导读:本文包含了互补金属氧化物硅论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:金属氧化物半导体场效应晶体管,60Co,γ辐照,辐射损伤,数值仿真
互补金属氧化物硅论文文献综述
马武英,姚志斌,何宝平,王祖军,刘敏波[1]（2018）在《65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制》一文中研究指出对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.(本文来源于《物理学报》期刊2018年14期）
刘虎林,王兴,田进寿,赛小锋,韦永林[2]（2018）在《高分辨紫外电子轰击互补金属氧化物半导体器件的实验研究》一文中研究指出基于真空紫外光电阴极和背照式互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器研制了紫外光响应的电子轰击CMOS(EBCMOS)器件,实现了EBCMOS器件在40 mlx光照度环境下的高分辨探测,电子图像灰度随电子能量的变化呈现出极好的线性关系.对器件成像分辨率测试的结果表明,在电场强度为5000 V/mm时,器件的空间分辨率可以达到25 lp/mm,与国际相关报道水平相当.研制的EBCMOS器件可直接在紫外弱光探测领域应用,如天文观察、高能物理、遥感测绘等,同时也可为下一步研制可见光和近红外敏感的EBCMOS器件提供参考.(本文来源于《物理学报》期刊2018年01期）
杨洁,黄海深,李阳军[3]（2016）在《基于互补金属氧化物半导体的高精度地沟油检测计》一文中研究指出利用地沟油与正常食用油的导电率不同导致单位体积电阻不同,提出一种基于互补金属氧化物半导体工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)的线性检测模块。由于使用直接选择与短接到地的方法实现电阻串分压,使得分压线性度更高。在脉冲计数的作用下,电阻分压通过与参考电压相比较可以得到不同的高电平数,不仅可以区分地沟油与正常食用油,还可以得出正常油掺入地沟油的质量分数。在检测计核心电路设计方面,由于采用CMOS工艺设计,所以可以实现低面积和低功耗的检测。(本文来源于《食品与机械》期刊2016年09期）
[4]（2016）在《欧盟启动“洞察力”项目开发互补金属氧化物半导体技术》一文中研究指出未来的雷达成像系统和5G通信系统在高频率工作时将具有更高的分辨率和更高的数据传输速率,但同时会增加功率消耗。为了降低功耗,提高性能和降低成本,欧洲启动"洞察力"(INSIGHT)项目(下一代高性能CMOS SoC技术的Ⅲ -Ⅴ族半导体纳米线集成)旨在开发Ⅲ -Ⅴ族CMOS(互补金属氧化物半导体)技术。该项目的参研单位包括德国应用固体物理研究所(IAF)、(本文来源于《中国粉体工业》期刊2016年02期）
郑齐文,崔江维,王汉宁,周航,余徳昭[5]（2016）在《超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应》一文中研究指出对0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明:在相同累积剂量,SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤,并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤.虽然NMOSFET低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤,但室温退火后,高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤.研究结果表明0.18μm CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应.利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型.(本文来源于《物理学报》期刊2016年07期）
王帆,李豫东,郭旗,汪波,张兴尧[6]（2016）在《基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究》一文中研究指出对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 krad(Si),剂量率为50 rad(Si)/s.实验结果发现随着辐照总剂量的增加,器件的满阱容量下降并且暗电流显着增加.其中辐照使得传输门沟道掺杂分布发生改变是满阱容量下降的主要原因,而暗电流退化则主要来自于浅槽隔离界面缺陷产生电流和传输门-光电二极管交迭区产生电流.实验还表明样品器件的转换增益在辐照前后未发生明显变化,并且与3晶体管像素结构不同,4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器没有显着的总剂量辐照偏置效应.(本文来源于《物理学报》期刊2016年02期）
赵星,梅博,毕津顺,郑中山,高林春[7]（2015）在《0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究》一文中研究指出利用脉冲激光入射技术研究100级0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应,分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响.实验结果表明,单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关,当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件,得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps;当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件,得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps.激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄;靠近输入则得到的瞬态波形较宽,单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽.入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响.通过理论分析得到,部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因.而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲,是输出节点电容充放电的结果.(本文来源于《物理学报》期刊2015年13期）
