电路性能模型论文-王绥亮,贺慧勇,唐立军,陈大洋

电路性能模型论文-王绥亮,贺慧勇,唐立军,陈大洋

导读:本文包含了电路性能模型论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:石英挠性加速度计,读出电路,行为模型

电路性能模型论文文献综述

王绥亮,贺慧勇,唐立军,陈大洋[1](2019)在《基于表头行为模型的读出电路性能分析方法》一文中研究指出针对石英挠性加速度计读出电路性能测试平台搭建复杂,模拟特定工作环境难度较大等问题,开展石英挠性加速度计读出电路性能测试方法及原理的分析,提出利用仿真软件对加速度计读出电路进行性能测试仿真的方法。结果表明:系统超调量在16%左右,-3dB带宽接近120Hz,验证测试方法的正确性。表明通过软件仿真对加速度计读出电路性能测试是一条有效的途径,对加速度计读出电路的前期设计有一定的参考价值。(本文来源于《现代计算机》期刊2019年13期)

简越,李东杰,曹玉琳,汪能[2](2018)在《Rosen型压电陶瓷变压器等效电路模型测试与性能分析》一文中研究指出脉冲功率技术能产生强电流脉冲信号,该信号可广泛用于航天、武器系统的点火设施当中,而该脉冲信号的产生依赖于高压变换器的存在。新型的压电陶瓷变压器不同于以往的绕线式电磁高压变换器,具有抗电磁干扰能量、高转换效率、小体积、轻重量等优点。因此对压电陶瓷变压器进行性能研究具有较高战略意义。本文围绕Rosen型压电陶瓷变压器,从机电等效网络的角度切入,推导其等效电路模型,并进行了性能试验测试,结果显示良好。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2018年06期)

王轲,刘培国,涂灏,刘翰青,易波[3](2016)在《吸波透波复合天线罩的等效电路模型及性能分析》一文中研究指出本文分析了吸波透波复合天线罩的等效电路参数对其性能的影响。吸波透波复合天线罩是一种在通带内透波,吸收带内吸波的天线罩。文中基于电磁理论建立了其等效电路,利用ADS电路仿真软件画出等效电路图并拟合出等效电路参数,通过仿真分析得出缝隙型频率选择表面和电阻型频率选择表面对吸波透波复合天线罩性能的影响规律。根据结论可得,在保持通带频率不变的情况下,缝隙型频率选择表面和电阻型频率选择表面结构的电容值越大,其对应的通带带宽越窄,吸波带带宽越宽,同时适当的基板厚度和电阻也会对该天线罩的性能产生影响。(本文来源于《2016年全国军事微波、太赫兹、电磁兼容技术学术会议论文集》期刊2016-08-17)

郭淑菊,李建民[4](2016)在《电容传声器性能分析及等效电路模型》一文中研究指出为设计性能更加稳定的电容传声器,介绍了电容传声器的基本组成,讨论了电容传声器薄膜直径的大小、静压均衡孔所处声场中的位置、薄膜张力的大小及薄膜和背极板之间的距离、绝缘体等其它重要组成部分的不同特性对电容传声器性能的影响。以直径为1.27 cm(1/2英寸)的电容传声器为例,通过采用建立更为简单的等效电路模型的方法来完成其设计,并通过所建立的等效电路模型及相对应的各参量数据得出了电容传声器的幅频响应曲线和相频响应曲线,证实了该等效电路的正确性和可行性。通过上述讨论及实验对电容传声器在设计中的工艺要点提供了新的思考方向,也为电容传声器的设计提供了新的思路。(本文来源于《实验室研究与探索》期刊2016年08期)

唐可,申凤娟,张浩波,郑瑞伦[5](2015)在《超级电容器等效电路模型及其储能性能研究》一文中研究指出本文给出了等效电阻随充电电流强度的变化关系,对传统的超级电容器等效电路模型进行修改,并用修改了的模型研究了超级电容器的电容、储能量、充电效率随电流强度的变化规律,探讨了温度对超级电容器储能性能的影响。结果表明:(1)本文提出的等效电路模型,能对文献给出的实验结果给以正确解释;(2)温度对超级电容器的电容量、储能的影响较小,并随电流强度的增大而增大但变化较小;而温度对效率的影响较大,随电流强度的增大而减小但变化较大;(3)超级电容器的电容量和储能量随充电电流强度的增大而减小,而充电效率在某一电流附近有极大值。(本文来源于《第七届中国储能与动力电池及其关键材料学术研讨与技术交流会论文集》期刊2015-07-17)

