导读:本文包含了金属蚀坑论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:铝,焊盘,金属再结晶,金属蚀坑
金属蚀坑论文文献综述
戴敏洁[1]（2009）在《铝刻蚀工艺中金属再结晶与蚀坑的形成改善》一文中研究指出金属铝因为电阻率低、导电性好、易于沉积和刻蚀且成本低廉,在集成电路制造中已被普遍用来作为主要的电学连接材料,特别是广泛用作互连线和焊(锡)盘材料。但由于纯铝作为互连线和焊盘材料时,存在与硅反应形成“尖峰”和抗电迁移性能差的缺点。为了强化铝线的可靠性,现在的半导体制造工艺中大多使用同时含有硅与铜的铝合金靶来进行金属铝层的沉积。比较常用的合金比例是在铝中加入约1%重量百分比的硅以及0.5%重量百分比的铜。然而当这种铝-硅-铜合金经过氯化物溶液的刻蚀后,合金的表面将残留有氯离子、氟离子或是未被真空系统所排除的AlCl_3。这些残留物若没有及时处理就会与空气中的水分子发生反应,形成金属再结晶或是蚀坑等表面缺陷。这些缺陷严重影响铝用作高清晰度硅基液晶微显示器LCOS(Liquid Crystal On Silicon)金属反射薄膜的平坦度及反射率,同时也影响芯片后段封装测试的良率,甚至导致产品的可靠性下降。本文通过光学显微镜,扫描电子显微镜,俄歇电子能谱以及透射电子显微镜对金属再结晶及蚀坑的形态、结构、成分进行了全面的解析;详细阐述了芯片焊盘表面缺陷的形成机理,并通过大量的实验来加以验证;最后针对缺陷的形成条件,通过流片实验,找到了比较有效的四种针对缺陷的改善方式,即增加清洗时间、在金属铝表面形成致密的氧化铝薄膜,调节去离子水的酸碱度以及控制仓库的湿度和晶圆迭放方式。经实验验证,改善后的焊盘表面氟元素含量仅有1.7%,氧化铝的厚度为30～36埃,放置500小时仍不会产生金属再结晶与蚀坑。此外,本文针对这些缺陷形成的理论分析,还发现应用特定湿法清洗工艺后可以在抑制焊盘表面再结晶缺陷的同时,有效避免焊盘腐蚀的问题。这些都对大生产过程中抑制焊盘表面再结晶及金属蚀坑缺陷形成有一定的参考价值。(本文来源于《复旦大学》期刊2009-03-27）
廖乾初,王鸿君,王云,蓝芬兰[2]（1982）在《体心立方金属的蚀坑性质及其晶体位向的定量分析技术》一文中研究指出借助于金相显微镜和扫描电镜,探讨了bcc金属中蚀坑形状和晶粒位向的关系。晶粒的位向采用扫描电镜电子通道花样技术确定,实验结果表示在单位赤面投影叁角形中。采用矢量分析和坐标变换方法,推导了一组描述蚀坑形状和晶粒位向的关系式,并用理论计算数据制成图表。应用这些图表,可以迅速地确定晶粒位向。因为蚀坑形状是以方位角(θ,φ)的连续函数来描述,故晶粒位向的分析结果可直接表示在单位赤面投影叁角形中,且易于确定晶界的变换矩阵。应用本文的蚀坑分析技术,曾对一些冶金问题进行了探讨。(本文来源于《金属学报》期刊1982年06期）
金属蚀坑论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
借助于金相显微镜和扫描电镜,探讨了bcc金属中蚀坑形状和晶粒位向的关系。晶粒的位向采用扫描电镜电子通道花样技术确定,实验结果表示在单位赤面投影叁角形中。采用矢量分析和坐标变换方法,推导了一组描述蚀坑形状和晶粒位向的关系式,并用理论计算数据制成图表。应用这些图表,可以迅速地确定晶粒位向。因为蚀坑形状是以方位角(θ,φ)的连续函数来描述,故晶粒位向的分析结果可直接表示在单位赤面投影叁角形中,且易于确定晶界的变换矩阵。应用本文的蚀坑分析技术,曾对一些冶金问题进行了探讨。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
金属蚀坑论文参考文献
[1].戴敏洁.铝刻蚀工艺中金属再结晶与蚀坑的形成改善[D].复旦大学.2009
[2].廖乾初,王鸿君,王云,蓝芬兰.体心立方金属的蚀坑性质及其晶体位向的定量分析技术[J].金属学报.1982