本文主要研究内容
作者赵婷婷,薛剑鸣,王威,郝凌云,陈相均,张昕曜,支国伟（2019）在《退火温度对溶胶-凝胶法制备的AZO薄膜性能影响的研究》一文中研究指出：以溶胶-凝胶法制备Al掺杂的ZnO（AZO）薄膜。为了提高薄膜的结晶性,在氩气气氛中将所制备的薄膜分别在400℃、500℃和550℃温度下退火处理,研究不同退火温度对薄膜样品形貌和性能的影响。结果表明,所制备的AZO薄膜为六角纤锌矿结构,有很明显的c轴择优取向;随着退火温度增加,薄膜的结晶性与电导率均先增加后减小,其在可见光区域的平均透过率约为85%。当退火温度为500℃时,制备的AZO薄膜性能最佳,其品质因素可以达到2 051.04Ω-1·cm-1。
Abstract
yi rong jiao -ning jiao fa zhi bei Alcan za de ZnO（AZO）bao mo 。wei le di gao bao mo de jie jing xing ,zai ya qi qi fen zhong jiang suo zhi bei de bao mo fen bie zai 400℃、500℃he 550℃wen du xia tui huo chu li ,yan jiu bu tong tui huo wen du dui bao mo yang pin xing mao he xing neng de ying xiang 。jie guo biao ming ,suo zhi bei de AZObao mo wei liu jiao qian xin kuang jie gou ,you hen ming xian de czhou ze you qu xiang ;sui zhao tui huo wen du zeng jia ,bao mo de jie jing xing yu dian dao lv jun xian zeng jia hou jian xiao ,ji zai ke jian guang ou yu de ping jun tou guo lv yao wei 85%。dang tui huo wen du wei 500℃shi ,zhi bei de AZObao mo xing neng zui jia ,ji pin zhi yin su ke yi da dao 2 051.04Ω-1·cm-1。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自电子器件的赵婷婷,薛剑鸣,王威,郝凌云,陈相均,张昕曜,支国伟，发表于刊物电子器件2019年01期论文，是一篇关于半导体材料论文,薄膜论文,溶胶凝胶法论文,退火温度论文,电子器件2019年01期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自电子器件2019年01期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
标签：半导体材料论文; 薄膜论文; 溶胶凝胶法论文; 退火温度论文; 电子器件2019年01期论文;