雷博森:真空灭弧室触头磁场结构研究进展论文

雷博森:真空灭弧室触头磁场结构研究进展论文

本文主要研究内容

作者雷博森,程凯,孔春才,杨志懋(2019)在《真空灭弧室触头磁场结构研究进展》一文中研究指出:利用磁场控制电弧运动是目前真空断路器熄灭电弧主要技术手段。本文对真空断路器灭弧室触头结构研究进行综述,包括了触头的特点及其磁场分布,主要包括横磁触头结构与纵磁触头结构,并在此基础上形成的横-纵磁触头结构。此外,对各触头间优缺点做了简单评述,最后提出了目前制约真空断路器电压等级提高的触头磁场问题。

Abstract

li yong ci chang kong zhi dian hu yun dong shi mu qian zhen kong duan lu qi xi mie dian hu zhu yao ji shu shou duan 。ben wen dui zhen kong duan lu qi mie hu shi chu tou jie gou yan jiu jin hang zeng shu ,bao gua le chu tou de te dian ji ji ci chang fen bu ,zhu yao bao gua heng ci chu tou jie gou yu zong ci chu tou jie gou ,bing zai ci ji chu shang xing cheng de heng -zong ci chu tou jie gou 。ci wai ,dui ge chu tou jian you que dian zuo le jian chan ping shu ,zui hou di chu le mu qian zhi yao zhen kong duan lu qi dian ya deng ji di gao de chu tou ci chang wen ti 。

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  • 论文详细介绍

    论文作者分别是来自真空电子技术的雷博森,程凯,孔春才,杨志懋,发表于刊物真空电子技术2019年05期论文,是一篇关于真空断路器论文,触头结构论文,磁场分布论文,真空电子技术2019年05期论文的文章。本文可供学术参考使用,各位学者可以免费参考阅读下载,文章观点不代表本站观点,资料来自真空电子技术2019年05期论文网站,若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权,请联系我们删除。

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