黄黔[6](2014)在《基于等效电路模型和DPSD算法的介电性能测试算法的研究》一文中研究指出本文提出了一种关于介电材料的相对介电常数(εr)的介质损耗(tgδ)的测量算法。通过实际电容器的并联和串联等效电路模型分别与DPSD算法相结合实现介电材料相关介电参数的测量算法。大量程序模拟实验的结果证明,不同等效模型实现的算法具有相同的结果。该算法可以用于不同频率下介电材料介电性能的测量。(本文来源于《贵州大学学报(自然科学版)》期刊2014年03期)

王磊[7](2013)在《染料敏化太阳电池的电子传输—复合模型与等效电路解析及其性能优化》一文中研究指出染料敏化太阳电池(dye-sensitized solar cells, DSSCs)是高性能低成本太阳电池的重要发展方向之一。由于DSSCs的光电转换受到一系列电子的产生、传输、聚集和复合过程的共同作用,深入研究电子在纳米多孔薄膜中的传输-复合过程,可以揭示影响DSSCs电性能的关键因素,从而为优化电池性能提供依据。电化学阻抗图谱(electrochemical impedance spectroscopy,EIS)与单二极管模型是分析DSSCs电流-电压特性影响因素的两种重要方法。准确获取单二极管模型参数,并借助EIS来建立单二极管模型参数与DSSCs内部微观过程的关联,有助于揭示电池电性能的限制因素并由此提出优化电池性能的具体措施。将二氧化钛介晶用于构筑双层复合膜光阳极,可以借助介晶的有序构造和光散射能力来进一步提升电池性能。本文的第一部分内容提出了一种两步法以精确获取DSSCs单二极管等效电路模型参数。即通过作图法对电池的I-V特性曲线进行特定数据区域的线性化处理,从而获取具有一定精度的模型参数,以之设为最小二乘拟合过程的初值,经过多次迭代计算获取具有较高精度的拟合结果。在作图法的应用过程中发现,理论推导的线性函数关系,实际表现为离散性。本文采用对I-V特性曲线进行多项式近似处理的方法,获得了该线性关系和相应的模型参数值。拟合结果显示作图法的拟合误差约4%,经最小二乘法进一步精确后,拟合误差减小至低于1%。为了进一步验证提出的两步法的精确性,选取文献中I-V特性曲线进行拟合分析,并与文献中的拟合结果和精度进行了对比。拟合结果显示,两步法得到的模型参数值与文献中的结果有较大差别。拟合误差分析显示,文献中的拟合方法的误差约为5%,其拟合精度远低于本文提出的两步法。本论文的第二部分内容为采用EIS图谱对DSSCs的单二极管等效电路模型参数进行解析。通过分析DSSCs在叁个特征工作状态下的EIS图谱,研究了单二极管模型参数的物理和电化学意义。分析显示,DSSCs中与复合过程相关的总复合电阻Rct值与电池旁路电阻Rp值较好的吻合。在最大功率点和开路电压点,电池中的复合过程主要表现为电子从TiO_2导带向电解液的转移过程;Rp主要由二极管电阻Rdiode主导。而因此可以推论,TiO_2/电解液界面的电子转移过程具有二极管单向性的特性。在短路电流点,电池中的复合过程主要表现为电子从未被TiO_2覆盖的TCO向电解液的转移过程;Rp主要由并联电阻Rsh主导。因此,并联电阻Rsh可用于表征TCO/电解液界面的电流损失。通过较高工作电压时lnRct与电极电势的线性关系获得了理想因子n值,说明二极管理想因子n主要由较高工作电压时TiO_2/电解液界面的复合特性决定。验证了串联电阻Rs由TCO衬底欧姆电阻及电荷的传输、转移、扩散电阻共四部分构成。在此基础上,模拟了DSSCs的电性能随单二极管模型参数的变化,结果显示:串联电阻Rs和理想因子n对DSSCs的填充因子FF有显着作用,进而影响电池转换效率;随着DSSCs面积的增大,串联电阻Rs和并联电阻Rsh也将分别影响电池的短路电流Isc和开路电压Voc。根据单二极管模型参数的物理和电化学意义,探讨了DSSCs性能优化的一些可行性方案。本文的第叁部分内容研究了一种基于纳米多孔锐钛矿TiO_2介晶的双层复合膜光阳极DSSCs,并利用前二章发展的EIS和单二极管模型分析方法揭示了电子在多孔膜中的传输、复合过程对DSSCs性能的影响机制。首先,通过在TiO_2纳米晶水热合成中加入不同浓度的二乙烯叁胺(Diethylenetriamine, DETA)来调控合成的TiO_2纳米晶的形貌,考察了TiO_2纳米晶形貌对纳米晶膜电池性能的影响。结果显示,随着DETA添加量的增加,部分纳米晶粒增大,纳米晶粒的不均匀性增高,导致纳米晶中缺陷密度的升高和薄膜中电子复合的加剧,但较快的电子传输速率仍使电池的收集效率得到改善。进一步增加DETA的添加量,染料吸附量的减小对电池性能的影响占主导地位,因此电池的性能反而随之下降。然后,采用溶剂热法合成了由纳米晶粒为基本结构单元有序聚集而成的纳米多孔锐钛矿TiO_2介晶。通过钛酸丁酯和乙酸的配比调控TiO_2介晶的形貌。选取最大比表面积的TiO_2介晶制备了多孔膜,使其覆盖在经过性能优化的纳米晶膜上,制备了双层复合膜光阳极DSSCs。考察了双层复合膜结构对电池性能的影响,并与单层纳米晶膜电池进行了对比。结果显示,由于TiO_2介晶为纳米晶粒的密集堆积,染料吸附量较小,但是介晶的叁维有序结构和较少的晶界暴露使双层复合膜光阳极DSSCs具有较高的电子传输速率和电子寿命,从而获得了较大的电子收集效率。当总膜厚L同为15μm时,通过在膜厚为11μm的单层纳米晶膜上增加一层膜厚为4μm的纳米多孔锐钛矿TiO_2介晶层,得到的双层复合膜DSSCs相对单层纳米晶膜DSSCs,电池的转换效率由5.97%提升至6.35%。(本文来源于《华南理工大学》期刊2013-10-28)

