导读:本文包含了失效定位论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:锂离子电池管理芯片,失效,比较器,功耗
失效定位论文文献综述
廉鹏飞,张辉,祝伟明,莫艳图,蒋坤[1]（2019）在《一种锂离子电池管理芯片的失效定位》一文中研究指出针对一种锂离子电池管理芯片的失效定位进行了研究。某单机在测试时由于锂离子电池管理芯片失效,导致所采集的电压数据间歇异常跳变。经一致性分析,发现失效锂离子电池管理芯片老炼后的转换功耗和回读功耗与同批次芯片相比异常增加。通过微光分析和版图对比,发现失效芯片中菊花链电流比较器的NMOS管存在漏电缺陷。对比较器工作原理进行进一步分析,并分析了SCLK接口和CNVST接口的翻转阈值与功耗变化量之间的关系,确认了芯片失效是由于NMOS管漏电所导致,且通过电老炼可以暴露NMOS管的漏电缺陷。最后,针对器件功耗变化量与内部NMOS管漏电之间的关系进行了仿真和计算,定量验证了锂离子电池管理芯片老炼后功耗的增加是由于比较器NMOS管漏电引起的。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年12期）
龚瑜,黄彩清,吴凌,游俊[2]（2018）在《IPM智能功率模块故障测试及失效定位》一文中研究指出随着了工业制造水平的发展,IPM的生产技术得到了极大的发展,器件的可靠性问题将是未来研究面临的新挑战。针对国内外近年来在智能功率模块失效分析方面的主要研究内容,综述了智能功率模块应用失效的测试方法以及失效定位技术,总结了连续性失效、绝缘性失效、HVIC故障、IGBT故障和NTC故障的测试方法,并分析了这些器件故障可能的失效原因。最终总结了通过测试方法进行快速IPM失效的故障定位方法(本文来源于《中国集成电路》期刊2018年10期）
陈选龙,杨妙林,李洁森,刘丽媛,黄文锋[3]（2018）在《集成电路氧化层失效定位技术研究》一文中研究指出介绍了一种针对集成电路氧化层失效的定位和分析技术。采用光发射显微镜、光致电阻变化技术,对比出电路中不同的发光机构或电阻变化点。结合电路故障假设法和版图分析,对氧化层失效位置进行定位。最终,采用制样和物理分析方法,找到失效原因。案例分析表明,该方法精确、快速,可应用于CMOS集成电路的栅氧化层、双极集成电路的MOS电容氧化层、GaAs集成电路的MIM电容的失效定位,减少了后续FIB或RIE等物理分析方法的工作量,提高了失效分析的成功率。(本文来源于《微电子学》期刊2018年04期）
李含,郑宏宇,张崤君[4]（2017）在《高密度陶瓷倒装焊封装可靠性试验开路后的失效定位》一文中研究指出陶瓷材料具有优良的综合特性,被广泛应用于高可靠微电子封装。陶瓷倒装焊封装的特殊结构使得对其进行失效分析相较其他传统封装形式更为困难。针对一款在可靠性试验中发生开路的高密度陶瓷倒装焊封装器件,制定了一套从非破坏性到破坏性的试验方案对其进行分析。通过时域反射计(TDR)测试排除了基板内部失效的可能性,通过X射线(X-ray)检测、超声扫描显微镜(SAM)和光学显微分析初步断定失效位置,并最终通过扫描电子显微镜和X射线能谱仪实现了对该器件的准确的失效定位,确定失效位置为基板端镀Ni层。该失效分析方法对其他陶瓷倒装焊封装的失效检测及分析有一定的借鉴意义。(本文来源于《半导体技术》期刊2017年09期）
虞勇坚,邹巧云,吕栋,陆坚[5]（2017）在《协同分析在集成电路失效定位中的应用探讨》一文中研究指出随着集成电路规模和制造工艺的发展,对失效电路进行失效点定位的难度也越来越大,单独依靠一种分析方法很难实现失效点定位。利用先进分析仪器设备,采用多种方法协同分析,成为针对大规模集成电路失效定位分析的必然选择。从有效实现失效定位为出发点,根据失效分析的标准和流程,将定位分析过程和设备仪器划分成叁个层次,结合在各分析阶段发现的失效案例,说明多种分析方式协同使用可以实现大规模集成电路失效点的快速、准确定位,分析过程中获取的信息可以为后续的失效机理和失效原因分析提供可靠依据。(本文来源于《电子与封装》期刊2017年08期）
