导读:本文包含了快速瞬态响应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:高速气流,温度传感器,快速响应,热电偶
快速瞬态响应论文文献综述
纳鑫,谢建斌,徐立新,王良璧[1]（2019）在《一种用于高速气流瞬态测温的快速响应热电偶》一文中研究指出为准确测量气体高速流动过程中温度的变化情况,人们对温度传感器的快速响应特性提出了更高的要求.为此,采用直径为30μm的铜丝和康铜丝,利用可控脉冲放电装置焊接制作了T型快速响应热电偶,并测定了热电偶动态响应特性,得到该热电偶时间常数约为40 ms.考虑到热电偶丝对感温结点附近流体状态的影响,以及热电偶的铠装结构对测点附近流场的影响,快速响应热电偶使用新型铠装结构,感温结点裸露,具有更高的可靠性和更好的动态响应特性.(本文来源于《科学通报》期刊2019年31期）
赵法强,罗艺文,汪为,许建平[2]（2019）在《快速瞬态响应交错并联DCM Boost PFC变换器》一文中研究指出分析了实现单位功率因数的四通道交错并联DCM Boost PFC变换器的变占空比控制方法,基于变占空比控制,研究了一种具有快速瞬态响应的改进型变占空比控制方法。改进型变占空比控制交错并联DCM Boost PFC变换器不仅实现了单位功率因数,还具有快速的输入和负载瞬态响应速度。MATLAB/Simulink仿真及试验结果验证了理论分析的正确性。(本文来源于《电工技术》期刊2019年21期）
郑怀仓[3]（2019）在《具有快速瞬态响应的Buck型DC-DC转换器研究与设计》一文中研究指出DC-DC转换器能够根据输入电压和负载电流的变动调节输出电压,具有转换效率高、输入电压范围大、输出电流大等技术优势。大规模集成电路对DC-DC转换器芯片的响应速度要求日益增高,因此,如何设计一款具有快速瞬态响应的DC-DC转换器芯片逐渐成为电子工程师越来越关注的研究内容。理想的DC-DC转换器输出电流与负载电流时刻保持相同,以提供稳定的输出电压。但在实际应用中,由于DC-DC转换器在负载电流变化时的响应时间是有限的,当负载发生跳变时,输出电流滞后负载电流的变化,从而导致输出电压下冲或过冲。如果输出电压变化非常大,则可能导致异常操作或使便携式设备的性能劣化。针对以上问题,提出了一种具有快速瞬态响应的Buck型DC-DC转换器的设计方案。在负载大小改变时,将反馈电压的变化量反馈到振荡器电路,改变此时振荡器频率,根据负载轻重变化调节输出电流的变化斜率,达到快速稳定电路的目的。此外,对Buck转换器电流环路稳定性以及电压环路稳定性做了分析。通过对系统架构的分析,给出了部分模块电路的具体设计方案。该系统由快速瞬态响应电路、驱动电路、软启动电路、输入欠压锁定电路以及恒压恒流切换电路等构成,具有恒定电流输出和恒定电压输出两种不同的工作状态,由切换电路保证了转换的平顺性。设计的DC-DC转换器芯片基于0.18?m BCD工艺。对所设计的具有快速瞬态响应的Buck型DC-DC转换器系统进行仿真和测试,测试结果表明:当芯片的输入电压为12V,负载电流在小于5A的范围内变化时,系统转换效率都在90%以上,尤其当输出电流为0.3A至2A范围内时的转换效率更是高达95%以上,同时负载瞬态响应稳定。(本文来源于《长安大学》期刊2019-04-10）
石旺[4]（2019）在《快速瞬态响应降压变换器的环路研究与设计》一文中研究指出随着消费类电子产品和半导体集成电路的快速发展,电源管理(PM)已经从最初的特种应用普及到人们的日常生活中。在种类繁多的电源管理芯片中,开关电源芯片以其高效率、小体积、高可靠性等优势而被广泛应用于为各种电子系统供电。电流模控制BUCK(降压)变换器因其较宽的输入电压范围、较为简单的补偿方式、较好的瞬态响应特性等优点而成为了应用最为广泛的开关电源芯片之一。本文就基于电流模控制BUCK变换器,从小信号环路建模出发,详细推导了电流模BUCK电流内环及电压外环的传输函数,明确了环路品质因数对二分之一开关频率处双极点的影响以及斜坡补偿量与环路品质因数Q值之间的关系。本文还以电流模环路的增益裕度作为设计Q值的上限,以环路相位裕度作为设计Q值的下限而得到了理论最优品质因数,同时使用simplis软件验证了理论分析的正确性和预见性,从而为自适应斜坡补偿电路的设计提供了理论指导。为了设计一个高性能的BUCK变换器,本文从芯片系统级设计开始,一步步明确芯片外置功率管、片外电容、片外电感、DCR采样网络、频率补偿网络及软启动电容的选取。随后本文还详细说明了快速瞬态响应BUCK变换器中关键子电路的设计原理与设计规则,具体有固定斜坡补偿及振荡器电路,为实现最优Q值控制和快速瞬态响应的自适应斜坡补偿电路,以及优化本芯片因过小的输入输出压差而导致的瞬态出错的I_error瞬态纠错模块。本文使用cadence软件实现了快速瞬态响应BUCK变换器的子电路及环路搭建,并通过电路整体仿真验证了系统的上电逻辑、输出电压纹波、线性调整率、负载调整率、负载瞬态响应时间以及系统转换效率等关键参数。最终使用高精度电源、电子负载、示波器等测试工具验证了BUCK芯片的功能及性能达到了预期目标。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
