导读:本文包含了电磁干扰隔离论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:变电站,隔离开关,电磁干扰,回路电阻试验
电磁干扰隔离论文文献综述
李维江,檀英辉,李广渊,王强,马宁[1]（2018）在《强电磁干扰环境下隔离开关回路电阻测量方法的优化》一文中研究指出根据一例隔离开关回路电阻试验,分析试验场地的电磁环境,通过计算试验环境的电磁场及试验回路中的感应电压,得到强电磁干扰为造成隔离开关回路电阻测量数据失真的重要原因之一的结论。通过优化隔离开关测量回路接线方式,减小变电站中强磁场对隔离开关测量回路电阻的影响,使隔离开关回路电阻测量值更加准确可靠,从而提高电网隔离开关回路电阻测试的准确性和隔离开关检修的生产效率。(本文来源于《华电技术》期刊2018年02期）
郑博[2]（2016）在《半隔离DC/DC开关电源传导电磁干扰预测与抑制研究》一文中研究指出由于开关电源具有效率高、功率密度高、体积小、重量轻等优点,因此被广泛地应用于程控交换、光数据传输、无线基站、有线电视系统及IP网络中。当今通信开关电源多采用单端双端电路、半桥电路和全桥电路等拓扑,在中小功率场合,双单端电路和半桥电路被广泛地应用。然而,由于功率管有较高的开关频率,开关电源开通和关断过程产生的瞬变电压/电流含有较为丰富的高次谐波成分,这些谐波容易经过传导和辐射污染周围电磁环境,对其他通信设备和电子产品造成干扰。因此,通信开关电源需采取必要措施减小其电磁干扰发射的能力,使其符合EMC发射标准的规定。本课题主要针对一种结构较为少见的半隔离式DC/DC开关电源的传导EMI问题进行研究。在该电路拓扑中,部分电能从输入侧直接传递到输出,另一部分电能则通过变压器耦合到输出侧。本文从该电路DC/DC工作过程出发,在分析其差、共模干扰传播特性的基础上,建立其传导电磁干扰的模型,并研究在此拓扑中出现的传导干扰新特性,进而提出相应的改进和抑制措施。为了研究该半隔离拓扑开关电源的电磁干扰机理,文本具体介绍了这台额定输入-48V,输出为-57V,工作在开关频率110k Hz的半隔离功率变换器。隔离部分的变压器原边采用全桥电路,副边采用全波整流。在此基础上,原副边用一根-48V线相连接来实现增压输出。根据电路纹波指标,设计了主电路电感电容等器件参数。变压器采用导线单层绕制的方法,选择PC40作为磁芯材料,磁芯骨架结构为EI28,并由工作电流大小确定绕组的绕线方式和线径大小。变换器采用对角MOS管交替触发的控制方式,对直流输入电压进行逆变和整流后,通过输出侧LC滤波后变换出直流电压。在主电路参数确定的基础上,在控制电路变换器中设计了PID补偿器,使补偿后的系统满足稳定性等要求,并实现DC/DC变换控制。为了对该电源中传导电磁干扰进行仿真,从而实现噪声的准确预测。建立该半隔离变换器电路中器件的高频电路模型,主要包括无源器件、有源器件及PCB板的高频模型。对于无源器件,电容和电感均采用阻抗分析仪测试其传导频段内的阻抗曲线,并与阻抗分析仪内部的高频等效电路仿真结果进行比对,确定其寄生元件的参数。对于MOSFET和二极管等有源器件,利用SABER软件中自带的MOSFET高频模型和二极管高频模型,将厂家提供的元器件各特性曲线导入到SABER软件中进行拟合,由软件自动计算出有源器件高频模型中的寄生电感和寄生电容。由于变压器的高频模型和绕组的绕制方式和磁芯参数有很大关系,而且本课题中采用了副边中心抽头式的变压器,其高频建模是较大难点。本研究采用传统变压器高频模型,主要参数包括原副边漏阻抗,原边的励磁阻抗和绕组间的寄生电容。其中,通过对变压器进行短接实验,由阻抗分析仪可以得到其漏阻抗和励磁阻抗的高频曲线,对这些阻抗的仿真结果和实测结果进行拟合对比,从而得到变压器的漏阻抗模型和励磁阻抗模型及参数。