导读:本文包含了单刀单掷开关论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:宽带,大功率,单刀双掷,PIN开关
单刀单掷开关论文文献综述
袁琼琨,汪仁波[1]（2019）在《一种宽带大功率单刀双掷开关的国产化设计》一文中研究指出本文在传统并联开关的公共端引入阻抗匹配网络,结合电磁仿真,研制出一种新型的宽带大功率单刀双掷开关。开关的有效带宽从8GHz拓宽到12GHz。通过基于大功率开关失效模式和失效机理的热分析和最小反向偏压分析,给出了既安全又经济的大功率开关设计方案。当反向偏压从4V提高到12V时,开关耐受功率从连续波1.8W提高到10.15W。设计选用国产芯片,实现了元器件的自主可控。研制出的宽带大功率开关在6GHZ～18GHz内小信号下插入损耗小于1.3dB,施加连续波功率10W时插入损耗小于1.5dB。(本文来源于《数字技术与应用》期刊2019年08期）
刘方罡,要志宏[2]（2019）在《一种正电压控制的单片微波集成单刀双掷开关》一文中研究指出设计了一款GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成正电压控制开关。该电路设计采用片上集成隔直电容,对传统负电压控制开关的拓扑结构进行改进。针对PHEMT开关低频(0.1 GHz)下1 dB压缩点输入功率(P_(i(1 dB)))陡降问题进行分析,提出了改进栅极输入阻抗的方法,有效提高了PHEMT开关低频下的P_(i(1 dB))。采用中国电子科技集团公司第十叁研究所0.25μm GaAs PHEMT工艺进行了仿真和流片,芯片的面积为1.0 mm×1.0 mm。测试结果表明,在频率为0.1～4 GHz内,插入损耗小于0.8 dB,隔离度大于42 dB,P_(i(1 dB))大于15 dBm。控制电压为0 V/5 V。该款GaAs PHEMT微波单片集成正电压控制开关设计全部达到了预期性能,并实现了改善低频下的P_(i(1 dB))的目标。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年07期）
肖哲[3]（2019）在《基于MEMS技术的单刀双掷开关与可重构天线阵列的研究》一文中研究指出射频微机电(Radio Frequency Micro-electromechanical Systems,RF MEMS)开关具有尺寸小,重量轻,对加速度不敏感,在微波频率下无直流损耗,并具有高隔离度和低插入损耗等优点,广泛应用于射频系统中。方向图可重构天线可通过改变天线表面电流分布,从而可改变波束辐射方向,实现方向图可重构。在方向图可重构天线中,频率与极化方式应保持稳定不变。将方向图可重构天线运用于天线阵列时,可以通过改变单元的波束方向,使不同单元的波束方向都集中于某个方向而提供更高的阵列增益。本文围绕设计出高性能的MEMS单刀双掷开关并将其应用于方向图可重构天线阵列,针对电容式单刀双掷开关的设计难题,提出了一种新型具有双层电极结构的单刀双掷开关,并将其应用于方向图可重构天线阵列中,仿真和测试结果表明,本文设计的单刀双掷开关的隔离度小于-35dB,插入损耗大于-ldB,达到了优异的性能,可重构天线阵列的扫描角度有±16°的偏转,验证了模型与设计方法的正确性。本文主要研究成果与创新如下。第一,针对如何设计出独有独立电极的MEMS单刀单掷开关的难题,设计出具有特殊迭放电极结构的高性能MEMS开关并进行理论分析。对于本课题研究的电容式MEMS开关而言,迭放电极结构会对原有结构的电路模型造成影响。对于这种特殊结构的高性能的MEMS单刀单掷开关的建模和计算至关重要,本文在原有的模型基础上提出了一种计算方法,解决了这种具有独立电极结构MEMS开关的设计难题,为以后的SPDT设计打下了基础。同时,硅基共面波导上设计MEMS开关的过程中,为了达到预定的电磁电路性能,需要在MEMS开关锚区附近的共面波导地上开槽,形成非连续性结构。非连续性结构的存在,必会对流过信号线的信号造成影响,为了准确设计非连续性结构,这些参数的计算是首要要解决的问题。通过使用保角变换如本文所使用的幂变换以及施瓦茨变化等方法,结合第一类与第二类椭圆积分,解决非连续性地共面波导参数的计算问题。