董兰兰[8](2012)在《符号化模拟电路时域行为模型建模方法及其在统计性能分析中的应用》一文中研究指出对于运算放大器宏模型的建立,传统方法是通过运算放大器的性能指标特性来推导出宏模型中的各个参数。对于传统方法,一方面,推导出的宏模型中的各个参数都是数值化的,因此不能通过宏模型实现对原电路性能改进的闭环分析;另一方面,在宏模型中,仍然存在非线性元件,例如MOS管等,因此这样的宏模型不能直接用于符号化分析。在传统应用中,符号化的分析方法被用于对模拟电路运算放大器的小信号频域性能进行分析。在本论文的研究中,提出了一种利用符号化分析方法来建立一般模拟两级运算放大器电路的符号化行为模型,该模型不仅可以实现对放大器电路的小信号频域性能进行分析,而且可以对放大器电路的大信号时域性能进行分析,同时这个建立的符号化的行为模型可以用Hspice进行仿真,可实现对放大器电路的时域转换速率(slew rate)和建立时间(settling time)的统计分布进行快速的分析。实验结果表明,本论文提出的符号化的行为模型能够对两级运算放大电路的频域和时域性能进行精确的预测,同时也能够准确预测电路的时域转换速率(slew rate)和建立时间(settling time)的统计分布,并且与传输管级的统计分布分析相比,通过使用符号化行为模型,显着提高了统计分析的速度。(本文来源于《上海交通大学》期刊2012-12-01)