陈选龙,陈航,刘丽媛,蔡金宝[6]（2015）在《PEM/OBIRCH用于集成电路漏电流失效定位》一文中研究指出漏电流增大是集成电路的主要失效表现,通过光发射显微镜(PEM)和光束感生电阻变化(OBIRCH)技术互补地结合使用,对集成电路中常见的PN结漏电、介质层绝缘性降低、间接漏电流失效和芯片的背面分析案例进行研究,分析由过电应力、金属化桥连、静电放电损伤导致漏电的定位特性。得出以下结论:根据光发射显微镜得到的缺陷形貌和位置可以断定是否为原始失效或间接失效,结合电路分析进而可以解释发光的原因;OBIRCH对原始缺陷的定位更为准确,多层结构的背面OBIRCH分析更有优势。(本文来源于《失效分析与预防》期刊2015年06期）
陈选龙,刘丽媛,孙哲,李庆飒[7]（2015）在《OBIRCH用于集成电路短路的背面失效定位》一文中研究指出基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位。详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精密研磨、抛光等先进制样手段对失效样品进行开封、芯片背面减薄。采用OBIRCH方法从芯片背面进行激光成像,成功对0.18μm工艺6层金属化布线的集成电路gg NMOS结构保护网络二次击穿和PMOS电容栅氧化层损伤进行了失效定位,并对背面定位图像和正面定位图像、In Ga As CCD成像进行了对比分析。结果表明,In Ga As CCD成像模糊并无法定位,OBIRCH背面定位成像比正面成像清楚,可以精确定位并观察到缺陷点。因此,OBIRCH技术用于集成电路短路的背面失效定位是准确的,可解决多层结构的正面定位难题。(本文来源于《半导体技术》期刊2015年11期）
钟强华,秋艳鹏,王立[8]（2013）在《6T-SRAM共享接触孔失效定位的分析方法》一文中研究指出6T静态随机存储器(SRAM)在新的集成电路技术节点被广泛用于制造工艺的研发。随着集成电路制造工艺技术节点微缩进入100 nm线宽以下,SRAM存储单元的主流设计使用了新的布局以降低光刻制造技术的难度,新的布局引入了共享接触孔(shared CT)的新结构,同时也带来了新的失效机制。系统地分析了共享接触孔带来的失效问题,并采用电性分析和传统失效分析相结合的新方法,准确定位了在共享接触孔与SRAM中另一反相器栅极之间存在的新的高阻失效,而这类高阻失效无法通过传统失效分析方法精确定位。对失效物理地址进行的切片检验证实了这种高阻失效,因此也证明了新的分析方法是有效的。(本文来源于《半导体技术》期刊2013年10期）
刘迪[9]（2013）在《半导体器件失效机理与先进失效定位技术的研究与应用》一文中研究指出失效分析技术是研究电子元器件产品失效机理、提高产品良率和可靠性的重要手段。随着现代半导体制造技术从深亚微米时代进入纳米时代,开展失效分析的难度越来越大,必须借助更加先进、精确的设备与技术,辅以合理的失效分析步骤,才能提高失效分析的成功率。失效定位是失效分析中的关键环节,快速准确地进行失效定位是揭示失效机理的基础,先进的失效定位技术是失效分析的利器。本论文利用光发射显微镜(EMMI)、激光光束诱导阻抗变化测试(OBIRCH)及先进的激励源诱导故障测试(SIFT)等失效定位技术,结合扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)及反应离子刻蚀(RIE)等微结构分析和样品处理手段,对相关器件和电路进行失效分析,研究其失效模式与失效机理,并结合实际案例给出最佳的失效分析方案。本论文首先从分析器件的失效模式和失效机理两方面着手进行研究。