汪波,李豫东,郭旗,刘昌举,文林[8]（2015）在《质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究》一文中研究指出对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me V质子辐射试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明,随着辐射注量的增加暗信号迅速增大.采用MULASSIS(multi-layered shielding simulation software)软件计算了电离损伤剂量和位移损伤剂量,在与γ辐射试验数据对比的基础上,结合器件结构和工艺参数,建立了分离质子辐射引起的电离效应和位移效应理论模型,深入分析了器件暗信号的退化机理.研究结果表明,对该国产器件而言,电离效应导致的表面暗信号和位移效应导致的体暗信号对整个器件暗信号退化的贡献大致相当.(本文来源于《物理学报》期刊2015年08期）
于帅,孙德新[9]（2014）在《一种提升互补型金属氧化物图像传感器动态范围的方法》一文中研究指出分析了CMOS图像传感器动态范围的限制因素,介绍了目前常用的动态范围扩展技术。针对多次曝光法和多斜率积分法提升动态范围时存在的问题,提出了一种提升动态范围的新方法——多次多斜率积分法。采用基于LUPA1300-2的相机系统对该方法进行了验证实验;并对实验结果进行了分析。结果表明多次多斜率积分法提升系统的动态范围效果明显。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2014年30期）
陈睿,余永涛,上官士鹏,封国强,韩建伟[10]（2014）在《90nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理》一文中研究指出基于单粒子效应脉冲激光实验装置,开展了90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器的单粒子翻转和闩锁效应实验,并给出了器件单粒子翻转效应位图.实验发现,器件出现了大量的多位翻转和约20 mA的电源电流脉冲.借助器件仿真工具,揭示了器件发生单粒子多位翻转效应的原因.结果表明,器件局部阵列发生单粒子闩锁效应并传播到多个位单元是诱发多位翻转的主要原因.通过对比分析脉冲激光和器件仿真实验结果,发现P/N阱电势塌陷是导致90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器出现单粒子闩锁传播效应的内在物理机制.(本文来源于《物理学报》期刊2014年12期）
互补金属氧化物硅论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于真空紫外光电阴极和背照式互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器研制了紫外光响应的电子轰击CMOS(EBCMOS)器件,实现了EBCMOS器件在40 mlx光照度环境下的高分辨探测,电子图像灰度随电子能量的变化呈现出极好的线性关系.对器件成像分辨率测试的结果表明,在电场强度为5000 V/mm时,器件的空间分辨率可以达到25 lp/mm,与国际相关报道水平相当.研制的EBCMOS器件可直接在紫外弱光探测领域应用,如天文观察、高能物理、遥感测绘等,同时也可为下一步研制可见光和近红外敏感的EBCMOS器件提供参考.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
互补金属氧化物硅论文参考文献
[1].马武英,姚志斌,何宝平,王祖军,刘敏波.65nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制[J].物理学报.2018
[2].刘虎林,王兴,田进寿,赛小锋,韦永林.高分辨紫外电子轰击互补金属氧化物半导体器件的实验研究[J].物理学报.2018
[3].杨洁,黄海深,李阳军.基于互补金属氧化物半导体的高精度地沟油检测计[J].食品与机械.2016
[4]..欧盟启动“洞察力”项目开发互补金属氧化物半导体技术[J].中国粉体工业.2016
[5].郑齐文,崔江维,王汉宁,周航,余徳昭.超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应[J].物理学报.2016
[6].王帆,李豫东,郭旗,汪波,张兴尧.基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究[J].物理学报.2016
[7].赵星,梅博,毕津顺,郑中山,高林春.0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究[J].物理学报.2015
[8].汪波,李豫东,郭旗,刘昌举,文林.质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究[J].物理学报.2015
[9].于帅,孙德新.一种提升互补型金属氧化物图像传感器动态范围的方法[J].科学技术与工程.2014
[10].陈睿,余永涛,上官士鹏,封国强,韩建伟.90nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理[J].物理学报.2014
标签：金属氧化物半导体场效应晶体管; 60Co; γ辐照; 辐射损伤; 数值仿真;