导读:本文包含了电压基准论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:带隙基准电压源,高电源抑制比(PSRR),低温度系数,曲率补偿
电压基准论文文献综述
陈昊,张彩珍,王梓淇,王永功[1]（2019）在《一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源》一文中研究指出基于0.13μm CMOS工艺设计了一个高阶曲率补偿带隙基准电压源,该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源抑制比(PSRR)。通过高阶曲率补偿电路得到低温度系数;在该带隙基准电压源的核心电路中,使电流镜管的栅源电压保持恒定值来实现在一定频段下的PSRR增强。利用Cadence工具进行了仿真,并进行了流片验证,测试结果表明,该带隙基准电压源具有恒定的1.2 V基准电压,在-45～165℃内,基准电压的温度系数为3.95×10~(-6)/℃;PSRR在10 kHz下为74.7 dB,在1 MHz下为42 dB;电路启动时间为1.4μs。该设计已应用于高精度嵌入式电源管理芯片的低压差线性稳压器中。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年12期）
张海磊,居水荣,王津飞,刘锡锋[2]（2019）在《一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源》一文中研究指出设计了一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源电路。该基准源电路主要由启动电路、运算放大器、正温度系数(PTAT)电路、负温度系数(CTAT)电路和曲率补偿电路组成。电路中采用MOSFET替代传统双极结型晶体管作为CTAT来源,并在一阶带隙基础上结合高阶曲率补偿技术,以降低温度系数、提高线性度。基于CSMC 0.18μm工艺设计了该带隙基准电压源芯片,并将其应用于一种超低功耗的模数转换器(ADC)中。在完成ADC的流片后对带隙基准电压源单独进行参数测试,结果显示在1.8 V电源电压下,输出电压为559 mV,在-40～130℃内,温度系数为6.47×10~(-6)/℃,电源抑制比为-54.26 dB,总工作电流仅为0.48μA,芯片面积为0.003 7 mm~2。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年12期）
周爽,陈新伟[3]（2019）在《一款应用于物联网芯片的皮安级CMOS电压基准源》一文中研究指出设计了一种应用于物联网芯片的极低功耗电压基准源。由于漏致势垒降低(Drain-Induced Barrier Lowering,DIBL)效应,栅致漏极泄漏(Gate-Induced Drain Leakage, GIDL)效应及栅-漏电容馈通效应的影响,传统的基于MOS管漏电流的皮安级电压基准源虽然可以实现较低的温度系数,但是线性调整率及电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio, PSRR)过低,大大限制了其在具有高电源噪声的物联网芯片中的应用。在传统的双MOS管电压基准源基础上,基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种新型的自稳压五MOS管电压基准源。Spectre仿真结果显示,0～120℃范围内,该自稳压五MOS管电压基准源的平均温度系数为39.2 ppm/℃;电源电压1.0～2.0 V范围内,该电压基准源的线性调整率为33.4 ppm/V;负载电容3 pF情况下,该电压基准的PSRR性能为-9 dB@0.01 Hz及-62 dB@100 Hz。另外,在该0.18μm CMOS工艺下,该电压基准的电流消耗仅为59 pA@27℃,版图面积仅为5 400μm~2。(本文来源于《电子技术应用》期刊2019年11期）
奚冬杰,徐晴昊,罗永波,宣志斌[4]（2019）在《一种无电阻高精度基准电压源》一文中研究指出基于TSMC 0.18μm BCD工艺,设计了一种无电阻高精度基准电压源。利用具有高阶温度系数的电流消除V_(BE)温度系数中的非线性项,对输出基准电压实现高阶补偿。与传统无电阻基准电压源中MOS管工作于亚阈值区不同,电路中的MOS管均工作于强反型区,具有更高的仿真模型精度。仿真结果表明,当温度在-55℃～125℃范围变化时,该基准电压源的温度系数为8.5×10~(-7)/℃。在无滤波电容的情况下,电源抑制比可达-80 dB。当电源电压在2.5～5 V范围变化时,线性调整率小于0.3 mV/V。(本文来源于《微电子学》期刊2019年05期）
都文和,刘睿,程秀娟,杨占宇[5]（2019）在《一种新型温度补偿方式的带隙基准电压源》一文中研究指出设计产生正、负温度系数电压的电路,在传统基准电压源电路的基础上引入新型具有负温度系数电压的补偿电路,使基准的温度系数大大降低。设计基于中芯国际SMIC 0.18μm工艺,仿真结果表明:在工作电压5 V及环境温度27℃下,输出电压为1.3 V;在0～145℃温度变化范围内,温度系数为4.46×10-6/℃。采用二级运放结构,在低频时电源电压抑制比(PSRR)为-73.66 d B;完成了版图设计,版图尺寸为81.44μm×129.47μm。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年10期）