就失效模式而言,半导体器件主要的失效模式包括漏电、短路、开路、参数漂移及功能失效；就失效机理而言,典型的失效机理包括静电放电(ESD)、过电应力(EOS)、工艺缺陷及封装缺陷等。结合失效案例,分别对每一种失效机理进行了深入研究,总结了失效模式与失效机理的对应关系。其次,本论文以失效分析技术的流程为主线,研究了失效分析过程中重要的分析手段与仪器,包括X-Ray、C-SAM等无损检测手段、EMMI、OBIRCH等电性能失效分技术及SEM、FIB等物理失效分析技术,着重研究了SIFT这一最先进的失效定位技术的应用。利用SIFT技术对不同样品进行了nA级漏电流、欧姆短路、金属互连缺陷等失效点的定位,并借助SEM、FIB等微分析手段对失效机理进行了研究。实验结果表明,SIFT技术精确度高,适用范围更广泛,可以弥补常规失效定位技术的不足。最后,本论文基于绝缘体上硅(SOI)电路和器件的可靠性筛选试验,对老炼筛选试验、高温贮存试验、恒定加速度筛选试验所剔除的失效样品进行了失效分析,研究其失效模式,揭示其失效机理。通过对失效机理的研究,详细分析了影响SOI电路和器件可靠性的因素,并结合设计、工艺及原材料等环节提出了对策和改进措施,达到提高可靠性的目的。经过大量的失效分析工作,最终提炼出了针对SOI电路更科学有效的失效分析方法。(本文来源于《江南大学》期刊2013-03-01）
翁璐,孙晓君,胡冬,谢劲松[10]（2010）在《无线传感器网络的运行失效定位案例研究》一文中研究指出电子产品在运行过程中的随机性失效是产品失效的一种常见形式。本文以一个无线网络系统为案例,总结了该系统出现的失效模式,借鉴前期研究的分析流程,采用分环节、限定输入考察输出的方法,定量地分析了各环节的自身影响及对系统整体输出的贡献,最终实现了产品的失效定位。同时,通过对这一案例的研究,初步建立了针对电子产品随机性失效进行失效定位的方法和流程。(本文来源于《电信科学》期刊2010年S2期）
失效定位论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着了工业制造水平的发展,IPM的生产技术得到了极大的发展,器件的可靠性问题将是未来研究面临的新挑战。针对国内外近年来在智能功率模块失效分析方面的主要研究内容,综述了智能功率模块应用失效的测试方法以及失效定位技术,总结了连续性失效、绝缘性失效、HVIC故障、IGBT故障和NTC故障的测试方法,并分析了这些器件故障可能的失效原因。最终总结了通过测试方法进行快速IPM失效的故障定位方法
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
失效定位论文参考文献
[1].廉鹏飞,张辉,祝伟明,莫艳图,蒋坤.一种锂离子电池管理芯片的失效定位[J].半导体技术.2019
[2].龚瑜,黄彩清,吴凌,游俊.IPM智能功率模块故障测试及失效定位[J].中国集成电路.2018
[3].陈选龙,杨妙林,李洁森,刘丽媛,黄文锋.集成电路氧化层失效定位技术研究[J].微电子学.2018
[4].李含,郑宏宇,张崤君.高密度陶瓷倒装焊封装可靠性试验开路后的失效定位[J].半导体技术.2017
[5].虞勇坚,邹巧云,吕栋,陆坚.协同分析在集成电路失效定位中的应用探讨[J].电子与封装.2017
[6].陈选龙,陈航,刘丽媛,蔡金宝.PEM/OBIRCH用于集成电路漏电流失效定位[J].失效分析与预防.2015
[7].陈选龙,刘丽媛,孙哲,李庆飒.OBIRCH用于集成电路短路的背面失效定位[J].半导体技术.2015
[8].钟强华,秋艳鹏,王立.6T-SRAM共享接触孔失效定位的分析方法[J].半导体技术.2013
[9].刘迪.半导体器件失效机理与先进失效定位技术的研究与应用[D].江南大学.2013
[10].翁璐,孙晓君,胡冬,谢劲松.无线传感器网络的运行失效定位案例研究[J].电信科学.2010