导读:本文包含了空穴迁移论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:支座松动,滑动轴承,油膜,空穴
空穴迁移论文文献综述
凌寒,贺利乐,张平[1]（2019）在《支座松动故障下滑动轴承油膜空穴迁移规律研究》一文中研究指出针对旋转机械支承松动故障识别困难问题,研究滑动轴承的油膜空穴迁移规律。建立了一端松动转子-轴承系统模型,采用短轴承下的非线性油膜力模型和JFO边界条件,用数值求解的方法对支座松动故障转子-轴承系统进行仿真模拟计算,得到了支座松动下的油膜空穴迁移规律。仿真结果表明:一端支承松动故障下的松动端油膜破裂边界迁移过程是不连续的,松动支座的无规则运动是引起空穴迁移发生异常的主要因素;松动端空穴体积会随挤压速度的增加而减小。研究结果为支座松动故障诊断提了供理论依据。(本文来源于《机械设计与制造》期刊2019年02期）
李波,刘清蝉,林聪,杨明,曹敏[2]（2018）在《基于JFO理论的滑动轴承空穴迁移及性能分析》一文中研究指出以压滑动轴承为研究对象,建立了滑动轴承的理论模型和弹流润滑模型,对其润滑性能进行了数值仿真分析,探究了滑动轴承气穴效应对润滑性能的影响。研究结果表明,入口区的油膜压力与载荷呈现负相关,出口区的油膜压力与载荷呈现正相关;但是油膜厚度始终与载荷的大小呈现出负相关;膜厚与转速之间呈现出明显的正相关关系;随着气穴的位置由入口区向出口区移动,接触区的压力值逐渐增大;二次压力峰的位置随着气穴位置的移动而右移,并且压力峰数值变大;膜厚呈现出的趋势与压力相反;油膜的压力与气穴尺寸之间呈现出明显的正相关,气穴范围的半径越大,油膜压力相应越大,并且接触区的压力波动幅值越大。(本文来源于《机械制造与自动化》期刊2018年05期）
王梅,王军,步宇翔[3]（2015）在《与蛋白质调控DNA空穴迁移相关的具有负离解能特征的亚稳态氢键（英文）》一文中研究指出利用密度泛函理论方法研究了作为空穴迁移载体的蛋白质复合的DNA叁聚体(Protonated arginine…guanine…cytosine,Arg H+-GC)的氢键性质.结果表明,空穴迁移通过该载体单元时此类氢键表现为亚稳态,且具有明显的负离解能.正常情况下Arg H+基团在大小沟均能与GC碱对形成氢键,且具有正的离解能.然而,当空穴转移至此将削弱氢键至亚稳态,使之具有一定的离解势垒和负的离解能.这种势垒抑制的负离解能现象意味着由于空穴俘获导致此叁聚体结构单元在它的Arg H+…N7/O6键区储存了一定的能量(约108.78 k J/mol).该氢键离解通道受控于此键区两个相关组分之间的静电排斥和氢键吸引之间的平衡以及这两个相反作用随氢键距离不同的衰减速率.基于电子密度分布的拓扑性质以及键临界点的Laplacian数值分析澄清了此类特殊的能量现象主要源自通过高能氢键(Arg H+…N7/O6)连接的授受体间的静电排斥.进一步空穴俘获诱导的G→C质子转移可扩展负离解能区至Arg H+…N7/O6和Watson-Crick(WC)氢键区.另外,Arg H+结合到GC的大小沟增加其电离势,因此削弱其空穴传导能力,削弱程度取决于Arg H+与GC的距离.推而广之,在protonated lysine-GC和protonated histidine-GC体系也可观察到类似的现象.显然,此类性质可调的亚稳态氢键可调控DNA空穴迁移机理.此工作为理解蛋白质调控的DNA空穴迁移机理提供了重要的能量学信息.(本文来源于《高等学校化学学报》期刊2015年11期）
陈军武[4]（2015）在《高空穴迁移率共轭聚合物给体材料及其光伏性能》一文中研究指出聚合物太阳电池(PSC)因具有轻、薄、柔性、可大面积高速印刷的低成本潜力等独特优势,而受到国内外科学家和工程师的广泛关注与研究。PSC的能量转换效率强烈依赖于活性层材料体系和电极界面层的性能。PSC通常在活性层膜厚为100 nm时获最高效率,这是由于载流子输运能力低所导致的,并对高速印刷生产工艺带来了很大的制约。我们通过增强聚合物给体材料的链间聚集能力,发展了多种化学结构的高空穴迁移率聚合物给体材料,显着地提高其空穴迁移率至超过1 cm2/(V s)。以高迁移率聚合物给体材料制备PSC,能在活性层膜厚大幅变化下都保持较高的效率,部分材料体系的最高效率超过9%,有望进一步实现效率超过10%且更能兼容高速印刷工艺的聚合物给体材料。(本文来源于《2015年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题G 光电功能高分子》期刊2015-10-17）
