导读:本文包含了高温超导薄膜材料论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:SrTiO3双晶,超导电子学,YBCO薄膜,衬底材料
高温超导薄膜材料论文文献综述
徐晓冬,邾根祥[1]（2009）在《高温超导薄膜衬底材料-SrTiO_3双晶的研究》一文中研究指出SrTiO3双晶基片是高温超导电子学研究中外延YBCO薄膜所需要的基础材料;是制作高温超导量子干涉器件(SQUID)的核心。由于其特殊的制造工艺,加之研究因素所附加的高昂成本,至今只有少数国家涉足这一领域。文中展示作者在钛酸锶双晶研究方面所取得的阶段性进展。(本文来源于《低温与超导》期刊2009年09期）
陈东[2]（2005）在《新材料:3英寸YBCO高温超导双面薄膜》一文中研究指出据悉,我国有关研究机构日前研制成功一种具有国际先进水平的新材料。该材料与传统使用的Au、Ag、Cu等比较,微波表面电阻低两个数量级,所研制的微波无源器件插损可降低一个数量级,从而大幅度提高信息(本文来源于《功能材料信息》期刊2005年01期）
张连翰,孙敦陆,钱小波,杭寅[3]（2002）在《高温超导薄膜衬底材料LaAlO_3单晶的超光滑表面抛光研究》一文中研究指出本文以化学机械抛光为手段 ,以原子力显微镜 (AFM)为工具 ,对高温超导薄膜衬底材料LaAlO3 单晶的超光滑表面抛光进行研究。既观察到了由传统光学表面向超光滑表面过渡的过程 ,又观察到了超光滑表面加工的结果—表面的本征化。显示了超光滑表面抛光对外延衬底表面的重要性(本文来源于《人工晶体学报》期刊2002年02期）
程建邦,赵玉珍,黄锡成,赵柏儒[4]（1989）在《高温超导薄膜材料的非破坏组份测定》一文中研究指出本文叙述二种用于测定沉积在钛酸锶基片上的超导薄膜组份的方法:(1)多标法,用一组纸片标准样品,解一组方程,(2)基本参数法,只需一个纸片标样.二法均简便易行,标准试样容易制作.测定时不必破坏试样.此法不但适用于钇系超导薄膜组份的测定,本法原理亦适用于铋系,铊系等其他体系的超导薄膜组份测定,并能快速地配合科研与生产.(本文来源于《低温物理学报》期刊1989年05期）
盛柏桢[5]（1989）在《富士通开发成功高温超导材料——BiSrCaCuO的单晶薄膜生长技术》一文中研究指出据日本电子材料杂志1988年第6期报道,日本富土通研究所现已首先开发成功具有最高临界温度高温超导材料的BiSrCaCuO系的单晶薄膜形成技术。 到目前为止,高温超导材料的薄膜形成技术,采用高频溅射蒸发、电子束蒸发、分子束蒸发等方法,都存在1μm左右大小的结晶晶粒边界(一种单晶块)。该公司把卤素化合物用于源材料,采用汽相生长装置,在825℃加热的MgO单晶衬底上,用10nm/min的生长速度生长厚度为0.3μm的BiSrCaCuO。由于能形成均匀的单晶薄膜,正在向微细加工和器件集(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1989年01期）
高温超导薄膜材料论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
据悉,我国有关研究机构日前研制成功一种具有国际先进水平的新材料。该材料与传统使用的Au、Ag、Cu等比较,微波表面电阻低两个数量级,所研制的微波无源器件插损可降低一个数量级,从而大幅度提高信息
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高温超导薄膜材料论文参考文献
[1].徐晓冬,邾根祥.高温超导薄膜衬底材料-SrTiO_3双晶的研究[J].低温与超导.2009
[2].陈东.新材料:3英寸YBCO高温超导双面薄膜[J].功能材料信息.2005
[3].张连翰,孙敦陆,钱小波,杭寅.高温超导薄膜衬底材料LaAlO_3单晶的超光滑表面抛光研究[J].人工晶体学报.2002
[4].程建邦,赵玉珍,黄锡成,赵柏儒.高温超导薄膜材料的非破坏组份测定[J].低温物理学报.1989
[5].盛柏桢.富士通开发成功高温超导材料——BiSrCaCuO的单晶薄膜生长技术[J].固体电子学研究与进展.1989