导读:本文包含了无源集成技术论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:系统级封装,无源集成,带通滤波器,频变耦合
无源集成技术论文文献综述
方芝清[1]（2018）在《系统级封装中硅基无源集成技术研究》一文中研究指出系统级封装中无源器件的小型化是SiP小型化的关键,硅基无源集成(IPD)技术具有体积小、一致性好、集成度与可靠性高等优势,使其成为无源器件集成的首选方案。滤波器的集成是首要问题之一,由于硅上电感品质因数不高,使得集成的滤波器性能受限,特别是在窄带应用中这个问题凸显。针对这一情况,本文在深入理解IPD工艺结构和电参数特性的基础上,将电路设计和工艺紧密结合,开展硅基带通滤波器集成设计研究,主要包含以下叁个方面:1.利用叁维电磁仿真软件,建立了平面螺旋电感结构的参数化模型。通过仿真分析了电感几何参数如圈数、内径、线宽、线间距等对其电特性的影响;且通过仿真验证了切角、多电流路径等电感Q值优化的途径。然后,在深入理解硅基IPD工艺结构与电特性关系的基础上,提出新颖的四电感互耦结构,建立了设计带通滤波器的物理版图基础。2.针对难以获取频变耦合矩阵的问题,提出一种基于矩阵广义特征值的优化方法,采用该方法求解出频变耦合带通滤波器的耦合矩阵。该耦合矩阵结构、阵元值分别与滤波器拓扑结构、谐振单元间耦合系数对应,这建立了设计频变交叉耦合滤波器的结构基础。3.分析了频变耦合形成的传输零点的分布特性,总结了二阶频变耦合滤波器的集总电路形式。基于提出的四电感互耦合结构和综合处的频变耦合矩阵,采用集总谐振器,分布式互感器耦合的带通滤波器设计方法,设计并优化出两款紧凑的带通滤波器,尺寸仅1.5×1mm2。然后对滤波器进行流片,并将样品测试。测试数据中,两个滤波器均具有较低的带内插损和较高的带外抑制,表明该方法适于硅上窄带滤波器的集成。且测试与仿真曲线吻合,表明建立的硅基IPD仿真模型准确。(本文来源于《中国工程物理研究院》期刊2018-04-01）
靳明智[2]（2015）在《基于3D打印技术的平面无源集成EMI滤波器研究》一文中研究指出随着功率变换器工作频率的不断提高,电磁干扰(electromagnetic interference, EMI)成为一个不可忽视的问题。为了减小EMI,常用方法是在电源线和变换器端口安装EMI滤波器。然而常用的分立式EMI滤波器体积相对较大,空间上利用率偏低,导致开关电源的功率密度较小,为了减小平面EMI滤波器的体积,缩短制作周期,降低开模成本,增加功率密度,解决复杂模型制作困难等问题,提出一种利用3D打印机来实现EMI滤波器平面磁集成的技术。本文提出两种不同的磁集成EMI滤波器的结构。通过推导出估算电感值的简单有效的数学模型,并结合3D有限元仿真,saber仿真方法,证明该结构的正确性和准确性。并且建立简单的仿真电路,对比消除噪声插入损耗的曲线,证明利用该技术制作的平面EMI滤波器具有很好的滤波性能。为了进一步减小EMI滤波器的尺寸,增加功率变换器的功率密度,提出一种新型形状椭圆形平面L-C线圈结构。对矩形,椭圆形平面L-C线圈进行有限元仿真,通过对比其综合因素确定了椭圆形平面L-C线圈作为EMI滤波器的基本组成单元,并基于该结构实现了椭圆形L-C线圈无源集成EMI滤波器。在考虑共模电感的寄生电容和共模电容的寄生电感以及它们的等效电阻情况下,建立了平面无源集成EMI滤波器在寄生参数下的高频等效电路模型；利用二端口网络分析法的参数矩阵A推导插入损耗计算公式。通过分析邻近效应损耗公式,确定PCB上铜箔厚度,可以使损耗最小。通过仿真和实验分析对比,证明所提结构的正确性,以及高频电路和插入损耗计算式的正确性。(本文来源于《辽宁工程技术大学》期刊2015-06-01）
杨传仁,张继华,娄非志,余为国,莫尚军[3]（2009）在《薄膜无源集成技术及其应用》一文中研究指出随着电子系统向体积更小、速度更快、功能更多、性能更强的方向发展,电子元器件的集成化和多功能化已经成为当前和未来电子系统的必由之路。同时,伴随着元器件的模块化、标准化,整机技术含量越来越低(所以山寨机流行),但对元器件提出了更高的要求。因此,目前电子产品的技术正向元器件转移。目前可用的集成无源元件技术有3大类,分别是薄膜技术、(本文来源于《TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2009-08-15）
燕文琴,刘颖力,张怀武[4]（2006）在《低温共烧陶瓷射频无源集成基础技术研究进展》一文中研究指出低温共烧陶瓷(LTCC)技术是当今世界射频无源集成的关键技术,嵌入式无源元件设计与模型化是LTCC重要基础技术。本文介绍了LTCC射频无源集成的关键技术,并着重介绍了射频无源元件(如电感、电容)的等效电路模型的发展过程。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2006年05期）