Ying,Cheng[5]（2018）在《设计要点 具快速瞬态响应和超低EMI辐射的单片式65V、8A降压型稳压器》一文中研究指出引言LT8645S和LT8646S是65V同步降压型单片式稳压器,能支持8A输出。它们的Silent Switcher~? 2架构可实现优异的EMI性能,这与电路板布局无关。LT8646S具有RC外部补偿功能以优化瞬态响应。宽输入范围和高输出电流单片式解决方案当设计用于48V总线系统的降压型转换器时,电源设计师倾向于选择控制器解决方案(外部MOSFET),而非尺寸小得多的单片式稳压器(内部MOSFET),这是因为能够处理这么高输入电压的单片式稳压器寥(本文来源于《电子产品世界》期刊2018年12期）
文常保,郑怀仓,刘雨鑫,崔现锋[6]（2018）在《用于开关DC-DC转换器的快速负载瞬态响应电路》一文中研究指出设计了一种提高固定开关频率DC-DC转换器负载瞬态速度的电路。该电路通过在负载跳变过程中改变开关频率的方式来提高负载瞬态响应速度。在负载电流瞬态变化时,DC-DC输出电压的跳变量通过反馈电压采样和放大后来控制开关频率。负载电流从小到大跳变时开关频率增加,在负载电流从大到小跳变时开关频率降低。整个芯片后仿真结果表明,所设计的电路可以改善负载瞬态响应,在输入电压12 V、输出电压5 V条件下,负载电流由1 A到3 A跳变时,输出电压过冲量降低了26 mV,负载电流由3 A跳变到1 A时,输出电压过冲量降低了52 mV。该电路在一款0. 18μm高压BCD工艺的降压型DC-DC转换器芯片中进行了投片验证,测试结果表明,负载瞬态时,输出电压过冲量减小,增加了系统稳定性。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年11期）
刘智,姜洪雨,梁希,葛梅[7]（2018）在《高精度、快速瞬态响应LDO电路设计》一文中研究指出文章设计实现了一款高精度、快速瞬态响应LDO电路。该设计采用高阶曲率补偿技术,以提高带隙基准电压的温度特性;采用多级熔丝修调技术,以提高基准电压和基准电流精度;采用调整管栅极寄生电荷泄放技术和负载电流泄放技术,以优化LDO快速瞬态响应特性。这里采用0. 6μm Trench SOI CMOS工艺设计、制造。测试结果表明,输出误差小于1%,瞬态响应特性与国外产品相当。(本文来源于《空间电子技术》期刊2018年05期）
王超,姚若河,邝国华[8]（2018）在《一种快速瞬态响应无片外电容LDO》一文中研究指出针对无片外电容LDO,在误差放大器与功率管之间添加缓冲器,采用频率补偿的方法,提高了环路稳定性。通过检测负载瞬态变化引起的误差放大器输出电压变化,增加对功率管栅极电容的充放电电流,提升了系统的快速瞬态响应能力。基于TSMC 0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种输入电压范围为1.92～3.60V、输出电压为1.8V的LDO。结果表明,负载在1μs内从0变化到100mA时,输出最大下冲电压为37.2mV,响应时间为1.12μs;负载在1μs内从100mA变化到0时,输出最大过冲电压为40.1mV,响应时间为1.1μs。(本文来源于《微电子学》期刊2018年05期）
何金[9]（2018）在《基于65nm CMOS工艺快速瞬态响应LDO的设计与实现》一文中研究指出随着电子产业的高速发展,集成电路的规模日益增加,电源管理技术的重要性在电子行业发展中成为一大焦点。低压差线性稳压器(LDO)以自身的优点结构简单、面积小、高电源抑制比和低功耗等,成为纳米工艺VLSI供电的主要方式。目前,超大规模集成电路的电源配电网络(PDN)处于分布式稳压器阶段,LDO成为其核心电路,然而,随着电路规模的越来越大,PDN网络作为LDO的负载,其变化对于LDO输出的稳定性有着非常大的影响,进而影响整个电源管理网络的可靠性。因此,在提高系统稳定性的同时,保证快速的负载瞬态响应成为了LDO设计的重点和难点。本文设计的具有快速响应特性的LDO是基于分布式LDO的PDN可靠性研究国家部委项目背景。