胥开芳,张登高[5]（2014）在《基于空间电荷限制对有机材料空穴迁移率的测定》一文中研究指出利用空间电荷限制电流的方法测定有机材料的空穴迁移率。用SCLC方法测试得到NPB,m-MTDATA,CBP,Balq四种有机材料的空穴零场迁移率,拟合绘制出四种材料在不同电场下空穴的场依赖迁移率。测试不同浓度红色磷光染料Ir(piq)2acac)掺杂到这四种母体后空穴迁移率的变化情况,分析发现,掺杂母体与客体的能级匹配是研究载流子在掺杂层输运模式的关键,其直接决定了有机材料空穴迁移率的大小。(本文来源于《机电工程技术》期刊2014年09期）
吴有智,马继晶,张运虎,张材荣,张定军[6]（2014）在《有机半导体NPB空穴迁移率的快速确定》一文中研究指出以典型有机半导体材料——胺类衍生物NPB(N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)(1,1’-biphenyl)-4,4’diamine)为空穴传输层,采用MoO3为阳极缓冲层制备结构简单的只有空穴传输的单载流子器件.以空间电荷理论为基础,利用从器件电流-电压关系变换而来的一个特殊而简单的函数确定出电场强度在600~1 000V1/2cm-1/2时,NPB空穴迁移率位于1.1×10-5~3.5×10-4 cm2 V-1s-1,这与文献报导采用其他方法得到的结果接近,表明这是一种简单而有效的确定有机半导体载流子迁移率的方法,同时也表明MoO3为阳极缓冲层可在ITO/NPB间形成良好的欧姆接触.(本文来源于《兰州理工大学学报》期刊2014年04期）
袁树青,朱媛莉,王振国,郝玉英,王华[7]（2014）在《基于空间电荷限制电流模型的FeCl_3掺杂CBP的空穴迁移率研究》一文中研究指出基于不同浓度FeCl3掺杂的4,4′-N,N′-二咔唑基联苯(CBP)设计制作了一系列的单空穴有机电致发光器件(OLED),采用空间电荷限制电流法估算了具有不同浓度FeCl3掺杂的CBP的空穴迁移率,并与OLED中常用的空穴传输材料N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)进行了比较研究。结果表明,FeCl3掺杂CBP可以极大地提高CBP薄膜的空穴迁移率,当FeCl3的浓度为12%时空穴迁移率最大,在电场强度为0.5MV/cm的条件下迁移率为4.5×10-5cm2/V·s,即使在零电场条件下迁移率依然高达2.2×10-5 cm2/V·s,近似为常用空穴传输材料NPB空穴迁移率的4倍。用CBP∶12%FeCl3做空穴传输层,制备了OLED器件,最大亮度为68468cd/m2,相对于采用NPB做空穴传输层的参比器件提高了97%,最大电流效率为31.28cd/A,比参比器件提高了23%。器件亮度和效率的提高归因于空穴传输性能的改善,使得器件中载流子的传输更为平衡,从而提高了激子形成的几率,且减少了激子-极化子之间的淬灭。(本文来源于《光电子.激光》期刊2014年07期）
张小文,刘心宇[8]（2014）在《金属氧化物掺杂调控空穴迁移特性构建高效率低电压OLED》一文中研究指出采用金属氧化物掺杂的双空穴传输层[NPB:5%MoOx]/[NPB:3%TiO2]构建了高效率低电压有机电致发光器件(OLED)。以Alq3为发光层,器件的最大发光效率和功率效率分别达到了5.1 cd/A和2.7 lm/W,比非掺杂型NPB空穴传输层构建的OLED分别提高了46%和93%,而驱动电压则降低了约1.5 V。这是由于掺杂型双空穴传输层能有效调控空穴迁移特性,改善电荷平衡因子,从而促进了发光效率和功率效率的提高。(本文来源于《电工材料》期刊2014年01期）
