本文主要研究内容
作者钱盛亚,杨瑞霞,兰飞飞（2019）在《物理气相传输法制备层状MoS2薄膜》一文中研究指出：以化学气相沉积（CVD）方法在蓝宝石衬底上沉积一层较厚的MoS2膜作为前驱体,使用物理气相传输（PVT）方法制备了层状MoS2薄膜。用光学显微镜、扫描电子显微镜、喇曼光谱和光致发光光谱对制备的层状MoS2膜表面形貌、层数、光学特性进行了研究。分析了源和衬底距离对MoS2薄膜沉积的影响,发现距离较近有利于成核概率增大,形成连续膜,但是易引入不稳定因素导致立体生长的MoS2纳米片,同时观察到出现树枝状生长,这是由于前驱体质量过剩引起的部分晶面生长速率过高导致的。喇曼光谱测试表明,薄膜大部分为单层膜和双层膜,有少量的多层膜,膜的光致发光光谱强度与层数有关,单层膜光致发光光谱强度最强。
Abstract
yi hua xue qi xiang chen ji （CVD）fang fa zai lan bao dan chen de shang chen ji yi ceng jiao hou de MoS2mo zuo wei qian qu ti ,shi yong wu li qi xiang chuan shu （PVT）fang fa zhi bei le ceng zhuang MoS2bao mo 。yong guang xue xian wei jing 、sao miao dian zi xian wei jing 、la man guang pu he guang zhi fa guang guang pu dui zhi bei de ceng zhuang MoS2mo biao mian xing mao 、ceng shu 、guang xue te xing jin hang le yan jiu 。fen xi le yuan he chen de ju li dui MoS2bao mo chen ji de ying xiang ,fa xian ju li jiao jin you li yu cheng he gai lv zeng da ,xing cheng lian xu mo ,dan shi yi yin ru bu wen ding yin su dao zhi li ti sheng chang de MoS2na mi pian ,tong shi guan cha dao chu xian shu zhi zhuang sheng chang ,zhe shi you yu qian qu ti zhi liang guo sheng yin qi de bu fen jing mian sheng chang su lv guo gao dao zhi de 。la man guang pu ce shi biao ming ,bao mo da bu fen wei chan ceng mo he shuang ceng mo ,you shao liang de duo ceng mo ,mo de guang zhi fa guang guang pu jiang du yu ceng shu you guan ,chan ceng mo guang zhi fa guang guang pu jiang du zui jiang 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自半导体技术的钱盛亚,杨瑞霞,兰飞飞，发表于刊物半导体技术2019年06期论文，是一篇关于物理气相传输方法论文,蓝宝石衬底论文,表面形貌论文,层状薄膜论文,半导体技术2019年06期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自半导体技术2019年06期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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