

曾亭,吴革明,赵鸿滨,杨萌萌,魏峰[3](2013)在《低压化学气相沉积生长双层石墨烯及其电输运特性研究》一文中研究指出采用低压化学气相沉积法(LPCVD)以铜箔为生长衬底来制备石墨烯。XRD表征得石墨烯生长前后铜箔衬底主要为(100)晶面,而且铜箔在高温下退火晶粒明显长大有利于高质量石墨烯的生长。拉曼光谱表明所制备的石墨烯为双层结构。通过转移、刻蚀等工艺制备了石墨烯场效应晶体管(G-FET)原型器件,其转移特性曲线(IDS-VGS)表明所制备的石墨烯表现为p型输运特性。在器件中石墨烯的XPS图谱说明了石墨烯吸附有有机物基团,导致p型特性的部分原因。同时本文研究了真空退火对G-FET器件性能的影响,结果表明:退火温度为200℃时,G-FET的空穴载流子迁移率最佳;而随着温度增加,开关比(ON-OFF ratio)在不断减小,载流子迁移率迅速在降低。(本文来源于《稀有金属》期刊2013年04期)

陈珊珊[4](2013)在《脉冲激光沉积制备层状钴氧化物薄膜及其输运特性研究》一文中研究指出本论文在多种单晶基片上利用脉冲激光沉积技术外延生长了层状钴氧化物Bi_2Sr_2Co_2O_y、Ca_3Co_4O_9和Na_xCoO_2热电薄膜并研究了其热电输运特性,所得主要结论如下:1)利用脉冲激光沉积技术制备了Bi2Sr2Co2Oy薄膜并研究了沉积温度和氧压对薄膜晶体结构及电输运性能的影响。在最佳沉积条件下得到的薄膜为在ab面和c轴方向完全织构的外延薄膜,其室温和高温热电性能均可以和单晶样品相比拟。2)利用脉冲激光沉积技术制备了Ca3Co4O9薄膜并研究了Fe含量对Ca_3Co_(4-x)Fe_xO_9(x=0、0.05、0.1、0.15)薄膜电学性能的影响。随着Fe含量的增加(x≤0.1),空穴载流子浓度增加,薄膜的电阻率减小;进一步增加铁含量(x>0.1)会导致薄膜晶格发生畸变或富铁的第二相,使载流子散射增强、电阻率升高。因塞贝克系数基本不受铁含量的影响,故少量的Fe替代Co位可以改善Ca_3Co_4O_9薄膜的热电性能。3)利用脉冲激光沉积和离子扩散技术制备了Na_xCoO_2外延薄膜,薄膜的功率因子可以和单晶样品相比拟。在此基础上我们制备了c轴倾斜的Na_xCoO_2外延薄膜并研究了其激光诱导热电压效应。当入射激光波长为308nm时,探测到的开路电压信号灵敏度高达16V/mJ,这表明Na_xCoO_2薄膜不仅在热电器件而且在非制冷光探测器领域均具有重要的应用前景。(本文来源于《河北大学》期刊2013-06-01)

贺文兰,程孝虎,张星,李广,金绍维[5](2012)在《沉积氧压对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3/0.7wt%Nb:SrTiO_3异质结的整流伏安特性及输运性的调控》一文中研究指出采用脉冲激光沉积法在(100)0.7wt%Nb:SrTiO3(NSTO)衬底上制备了La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)/NSTO(100)异质结,仔细研究了原位沉积氧压和真空退火对LSMO/NSTO异质结的结构及其整流伏安特性的调控.X-射线线性扫描和原子力显微镜测量显示,低氧压制备的LSMO/NSTO(100)异质结具有良好的外延结构和平整的表面.电流-电压(I~V)曲线显示,沉积氧压为100mTorr的异质p~n结展现出极好的整流伏安特性;而氧压为240mTorr的异质p~n结平缓增加的电流可解释为异质p~n结在界面处晶格缺陷的增加.作为对比,沉积氧压调控的LSMO/SrTiO3(100)薄膜的输运性也被研究.电阻率结果显示,低氧压制备的LSMO薄膜,其电阻率的增加及金属-半导体转变温度Tp的降低归因于氧空位增加诱导的Mn4+离子减少及MnO6八面体的畸变.(本文来源于《低温物理学报》期刊2012年05期)