吕伟锋[9](2011)在《工艺波动对纳米尺度MOS集成电路性能影响模型与相关方法研究》一文中研究指出随着半导体工艺的特征尺寸进入纳米数量级,日趋复杂的硅基MOS集成电路(Integrated Circuit IC)制造流程使得精确的工艺控制变得越来越困难,而芯片实际几何图形和纵向结构的不确定性导致器件的工作状态及其特性参数与设计目标产生显着偏离,产生工艺参数变化或工艺波动(Process Variation PV)现象。而且这一现象随着持续缩小的特征尺寸愈趋严重,使电路的性能和成品率受到极大影响。因此,工艺波动引起的可制造性(Design for manufacturability DFM)问题已成为纳米尺度IC设计和制造中亟待解决的技术瓶颈和重要挑战。本文先探讨了IC制造中的内在波动源——随机掺杂波动(Random dopant Fluctuation RDF)及其概率密度分布,并用统计分析方法推导了RDF引起的阈值电压偏离标准差的简洁表达式,得到芯片上阈值电压的概率密度分布函数,该方法和得到的模型具有简洁和精确较高的特点。接着研究了RDF影响沟道载流子有效迁移率μeff以及电流增益因子β等参数的改变及其引起的电流失配,在详细研究失配模型的数学理论基础和已有模型特点基础上寻找并应用一个简单又有较高精度的改进ALPHA律平均漏电流模型,进而实现了65nm工艺的MOS电流失配解析模型。同时利用该模型,推导了既简单、有效又能保证精度的RDF引起的电流失配模型。MOS电流的变化将影响模拟电路精度、功耗和带宽等各种性能和数字电路时序的偏差。因此本文实现了工艺波动RDF引起的用于模拟集成电路仿真分析的电路模型,并以基本电流镜为测试电路仿真验证,计算并得出电路在不同面积和偏置等设计条件下的性能参数关系表达式,并用于显示特定工艺波动下IC设计者选择器件面积和偏置条件对电路性能影响差异。再利用平均电流模型以CMOS反相器为测试电路,推导了数字电路时延及其变化标准差的解析模型,并用HSPICE的蒙特-卡罗仿真验证其精度和可靠性。论文最后介绍了分析、设计、优化和控制IC工艺波动的相关数学和统计方法,主要包括σ空间分析法、主成分分析法和响应曲面法。并将统计实验设计(DOE)中的稳健设计方法与人工智能中的神经网络方法相结合,提出了数字逻辑函数的神经网络稳健设计方法,只要适当地扩展因子变量水平和取值,即有望用于1C工艺波动的优化设计中。(本文来源于《浙江大学》期刊2011-10-20)

晋钢,王蕾,王志英[10](2009)在《异步电路的静态数据流图模型及其性能分析》一文中研究指出静态数据流图是异步电路的一种抽象模型,具有灵活性高、易于理解的优点。基于静态数据流图的一种形式化的执行语义,提出了一种适合于性能分析的静态数据流图的Petri网模型,并基于该模型提出了一种性能评价方法。该方法具有速度快、灵活性高的优点,特别适合大规模异步电路设计早期的性能分析。该模型比静态数据流图的传统Petri网模型在规模上小一倍,而且避免了引入非标准的read-arc。通过实验,该模型和性能评价方法的有效性得到了充分的验证。(本文来源于《计算机科学》期刊2009年12期)

电路性能模型论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

脉冲功率技术能产生强电流脉冲信号,该信号可广泛用于航天、武器系统的点火设施当中,而该脉冲信号的产生依赖于高压变换器的存在。新型的压电陶瓷变压器不同于以往的绕线式电磁高压变换器,具有抗电磁干扰能量、高转换效率、小体积、轻重量等优点。因此对压电陶瓷变压器进行性能研究具有较高战略意义。本文围绕Rosen型压电陶瓷变压器,从机电等效网络的角度切入,推导其等效电路模型,并进行了性能试验测试,结果显示良好。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

电路性能模型论文参考文献

[1].王绥亮,贺慧勇,唐立军,陈大洋.基于表头行为模型的读出电路性能分析方法[J].现代计算机.2019

[2].简越,李东杰,曹玉琳,汪能.Rosen型压电陶瓷变压器等效电路模型测试与性能分析[J].电子技术与软件工程.2018

[3].王轲,刘培国,涂灏,刘翰青,易波.吸波透波复合天线罩的等效电路模型及性能分析[C].2016年全国军事微波、太赫兹、电磁兼容技术学术会议论文集.2016

[4].郭淑菊,李建民.电容传声器性能分析及等效电路模型[J].实验室研究与探索.2016

[5].唐可,申凤娟,张浩波,郑瑞伦.超级电容器等效电路模型及其储能性能研究[C].第七届中国储能与动力电池及其关键材料学术研讨与技术交流会论文集.2015

[6].黄黔.基于等效电路模型和DPSD算法的介电性能测试算法的研究[J].贵州大学学报(自然科学版).2014

[7].王磊.染料敏化太阳电池的电子传输—复合模型与等效电路解析及其性能优化[D].华南理工大学.2013

[8].董兰兰.符号化模拟电路时域行为模型建模方法及其在统计性能分析中的应用[D].上海交通大学.2012

[9].吕伟锋.工艺波动对纳米尺度MOS集成电路性能影响模型与相关方法研究[D].浙江大学.2011

[10].晋钢,王蕾,王志英.异步电路的静态数据流图模型及其性能分析[J].计算机科学.2009

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