第二,针对如何能使电容式开关在具有独立电极的情况下实现一通一断的功能,设计出具有公共地结构的MEMS单刀双掷开关并进行分析与仿真。现有的射频MEMS单刀双掷开关并联技术是直接在共面波导信号线处并联单刀单掷开关,为了使开关梁下拉,要通过对开关梁加直流驱动电压,由于共面波导结构的限制,此时会导致公共地处电势不等,需要额外搭建空气桥来控制各处的公共地形成等势面,使得开关结构复杂。具有独立电极结构的并联式开关虽然可以对电极加电,不会引起公共地处电势不等的问题,但是由于在Ka波段共面波导的沟道结构很窄,使得容纳的独立电极大小受限制,从而会导致产生的静电力变小而无法使开关梁弯曲下拉。本方法拟设计出具有共地结构的共面波导,相比于传统方法(在CPW信号线上直接并联MEMS单刀单掷开关),该方法所设计的SPDT开关公共地部分连接在一起构成等势面,不需要连接空气桥,信号线与开关梁直接接在在一起。最后,设计出一款具有扫描功能的方向图可重构天线阵列,通过MEMS单刀双掷开关控制能够达到方向图扫描范围在±16°左右,实现可重构功能,进行仿真,测试并验证实验结果。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2019-05-24）
施雨,徐余龙,庞东伟,陈涛,桑磊[4]（2019）在《基于SiGe BiCMOS工艺的90～100 GHz单刀双掷开关》一文中研究指出采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种频带为90～100GHz的差分单刀双掷开关。首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与损耗性能选择了并联结构。其次采用差分螺旋电感进行匹配,将双端口电感网络等效为变压器模型,显着抑制了共模信号。采用平面叁维电磁仿真软件进行联合仿真。结果表明,在中心频点处,差模插入损耗为-4.1dB,共模插入损耗为-7.4dB,隔离度大于-22dB,输入反射系数S_(11)<-12dB,输出反射系数S_(22)<-10dB。芯片尺寸为570μm×140μm。(本文来源于《微电子学》期刊2019年01期）
王璐,胡永军,马建军,汤寅[5]（2018）在《一种高可靠大功率单刀叁掷开关模块设计》一文中研究指出利用叁维电磁仿真工具,选取自主开发的大功率PIN二极管芯片,结合不同结构的管壳进行了仿真,同时考虑了管壳的气密性、腔体内部多余物的控制和引线的牢度等可靠性问题,设计出一种串联式高可靠大功率单刀叁掷开关模块。该模块工作频率小于1 GHz,在150 W连续波输入功率下,带内插损小于0.12 d B,隔离度大于25 d B。(本文来源于《电子与封装》期刊2018年11期）
[6]（2018）在《美国Macom公司新推出GaAs基单刀双掷开关针对电子战和宽带通信系统等应用进行了优化》一文中研究指出近日,美国Macom公司发布新的MASW-011102SPDT非反射开关,扩展了其RF开关技术组合。基于Macom的GaAs基单刀双掷(SPDT MASW)系列开关的既定性能标志,新型MASW-011102针对跨越测试和测量、电子战和宽带通信系统的应用进行了优化。Macom的新型MASW-011102低功耗SPDT非反射型开关支持从直流到(本文来源于《半导体信息》期刊2018年05期）
任乾男,杨非[7]（2018）在《E波段行波式单刀双掷开关的设计》一文中研究指出本文基于70nm GaAs mHEMT工艺设计了一款E波段宽带单刀双掷开关。设计采用行波结构,利用HEMT器件反向偏置时的寄生电容构造等效传输线,实现宽带特性。首先通过对模型的测试得到晶体管的等效电路模型,然后通过对模型电路的计算确定电路参数,最后对电路进行仿真验证并设计版图。仿真结果表明:在60~90GHz频带内,开关的插入损耗小于3dB,隔离度大于35dB,芯片尺寸为1.5mm*1.5mm*0.1mm。(本文来源于《2018年全国微波毫米波会议论文集(上册)》期刊2018-05-06）
朱贵德[8]（2018）在《K波段单刀单掷开关研制》一文中研究指出文中介绍了一种K波段(20GHz~33GHz)宽带单刀单掷开关的设计方法。整个设计过程使用HFSS软件完成,通过提取二极管精确的阻抗参数设计出了K波段宽带单刀单掷开关。最终加工测试开关在20~33GHz频段内差损小于0.8dB,隔离度大于25dB,并且开关时间在2ns左右。(本文来源于《2018年全国微波毫米波会议论文集(下册)》期刊2018-05-06）
