本文主要研究内容
作者廖荣,邓永健,王家驹,赵飞兰,郑若茜,刘慧君,柯嘉聪（2019）在《高介电氧化铪薄膜的制备与性能研究》一文中研究指出：采用磁控溅射法分别在Si片和玻璃片上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD、XPS、紫外可见分光光度计和HP4284A精密LCR测试仪对HfO2薄膜的表面形貌、微观结构、组成成分、光学特性和电学特性进行了分析。得出了以下结论:HfO2薄膜表面较为平坦致密,晶粒大小均匀,晶粒尺寸大部分在10nm～20nm之间;薄膜为多晶结构,O和Hf的原子比接近2:1,且随着氩氧比的增加,O和Hf的原子比呈上升趋势;薄膜在400nm～800nm波长范围内光的透射率都在85%以上,折射率都在2.0以上;漏电流较小,介电常数在16以上。高介电HfO2材料适合代替传统Si O2做栅介质材料。
Abstract
cai yong ci kong jian she fa fen bie zai Sipian he bo li pian shang zhi bei le HfO2bao mo ,bing yong SEM、XRD、XPS、zi wai ke jian fen guang guang du ji he HP4284Ajing mi LCRce shi yi dui HfO2bao mo de biao mian xing mao 、wei guan jie gou 、zu cheng cheng fen 、guang xue te xing he dian xue te xing jin hang le fen xi 。de chu le yi xia jie lun :HfO2bao mo biao mian jiao wei ping tan zhi mi ,jing li da xiao jun yun ,jing li che cun da bu fen zai 10nm～20nmzhi jian ;bao mo wei duo jing jie gou ,Ohe Hfde yuan zi bi jie jin 2:1,ju sui zhao ya yang bi de zeng jia ,Ohe Hfde yuan zi bi cheng shang sheng qu shi ;bao mo zai 400nm～800nmbo chang fan wei nei guang de tou she lv dou zai 85%yi shang ,she she lv dou zai 2.0yi shang ;lou dian liu jiao xiao ,jie dian chang shu zai 16yi shang 。gao jie dian HfO2cai liao kuo ge dai ti chuan tong Si O2zuo shan jie zhi cai liao 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自真空的廖荣,邓永健,王家驹,赵飞兰,郑若茜,刘慧君,柯嘉聪，发表于刊物真空2019年05期论文，是一篇关于薄膜论文,磁控溅射论文,介电常数论文,真空2019年05期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自真空2019年05期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
标签：薄膜论文; 磁控溅射论文; 介电常数论文; 真空2019年05期论文;