导读:本文包含了金属有机化学气相外延论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:金属有机化学气相沉积,反应腔体,热壁,喷管
金属有机化学气相外延论文文献综述
李琳,李成明,杨功寿,胡西多,杨少延[1]（2019）在《叁层热壁金属有机化学气相外延流场计算机模拟》一文中研究指出本文对叁层热壁水平流金属有机化学气相沉积(MOCVD)真空反应腔的设计以及最终流场分布都进行了理论模拟。在选择优化喷管排布基础上,在衬底托盘、衬底四周底壁,以及衬底所在区域上壁临近区域范围加热,形成局部热壁外延真空反应腔体。此外,对于真空腔体设计,顶层与底层流动速度,都进行细致研究,确保在材料生长区域的壁面,反应前驱物源气体保持在稳定且无漩涡流动状态,并使反应物主要分布在衬底位置处,有效提高反应物利用率,并避免在腔壁等处发生反应,最后进行热壁MOCVD材料生长,得到厚度分布比较均匀,x射线双晶衍射的半峰全宽(FWHM)为149.8弧度秒,表明生长出质量良好的氮化镓(GaN)薄膜单晶材料。(本文来源于《真空》期刊2019年01期）
任爱光,任晓敏,王琦,熊德平,黄辉[2]（2006）在《低压金属有机化学气相外延生长室热流场的模拟与分析》一文中研究指出本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况,分析了生长室内压力和基座转速对于流场和热场影响,指出了低压金属有机化学气相外延的优点所在。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2006年05期）
王涛,姚键全,张国义[3]（2005）在《金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ)》一文中研究指出(接2005年第9期第699页)3金属有机化学气相沉积外延技术生长以蓝宝石为衬底InGaN/GaN基激光二极管如今,InGaN/GaN基量子阱发光二极管已经商业化,而且InGaN/GaN基量子阱激光二极管已实现连续波室温运转,使用寿命超过10000小时[(本文来源于《物理》期刊2005年10期）
王涛,姚键全,张国义[4]（2005）在《金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)》一文中研究指出文章评论性地介绍了金属有机化学气相外延技术(MOCVD)生长氮化物半导体GaN和InGaN以及激子局域化效应、量子束缚斯塔克效应对它们的光学性能的影响,详细比较了这两种效应对GaN基半导体发光二极管和激光二极管特性的影响,特别是量子束缚斯塔克效应以显着不同的方式影响着发光二极管和激光二极管的性能;文章还讨论了在A面蓝宝石衬底上生长GaN的情况.(本文来源于《物理》期刊2005年09期）
马宏,朱光喜,陈四海,易新建[5]（2004）在《金属有机化学气相外延生长1310nm偏振无关混合应变量子阱半导体光放大器研究》一文中研究指出采用低压金属有机化学气相外延设备进行了 1 3μm压应变量子阱材料、张应变量子阱材料和混合应变量子阱材料的生长研究 .通过x射线双晶衍射和光致发光谱对生长材料进行测试和分析 .基于四个压应变量子阱和叁个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱 ( 4CW3TW)结构有源区 ,并采用 7°斜腔脊型波导结构以有效抑制腔面反射 ,经蒸镀减反膜后 ,半导体光放大器光纤 光纤小信号增益达 2 1 5dB ,在 12 80— 1340nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 6dB .(本文来源于《物理学报》期刊2004年12期）
赵家龙,高瑛,刘学彦,苏锡安,梁家昌[6]（1995）在《金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系》一文中研究指出本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源．(本文来源于《半导体学报》期刊1995年08期）
黎风[7]（1992）在《第一届全国分子束外延(MBE)和第二届全国金属有机化学气相淀和(MOCV)学术讨论会同时在安图县召开》一文中研究指出由中国电子学会主持的第一届MBE学术会议和由中国有色金属学会主持的第二届MOCVD学术会议于1991年8月21日～24日在吉林省长白山麓安图县召开.会议由中国科学院长春物理研究所与半导体研究所共同承办.来自全国13个省市30多个科研单位、高等院校及厂家的代表近200人参加会议;此外,美国CAJON公司及其新加坡分公司、国际上着名的MBE设备生产厂之一,法国的Riber公司都派员参加会议,并在会上分别作了有关产品的性能介绍.(本文来源于《光学学报》期刊1992年07期）
师庆华[8]（1987）在《用金属有机化学气相沉积在Si上外延生长ZnS》一文中研究指出一、引言ZnS 是一种极吸引人的制作光发射器件的材料,它可覆盖从可见到紫外区的波段。然而,就器件的应用而言,材料的高质量外延层是不可缺少的。关于用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长 ZnS 的研究,指出该技术的潜力是生长温度低于其它传统气相外延生长技术,而获得优质外延层。已经采用 GaAs 和 GaP 作 ZnS 外延生长的衬底。(本文来源于《发光快报》期刊1987年01期）
金属有机化学气相外延论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况,分析了生长室内压力和基座转速对于流场和热场影响,指出了低压金属有机化学气相外延的优点所在。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
金属有机化学气相外延论文参考文献
[1].李琳,李成明,杨功寿,胡西多,杨少延.叁层热壁金属有机化学气相外延流场计算机模拟[J].真空.2019
[2].任爱光,任晓敏,王琦,熊德平,黄辉.低压金属有机化学气相外延生长室热流场的模拟与分析[J].材料科学与工程学报.2006
[3].王涛,姚键全,张国义.金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ)[J].物理.2005
[4].王涛,姚键全,张国义.金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)[J].物理.2005
[5].马宏,朱光喜,陈四海,易新建.金属有机化学气相外延生长1310nm偏振无关混合应变量子阱半导体光放大器研究[J].物理学报.2004
[6].赵家龙,高瑛,刘学彦,苏锡安,梁家昌.金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系[J].半导体学报.1995
[7].黎风.第一届全国分子束外延(MBE)和第二届全国金属有机化学气相淀和(MOCV)学术讨论会同时在安图县召开[J].光学学报.1992
[8].师庆华.用金属有机化学气相沉积在Si上外延生长ZnS[J].发光快报.1987
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