韦俞鸿,黄冰,孙晓玮,张润曦,张健[9]（2018）在《基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计》一文中研究指出提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,利用负体偏置技术提高了开关在毫米波波段的性能。设计的单刀双掷开关芯片核心面积为0.35mm×0.16mm。测量结果显示全频段单刀双掷开关在DC~94GHz的插入损耗小于4dB,隔离度大于24dB,而Ka波段通带单刀双掷开关在25~45GHz的插入损耗为2.5~3.2dB,隔离度大于19dB。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2018年04期）
李咸启[10]（2017）在《单刀双掷开关在初中物理电学中的重要作用》一文中研究指出2017年广东省初中物理中考,很多学生说当一看到试卷上作图题中的第3小题,一下子就懵了,没见过单刀双掷开关。近五年广东省物理中考题中,有两次考过家庭电路的作图,一次是2012年声控开关的接线,另一次是2015年插线板的接线。因此不少教师都猜测考查家庭电路的作图,不外乎是插座或开关,而插座的接线方法是"左零右火中接地",开关则接在火线与用电器之间。这些在中考前学生都反复训(本文来源于《广东教育(综合版)》期刊2017年12期）
单刀单掷开关论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
设计了一款GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成正电压控制开关。该电路设计采用片上集成隔直电容,对传统负电压控制开关的拓扑结构进行改进。针对PHEMT开关低频(0.1 GHz)下1 dB压缩点输入功率(P_(i(1 dB)))陡降问题进行分析,提出了改进栅极输入阻抗的方法,有效提高了PHEMT开关低频下的P_(i(1 dB))。采用中国电子科技集团公司第十叁研究所0.25μm GaAs PHEMT工艺进行了仿真和流片,芯片的面积为1.0 mm×1.0 mm。测试结果表明,在频率为0.1～4 GHz内,插入损耗小于0.8 dB,隔离度大于42 dB,P_(i(1 dB))大于15 dBm。控制电压为0 V/5 V。该款GaAs PHEMT微波单片集成正电压控制开关设计全部达到了预期性能,并实现了改善低频下的P_(i(1 dB))的目标。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单刀单掷开关论文参考文献
[1].袁琼琨,汪仁波.一种宽带大功率单刀双掷开关的国产化设计[J].数字技术与应用.2019
[2].刘方罡,要志宏.一种正电压控制的单片微波集成单刀双掷开关[J].半导体技术.2019
[3].肖哲.基于MEMS技术的单刀双掷开关与可重构天线阵列的研究[D].北京邮电大学.2019
[4].施雨,徐余龙,庞东伟,陈涛,桑磊.基于SiGeBiCMOS工艺的90～100GHz单刀双掷开关[J].微电子学.2019
[5].王璐,胡永军,马建军,汤寅.一种高可靠大功率单刀叁掷开关模块设计[J].电子与封装.2018
[6]..美国Macom公司新推出GaAs基单刀双掷开关针对电子战和宽带通信系统等应用进行了优化[J].半导体信息.2018
[7].任乾男,杨非.E波段行波式单刀双掷开关的设计[C].2018年全国微波毫米波会议论文集(上册).2018
[8].朱贵德.K波段单刀单掷开关研制[C].2018年全国微波毫米波会议论文集(下册).2018
[9].韦俞鸿,黄冰,孙晓玮,张润曦,张健.基于45nmSOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计[J].固体电子学研究与进展.2018
[10].李咸启.单刀双掷开关在初中物理电学中的重要作用[J].广东教育(综合版).2017