分析了LDO电路的基本结构和工作原理,设计了一个具有快速响应特性的LDO电路,包括电压基准电路、误差放大器电路、缓冲器瞬态增强电路、功率调整管以及反馈回路五个电路模块,重点改进了LDO系统的稳定性和瞬态特性。在SMIC 65nm CMOS工艺下,通过仿真验证,设计的电路达到指标要求。在LDO设计中采用了优化的阻抗衰减缓冲器来驱动功率调整管。通过动态偏置并联反馈来降低输出阻抗,增强对功率管栅极的驱动能力,有效提高了LDO的瞬态特性。使用插入优化的阻抗衰减缓冲器,将低频极点分裂为两个高频极点,简化了系统的稳定性补偿方法,增强了LDO系统的稳定性。同时采用电流缓冲器对LDO进行稳定性补偿,使电路在整个负载电流范围内保持稳定。本文设计的LDO增加了瞬态增强电路,对于输出电压的跳变通过瞬态增强电路对功率管栅极充电或者放电,使得输出电压快速稳定下来。采用电流求和结构设计了参考电压为0.8V的基准电压电路,并且增加了抑制电源噪声电路,具有良好的温度系数和较高的电源抑制比。采用折迭式共源共栅放大器对基准电压和采样反馈电压进行压差比较放大。此结构的高增益特性有助于提高LDO的电源抑制比和负载调整率。最后对LDO系统进行版图设计。本文采用cadence工具对LDO进行电路设计,Spectre进行电路模块和系统的仿真,设计的LDO电路基于SMIC 65nm CMOS工艺设计与实现。仿真结果表明,本文设计的快速响应的LDO电路输入电压为1.4V~1.8V,输出电压稳定在1.2V,最大负载电流为100mA,最低压差小于200mV。负载调整率约为0.0099mV/mA。当负载电流100μA和100mA之间切换时,输出电压过冲和下冲幅度在5mV以内,并且能够在5μs以内稳定在0.34%的精度范围,具有良好的瞬态特性和系统稳定性。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2018-09-01）
张文林,张家豪,明鑫,王卓,甄少伟[10]（2018）在《一种低压快速瞬态响应的片上LDO》一文中研究指出提出了一种低输入电压的快速瞬态响应片上低压差线性稳压器(LDO)。采用基于反相器的轨-轨输入运放作为误差放大器(EA)的输入级。EA后级采用大抽灌电流能力的STCB结构。LDO加入了高通耦合结构,实现了低输入电压和全负载范围下的快速瞬态响应。该LDO无需外加偏置网络就能实现自启动。在Dongbu 0.5μm CMOS工艺下,LDO的输入电压为2.2~2.7V,输出电压为2V。仿真结果表明,在负载电容为100pF、压差为200mV的条件下,该LDO可稳定输出0.1~100mA的负载电流,负载在0.5μs范围内切换时的电压尖峰在310mV以内。(本文来源于《微电子学》期刊2018年03期）
快速瞬态响应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
分析了实现单位功率因数的四通道交错并联DCM Boost PFC变换器的变占空比控制方法,基于变占空比控制,研究了一种具有快速瞬态响应的改进型变占空比控制方法。改进型变占空比控制交错并联DCM Boost PFC变换器不仅实现了单位功率因数,还具有快速的输入和负载瞬态响应速度。MATLAB/Simulink仿真及试验结果验证了理论分析的正确性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
快速瞬态响应论文参考文献
[1].纳鑫,谢建斌,徐立新,王良璧.一种用于高速气流瞬态测温的快速响应热电偶[J].科学通报.2019
[2].赵法强,罗艺文,汪为,许建平.快速瞬态响应交错并联DCMBoostPFC变换器[J].电工技术.2019
[3].郑怀仓.具有快速瞬态响应的Buck型DC-DC转换器研究与设计[D].长安大学.2019
[4].石旺.快速瞬态响应降压变换器的环路研究与设计[D].电子科技大学.2019
[5].Ying,Cheng.设计要点具快速瞬态响应和超低EMI辐射的单片式65V、8A降压型稳压器[J].电子产品世界.2018
[6].文常保,郑怀仓,刘雨鑫,崔现锋.用于开关DC-DC转换器的快速负载瞬态响应电路[J].半导体技术.2018
[7].刘智,姜洪雨,梁希,葛梅.高精度、快速瞬态响应LDO电路设计[J].空间电子技术.2018
[8].王超,姚若河,邝国华.一种快速瞬态响应无片外电容LDO[J].微电子学.2018
[9].何金.基于65nmCMOS工艺快速瞬态响应LDO的设计与实现[D].西安电子科技大学.2018
[10].张文林,张家豪,明鑫,王卓,甄少伟.一种低压快速瞬态响应的片上LDO[J].微电子学.2018