王春凯,孙旭光,李彤,舒心,刘昶[6]（2019）在《抗基准电压波动干扰的阻性传感器阵列扫描电路设计》一文中研究指出提出了一种抗基准电压波动干扰的低复杂度阻性传感器阵列扫描电路,并通过理论分析、电路仿真的方式研究了基准电压波动对不同的阻性传感器阵列扫描电路产生的影响。通过和其他阻性传感器阵列扫描电路比较,本文设计的电路可以有效减小电路中基准电压波动的影响,同时降低电路的复杂度。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2019年08期）
白连龙,Masao,Kuriyama,何洪楷[7]（2019）在《一种3D NAND闪存负温度系数的读电压基准发生器》一文中研究指出由于阈值电压(threshold voltage,VTH)的偏移,3DNAND闪存可靠性很容易受到温度变化的影响,这将进一步恶化读取裕度.为了解决这一问题,本文提出了一种具有负温度系数的读电压基准发生器来补偿阈值电压随温度的变化.本文所提出的具有负温度系数的电压电路通过分别调整负温度系数(complementary to absolute temperature,CTAT)电流和零温度系数(zero to absolute temperature,ZTAT)电流,可输出具有相同负温度系数的不同大小的读电压,并通过调制器(regulator)来提高其输出电压的范围.结果表明,所提出的方法可以提供一个可配置的读电压范围为1.5～4.5V.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2019年07期）
陈光华,陈俊飞,高博[8]（2019）在《一种二次补偿的带隙电压基准》一文中研究指出为了降低带隙基准电压源的温漂系数,设计了一种采用β倍增器电流源和IPTAT2电流源作为二次曲率补偿技术的超低温漂基准电压源。运用SMIC 0.18μm工艺,仿真结果表明,在-40～85℃,该基准电压源的温漂系数为0.336×10-6/℃,大大降低了温度对电压源的影响。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年06期）
王娜,吴唐政,谢亮,金湘亮[9]（2019）在《一种带曲率补偿的电流模式基准电压源》一文中研究指出设计了一种带曲率补偿的电流模式基准电压源。采用CTAT电流补偿技术和高低温分段补偿技术,降低了基准电压的温度系数。采用斩波稳定技术和2阶低通滤波器,减小了失调电压和斩波引起的纹波。后仿真结果表明,在5 V电源电压、-40℃～150℃温度范围的条件下,基准电压源的温度系数为8.39×10~(-7)/℃。Monte Carlo仿真结果表明,使用斩波稳定技术后,该基准电压源的3σ误差由原来的±0.904%降为±0.011%。(本文来源于《微电子学》期刊2019年03期）
邵海龙[10]（2019）在《带隙基准电压的智能电阻自动测试仪设计》一文中研究指出该智能电阻自动测试仪利用STC15F2K60S2单片机采集AD,智能控制多个固态继电器完成电阻档位量程切换,由OLED128×64完成整数、小数点和单位的显示。该系统可以完成常规100、 1.0×10~3、 1.0×10~4、 1.0×10~6Ω四档量程电阻基本测量、电阻自动筛选等功能,且测量精度达到1%以内。该系统快速、精准,可完成自动的筛选与测量,具有广阔的使用范围和很高的使用价值。(本文来源于《武夷学院学报》期刊2019年06期）
电压基准论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
设计了一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源电路。该基准源电路主要由启动电路、运算放大器、正温度系数(PTAT)电路、负温度系数(CTAT)电路和曲率补偿电路组成。电路中采用MOSFET替代传统双极结型晶体管作为CTAT来源,并在一阶带隙基础上结合高阶曲率补偿技术,以降低温度系数、提高线性度。基于CSMC 0.18μm工艺设计了该带隙基准电压源芯片,并将其应用于一种超低功耗的模数转换器(ADC)中。在完成ADC的流片后对带隙基准电压源单独进行参数测试,结果显示在1.8 V电源电压下,输出电压为559 mV,在-40～130℃内,温度系数为6.47×10~(-6)/℃,电源抑制比为-54.26 dB,总工作电流仅为0.48μA,芯片面积为0.003 7 mm~2。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电压基准论文参考文献
[1].陈昊,张彩珍,王梓淇,王永功.一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源[J].半导体技术.2019
[2].张海磊,居水荣,王津飞,刘锡锋.一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源[J].半导体技术.2019
[3].周爽,陈新伟.一款应用于物联网芯片的皮安级CMOS电压基准源[J].电子技术应用.2019
[4].奚冬杰,徐晴昊,罗永波,宣志斌.一种无电阻高精度基准电压源[J].微电子学.2019
[5].都文和,刘睿,程秀娟,杨占宇.一种新型温度补偿方式的带隙基准电压源[J].电子与封装.2019
[6].王春凯,孙旭光,李彤,舒心,刘昶.抗基准电压波动干扰的阻性传感器阵列扫描电路设计[J].传感器与微系统.2019
[7].白连龙,Masao,Kuriyama,何洪楷.一种3DNAND闪存负温度系数的读电压基准发生器[J].微电子学与计算机.2019
[8].陈光华,陈俊飞,高博.一种二次补偿的带隙电压基准[J].电子与封装.2019
[9].王娜,吴唐政,谢亮,金湘亮.一种带曲率补偿的电流模式基准电压源[J].微电子学.2019
[10].邵海龙.带隙基准电压的智能电阻自动测试仪设计[J].武夷学院学报.2019
标签：带隙基准电压源; 高电源抑制比(PSRR); 低温度系数; 曲率补偿;