张亚楼,蒋葳,刘云飞,许静,尹海洲[9]（2013）在《硅基不同晶面上的空穴迁移率研究》一文中研究指出近年来,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸减小并进入纳米尺度,为了改善器件的短沟道效应,器件由原来的平面结构改为立体结构。而在立体结构器件中,沟道由不同于传统Si(100)晶面的Si晶面所组成。因此,为了了解不同Si晶面上器件反型层空穴迁移率的变化情况,在不同晶面Si衬底上分别制作了pMOSFET,并研究了器件的空穴迁移率。采用Split C-V方法测试了Si(100),(110),(111)和(112)晶面上器件的空穴迁移率。结果表明,Si(110)晶面上的空穴迁移率最大,Si(112)晶面上<111>沟道方向空穴迁移率比(110)晶面上空穴迁移率小,而略大于(100)和(111)晶面上的空穴迁移率,(100)晶面上的空穴迁移率最小。(本文来源于《半导体技术》期刊2013年04期）
赵丽霞,张鹤鸣,戴显英,宣荣喜[10]（2013）在《应变Si/(101)Si_xGe_(1-x)空穴迁移率》一文中研究指出采用kp微扰理论,基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,对(101)晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研究.结果表明:双轴应变Si(101)材料高对称晶向空穴迁移率在应力作用下均有明显增强,其空穴统观迁移率与未应变Si材料相比,最多提高约2倍.文中所得量化模型可为应变Si材料物理的深入理解及应变材料、器件的研究与设计提供有价值的参考.(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊2013年03期）
空穴迁移论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以压滑动轴承为研究对象,建立了滑动轴承的理论模型和弹流润滑模型,对其润滑性能进行了数值仿真分析,探究了滑动轴承气穴效应对润滑性能的影响。研究结果表明,入口区的油膜压力与载荷呈现负相关,出口区的油膜压力与载荷呈现正相关;但是油膜厚度始终与载荷的大小呈现出负相关;膜厚与转速之间呈现出明显的正相关关系;随着气穴的位置由入口区向出口区移动,接触区的压力值逐渐增大;二次压力峰的位置随着气穴位置的移动而右移,并且压力峰数值变大;膜厚呈现出的趋势与压力相反;油膜的压力与气穴尺寸之间呈现出明显的正相关,气穴范围的半径越大,油膜压力相应越大,并且接触区的压力波动幅值越大。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
空穴迁移论文参考文献
[1].凌寒,贺利乐,张平.支座松动故障下滑动轴承油膜空穴迁移规律研究[J].机械设计与制造.2019
[2].李波,刘清蝉,林聪,杨明,曹敏.基于JFO理论的滑动轴承空穴迁移及性能分析[J].机械制造与自动化.2018
[3].王梅,王军,步宇翔.与蛋白质调控DNA空穴迁移相关的具有负离解能特征的亚稳态氢键（英文）[J].高等学校化学学报.2015
[4].陈军武.高空穴迁移率共轭聚合物给体材料及其光伏性能[C].2015年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题G光电功能高分子.2015
[5].胥开芳,张登高.基于空间电荷限制对有机材料空穴迁移率的测定[J].机电工程技术.2014
[6].吴有智,马继晶,张运虎,张材荣,张定军.有机半导体NPB空穴迁移率的快速确定[J].兰州理工大学学报.2014
[7].袁树青,朱媛莉,王振国,郝玉英,王华.基于空间电荷限制电流模型的FeCl_3掺杂CBP的空穴迁移率研究[J].光电子.激光.2014
[8].张小文,刘心宇.金属氧化物掺杂调控空穴迁移特性构建高效率低电压OLED[J].电工材料.2014
[9].张亚楼,蒋葳,刘云飞,许静,尹海洲.硅基不同晶面上的空穴迁移率研究[J].半导体技术.2013
[10].赵丽霞,张鹤鸣,戴显英,宣荣喜.应变Si/(101)Si_xGe_(1-x)空穴迁移率[J].西安电子科技大学学报.2013