王悦辉,周济,崔学民,沈建红[5]（2005）在《低温共烧陶瓷无源集成技术及其应用》一文中研究指出低温共烧陶瓷技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新元件产业的经济增长点。介绍了目前 LTCC 无源集成技术及其国内外研究动态和应用前景。(本文来源于《材料导报》期刊2005年09期）
何水校[6]（2003）在《低温共烧铁氧体无源集成技术及其应用》一文中研究指出简要介绍了低温共烧铁氧体(LTCF)技术的由来,报道了LTCF的关键制造工艺、主要应用领域以及国内外发展趋势。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2003年05期）
[7]（2002）在《飞利浦无源集成技术取得重大突破》一文中研究指出飞利浦电子集团近日推出新的半导体无源集成技术，飞利浦的独特技术专为在低成本硅片上集成高质量无源元器件而设计，与传统表面安装器件无源元器件技术相比，生产的射频元器件性能更好，尺寸更小。半导体厂商可极大降低无源元器件的成本和尺寸。无源集成技术可将集成度更高的(本文来源于《电视技术》期刊2002年04期）
叶天培[8]（2000）在《无源集成技术发展动态》一文中研究指出廿世纪八、九十年代,以表面贴装元件为代表的新一代微型化无源元件产品为全世界信息产业、通信产业及汽车电子产业等的迅速发展作出了不可磨灭的贡献,也起到了决定性的作用。下个世纪初,片式元件仍然将是各类微电子产品应用的主流元件。但是与此同时,预计在不到10年的时间内将会出现一次无源集成的高潮,有迹象表明,该高潮的冲击力可能会大到足以使无源集成产品市场规模与片式元件的市场规模平分秋色的程度。本文将重点叙述世界市场无源集成技术的研究现状和探讨下世纪初无源集成技术的发展前景。(本文来源于《电子元器件应用》期刊2000年07期）
无源集成技术论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着功率变换器工作频率的不断提高,电磁干扰(electromagnetic interference, EMI)成为一个不可忽视的问题。为了减小EMI,常用方法是在电源线和变换器端口安装EMI滤波器。然而常用的分立式EMI滤波器体积相对较大,空间上利用率偏低,导致开关电源的功率密度较小,为了减小平面EMI滤波器的体积,缩短制作周期,降低开模成本,增加功率密度,解决复杂模型制作困难等问题,提出一种利用3D打印机来实现EMI滤波器平面磁集成的技术。本文提出两种不同的磁集成EMI滤波器的结构。通过推导出估算电感值的简单有效的数学模型,并结合3D有限元仿真,saber仿真方法,证明该结构的正确性和准确性。并且建立简单的仿真电路,对比消除噪声插入损耗的曲线,证明利用该技术制作的平面EMI滤波器具有很好的滤波性能。为了进一步减小EMI滤波器的尺寸,增加功率变换器的功率密度,提出一种新型形状椭圆形平面L-C线圈结构。对矩形,椭圆形平面L-C线圈进行有限元仿真,通过对比其综合因素确定了椭圆形平面L-C线圈作为EMI滤波器的基本组成单元,并基于该结构实现了椭圆形L-C线圈无源集成EMI滤波器。在考虑共模电感的寄生电容和共模电容的寄生电感以及它们的等效电阻情况下,建立了平面无源集成EMI滤波器在寄生参数下的高频等效电路模型；利用二端口网络分析法的参数矩阵A推导插入损耗计算公式。通过分析邻近效应损耗公式,确定PCB上铜箔厚度,可以使损耗最小。通过仿真和实验分析对比,证明所提结构的正确性,以及高频电路和插入损耗计算式的正确性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
无源集成技术论文参考文献
[1].方芝清.系统级封装中硅基无源集成技术研究[D].中国工程物理研究院.2018
[2].靳明智.基于3D打印技术的平面无源集成EMI滤波器研究[D].辽宁工程技术大学.2015
[3].杨传仁,张继华,娄非志,余为国,莫尚军.薄膜无源集成技术及其应用[C].TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2009
[4].燕文琴,刘颖力,张怀武.低温共烧陶瓷射频无源集成基础技术研究进展[J].磁性材料及器件.2006
[5].王悦辉,周济,崔学民,沈建红.低温共烧陶瓷无源集成技术及其应用[J].材料导报.2005
[6].何水校.低温共烧铁氧体无源集成技术及其应用[J].磁性材料及器件.2003
[7]..飞利浦无源集成技术取得重大突破[J].电视技术.2002
[8].叶天培.无源集成技术发展动态[J].电子元器件应用.2000