刘丽娟[6](2008)在《SiCl_4/H_2为气源沉积多晶硅薄膜的电输运特性的研究》一文中研究指出多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本,在能源信息工业中,日益成为一种非常重要的电子材料,被广泛应用于大规模集成电路和半导体分立器件。高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一代无污染民用太阳能电池。为了进一步了解多晶硅薄膜的光电性能,弄清内部载流子的输运机制,从而更好的服务于应用。我们对用PECVD方法制备的衬底温度300oC,流量SiCl4/H2=8/40sccm,气压80Pa,功率从80到160W不等的条件下制备的多晶硅薄膜的光电性能进行了研究。为完成以上目标,我们从以下几个方面进行了研究。(1)对以SiCl4/H2为气源采用PECVD技术制备的晶化硅薄膜进行了高温下的电导率和激活能的测试并对其低温电输运特性进行了研究。考虑退火的影响,探讨了降温过程中测量的激活能和升温过程中测量的激活能的不同;并对多晶硅薄膜的暗电导随温度的变化进行了测量,从薄膜的暗电导和温度的依赖关系,讨论了不同温度范围内呈现的不同的导电特性;另外我们对导电特性与晶化率的关系作了研究,用电子热发射和电子隧穿对电导的贡献,对不同晶化率薄膜进行了讨论。(2)用空间电荷限制电流理论(Space Charge Limited Current: SCLC)研究了多晶硅薄膜的电流-电压特性。实验结果显示电流完全被准费米能级附近的局域态控制。由步长法和最小二乘法(Linear Least Squares Fit: LSF)计算了费米能级以上的态密度分布,得到多晶硅样品的隙态密度在1016~1017cm-3eV-1的范围内,而隙态密度的具体分布因沉积条件的不同而不同,但相同的是在费米能级处都有一个最小的态密度。(3)基于对不同晶化率本征多晶硅材料光照稳定性的研究,我们对材料光电特性同微结构的关系进行了分析,得到以下结论:晶化率较低的多晶硅( Xc =45%)稳定性好于普通非晶硅材料,但仍然存在着光衰减。晶化率较大的多晶硅材料( Xc =61%和Xc =75%)显示持续性光电导,不存在光衰退现象;光照时电导率增加,光注入后因光生载流子对缺陷态的填充使费米能级上移,从而使激活能减小;另外我们采用两相结构的势垒模型对不同直流偏压下薄膜暗电导随时间而缓慢变化的现象做了一些探讨。(本文来源于《汕头大学》期刊2008-05-31)

金超花[7](2007)在《静电喷雾雾滴输运沉积特性的研究》一文中研究指出本文对静电喷雾雾滴的输运沉积过程进行了初步的理论研究,并主要通过实验研究了一种静电压力喷嘴的雾滴输运沉积特性。实验选择了叁个可变的操作条件:液体压力、液体流量及静电电压。本课题来源于国家发展与改革委员会“高压静电喷洒治蝗车产业化示范工程”项目。1.本文从影响静电喷雾雾滴输运沉积过程的雾化过程、静电场和荷电两相流场的基本理论出发,通过荷电雾滴在输运沉积过程中的受力分析,探索静电喷雾技术的基础理论。2.设计了静电压力雾化器,对其输运沉积特性进行了详细的测定,并将荷电与非荷电情况下的雾滴沉积分布效果进行了对比,考察气动力和静电力对雾滴输运沉积过程的影响。实验发现:(1)随着液体压力、液体流量、静电电压的增加雾滴粒径都变小且分布都会更均匀,电场力会改变液体压力以及液体流量对雾滴粒径的影响规律;(2)静电喷雾的沉积雾化锥角要比普通喷雾大很多,但在静电喷雾的过程中沉积雾化锥角并不会随着静电电压的增加而增加;增加液体压力和液体流量在普通喷雾时均可增加沉积雾化锥角,但在静电喷雾时不会使沉积雾化锥角变大;(3)增加液体压力、液体流量以及静电电压均可增加喷雾雾滴的沉积区域的面积以及有效沉积区域的面积,尤其是增加静电电压,可以明显增加喷雾雾滴的沉积区域面积以及有效沉积区域面积;(4)随着液体压力、液体流量以及静电电压的增加,雾滴沉积密度的分布的不均匀性将增加,其不均匀性的增加程度是液体压力最小、液体流量次之、静电电压最大。(本文来源于《江苏大学》期刊2007-04-01)