绕组间的耦合电容则采用解析计算的方法,由算式得到变压器原副边之间的寄生电容值。为了进一步分析EMI噪声的耦合通路,对本课题所用变压器的最终的高频寄生电容进行了简化。PCB板中走线也存在高频寄生电感和寄生电容,使用LCR表可以测得PCB板上走线的电感、电容以及MOS管对地寄生电容。将上述所有模型组合后,可以得到该半隔离式DC/DC变换器完整的高频仿真模型。将母线上的噪声仿真结果与样机实测得到的噪声进行比对,两者的频谱高度吻合,以此验证该高频模型的正确性。为了明确传导干扰的路径及各噪声源产生干扰成分的大小,从而为滤波器的设计提供依据,本文分析了半隔离开关电源的传导(CE)干扰形成机理和特点。根据EMI叁要素定义,分别阐述了差模(DM)和共模(CM)噪声的干扰源、干扰路径及它们噪声频谱的特点。根据已有的研究共识,半隔离式变换器中的主要干扰源来自MOSFET和二极管等有源器件在开通和关断过程中产生的过快的电压和电流变化。根据有关文献成果,由于MOSFET的散热片与物理大地之间存在寄生耦合电容,作为噪声源的MOSFET由于其在开关过程中产生的电压尖峰不断地对此寄生电容进行充放电,导致其产生明显的共模电流,而寄生电容也为共模电流提供了耦合通道。同时,二极管在开通和关断的动态过程中,也存在较为明显的反向恢复电流,这些峰值较大的电流从而成为差模干扰的主要来源。本课题在建模过程中,将全桥每个桥臂电压低边侧的MOSFET等效成电压源,而每个桥臂电压高边侧的MOSFET以及所有的二极管则按照电流源等效。其中,实测样机的MOSFET电压电流波形以及二极管的电流波形将在文中给出,以便于分析各噪声源的幅值大小。在确定了噪声源的基础上,该半隔离电源噪声通路的分析主要依据电路迭加和等效原理进行。分析电压源的影响时,所有的电流源被当作开路处理。由于MOSFET作为电压源作用时,其产生的电流会对输入和输出侧的滤波电容有较大的影响,此时可以等效为在输入和输出侧额外增加了两个噪声源。对模型进一步简化后可知,共模噪声的幅值为叁个电压源单独作用时在LISN上测得的噪声之和。利用迭加定理,单独分析每一个电压源作用时,其他两个电压噪声源看作短路处理,由此可以得到共模电流的具体流通通路,并可以通过计算得到LISN上100?电阻的共模电压值。迭加定理同样应用于差模通路的建模过程。当所有的电流源单独作用时,电路中的电压源看作短路。MOSFET作为电流源会在输入侧的滤波电容上产生压降,同理副边侧二极管作为电流源也会在输出侧的滤波电容上产生一定的电压,输入和输出侧电容上的电压通过电压源等效,由此电流源作为噪声源的电路转化为电压源作为噪声源。分别分析两侧电压源单独作用的情况,最后再进行迭加,从而得出差模电流的流通路径。值得注意的是,在分析单个电源作用的时候,会出现噪声源同时产生共模电流和差模电流的情况。将所有电源单独作用的情况分析完成后,提取并简化差模和共模的电流通路模型,仿真后得出电路在传导频段内(150k Hz-30MHz)的频谱,并与实测的噪声频谱进行对比。通过对比发现测试波形和仿真波形一致,验证了共模和差模传导噪声模型的正确性。由于电源传导的实测噪声已经超过了国际通用的传导干扰发射标准,需要采取有效的措施抑制噪声的幅值,使之降低到标准以下。本文采用国际上CISPER组织Class B标准,将实测的共模和差模噪声频谱幅值与限值进行比较,从而确定共模噪声和差模噪声需要衰减的量。首先,采用传统滤波器的设计方法进行噪声抑制。由传统滤波器电路可得到共模衰减斜率和差模衰减斜率,根据各频点需要衰减确定滤波器的差、共模转折频率。选择共模滤波电容和差模滤波电容,再由滤波器转折频率公式,计算得到共模滤波电感的值。一般差模电感不需单独设计,共模电感的漏感可以起到滤除差模电流的作用。