王永仓,陈长乐,高国棉,陈钊,李润玲[8](2005)在《脉冲激光沉积La_(1/3)(Ca_(2/3)Sr_(1/3))_(2/3)MnO_3薄膜结构及输运特性的研究》一文中研究指出采用PLD法在LaAlO_3(012)单晶衬底上外延生长了高、双掺杂La_(1/3)(Ca_(2/3)Sr_(1/3))(2/3)MnO_3(LCSMO)薄膜。薄膜的X射线衍射谱表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且具有(012)方向的择优取向;用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面相对比较平坦;在密封的液氮杜瓦瓶里用四探针法对薄膜的输运特性进行了测试,电阻-温度试验曲线表明,在温度77K~400K的范围内薄膜呈现类半导体特性,没有金属-绝缘体转变温度(T_(Ml))出现;薄膜的红外透射谱在606cm~(-1)处有一个很强的吸收峰,由红外透射谱计算出光学能隙E_(opt)大约为0.7eV,薄膜的光学折射率为1.373。分析认为LCSMO薄膜的类半导体特性是由于A离子半径变化引起晶格畸变造成的。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2005年12期)

薛庆忠,章晓中,谈国太[9](2004)在《沉积于硅基片上的非晶碳膜中的电输运特性》一文中研究指出利用PLD方法,在不同温度的Si基片上制备了非晶碳膜。结果表明:沉积温度对非晶碳膜的微结构,电输运特性等具有重要影响。27℃条件下沉积的非晶碳膜具有明显的电压诱导开关特性。并且其开关电压随温度的升高而逐渐减小。而300和500℃条件下沉积的非晶碳膜却具有完全不同的电输运规律。对300℃条件下沉积的非晶碳膜,当测量温度低于190 K时电流随外加电压的增加而线形增加;(本文来源于《2004年中国材料研讨会论文摘要集》期刊2004-11-01)

金进生[10](2003)在《沉积在熔融玻璃基底表面金薄膜的电输运特性》一文中研究指出研究了沉积在熔融玻璃基底表面的金薄膜的电输运特性和阻温特性.实验结果表明,在电流小于50mA情况下,金薄膜在真空中的直流I-V特性与传统的RRN模型计算结果相符合;在电流大于50mA情况下,它与传统薄膜系统的直流I-V特性有很大区别.分析表明,熔融玻璃基底表面的非平整性以及不稳定性是影响此类薄膜特征电阻率的主要原因.此外,在一定条件下,金薄膜的阻温系数在温度为43K附近发生正负值转变.(本文来源于《浙江大学学报(理学版)》期刊2003年04期)

输运沉积特性论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

为研究微纳米木粉在分离分级过程中流场和颗粒沉积的特性,依据加工系统结构对木粉的输运管道壁面进行木粉颗粒取样,并在显微镜下观察木粉粒径范围与管道壁上木粉沉积厚度进行比较分析研究。结果表明管道上、下壁面沉积的木粉与粉体颗粒的粒径大小、加工时间、分离粉体的送风量等因素都对颗粒的沉积都起到了重要作用。对微纳米木粉沉积特性的分析为今后加工生产纳米级木粉的输运、沉积和凝并特性的研究提供了重要的参考依据。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

输运沉积特性论文参考文献

[1].田惠娟,李庆祥,潘明,董宇红.具有底部沉积层的槽道湍流中高Schmidt数溶解氧输运特性的大涡模拟研究[J].水动力学研究与进展(A辑).2018

[2].杨冬霞,范长胜.微纳米木粉颗粒的输运和沉积特性分析[J].环境工程.2015

[3].曾亭,吴革明,赵鸿滨,杨萌萌,魏峰.低压化学气相沉积生长双层石墨烯及其电输运特性研究[J].稀有金属.2013

[4].陈珊珊.脉冲激光沉积制备层状钴氧化物薄膜及其输运特性研究[D].河北大学.2013

[5].贺文兰,程孝虎,张星,李广,金绍维.沉积氧压对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3/0.7wt%Nb:SrTiO_3异质结的整流伏安特性及输运性的调控[J].低温物理学报.2012

[6].刘丽娟.SiCl_4/H_2为气源沉积多晶硅薄膜的电输运特性的研究[D].汕头大学.2008

[7].金超花.静电喷雾雾滴输运沉积特性的研究[D].江苏大学.2007

[8].王永仓,陈长乐,高国棉,陈钊,李润玲.脉冲激光沉积La_(1/3)(Ca_(2/3)Sr_(1/3))_(2/3)MnO_3薄膜结构及输运特性的研究[J].稀有金属材料与工程.2005

[9].薛庆忠,章晓中,谈国太.沉积于硅基片上的非晶碳膜中的电输运特性[C].2004年中国材料研讨会论文摘要集.2004

[10].金进生.沉积在熔融玻璃基底表面金薄膜的电输运特性[J].浙江大学学报(理学版).2003

标签:;  ;  ;  ;  

输运沉积特性论文-田惠娟,李庆祥,潘明,董宇红
下载Doc文档

猜你喜欢