滤波器设计完成后,实测加入滤波器后的半隔离变换器噪声,与原始噪声进行对比,发现噪声幅值有了较大下降,从而证明设计有良好效果和准确性。进一步研究发现,鉴于半隔离电源特殊的噪声通路,可以改进滤波器的拓扑,设计体积更小的滤波器。由于共模电感的存在,其漏感对差模电流有很大的阻碍作用,导致副边产生的差模电流更多的流经LISN上的电阻,使测试得到的差模噪声幅值增加。基于此原理,在保留共模滤波电感的基础上,在-48V原副边的连接线上加入了一个差模滤波电感。此差模电感可以切断副边产生的差模电流流入LISN侧的流通路径,从而进一步抑制了差模噪声电流的幅值,实现良好的滤波效果。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2016-12-01）
陈鹏[3]（2016）在《GIS中隔离开关操作产生的电磁干扰问题研究》一文中研究指出GIS中隔离开关操作会产生电弧重燃,触头间隙上电压突然跌落建立起阶跃电压。在GIS内部传播时产生特快速暂态过电压(VFTO)危害内部设备绝缘；向外部传播时产生暂态壳体电压(TEV)干扰二次设备正常运行甚至危害人身安全。随着电力系统的电压等级越来越高电磁环境越来越复杂,GIS的暂态过程中内部设备绝缘和二次系统干扰耦合问题越来越突出。针对这一问题,本文以陈家桥500kV GIS为例。首先运用贝瑞隆法等效各元件模型并选择恰当参数,建立EMTP电磁暂态电路模型计算节点上的VFTO;其次,利用理想变压器模型等效套管部件,建立GIS外部叁传输线模型计算壳体上的TEV；最后,分别讨论在电容式电压互感器(CVT)或电流互感器(CT)的情况下,一次系统暂态过电压或暂态过电流通过二次电缆对二次设备的传导干扰,观察几种抑制传导干扰措施的效果。分析结果表明：GIS中的VFTO幅值远远超过系统电压,其中残余电压、入口电容及合闸电阻对VFTO的影响较大；母线壳体的TEV除与内部VFTO有关外,主要决定于壳体的接地状况。接地电感越小则TEV的幅值越小,通常采用导电率高的接地材料或多点接地的方式减小TEV；二次侧的传导干扰的抑制措施主要是加强二次电缆的防护效果。采用多股导线接地和加装滤波电容的方式都能较好抑制传导干扰影响。(本文来源于《广西大学》期刊2016-06-01）
张姣,陈文洁,张斌,杨旭[4]（2015）在《非隔离型逆变器直流侧电磁干扰滤波器研究》一文中研究指出随着半导体开关器件的快速发展,其在电力电子产品中的应用也越来越多,开关频率的升高和开关的开通与关断导致了严重的电磁干扰问题。在光伏逆变系统中,其自身的电磁干扰问题日益成为一个主要的制约因素。电磁干扰检测是产品投产前的最后一个关键步骤,因此其重要性不可忽略。对光伏逆变系统进行了建模,并对该系统中共模干扰的路径进行了完整的分析。基于阻抗不平衡原则给出了直流侧EMI滤波器设计过程。分别对4种常用的滤波器拓扑进行研究分析,并在光伏逆变器的直流侧分别加入这4种类型的滤波器,得到与之对应的仿真结果和实验结果,验证了理论分析的正确性。(本文来源于《电工技术学报》期刊2015年S2期）
张姣,陈文洁,张斌,杨旭[5]（2015）在《非隔离型逆变器输入侧电磁干扰滤波器分析》一文中研究指出随着半导体开关器件的快速发展,在电力电子产品中的应用也越来越多,开关频率的升高和开关的开通与关断导致了严重的电磁干扰问题。本文中以光伏逆变系统为对象,其自身的电磁干扰问题日益成为一个主要的制约因素。电磁干扰检测往往是产品投产前的最后一个关键步骤,因此其重要性不可忽略。本文主要对光伏逆变系统进行了建模,并对该系统中共模干扰的路径进行了完整的分析,基于阻抗不平衡原则给出了直流侧EMI滤波器设计过程,分别对四种常用的滤波器拓扑进行研究分析,并得到在加入这几种滤波器后与未加之前的仿真结果与实验结果对比及其结果分析。(本文来源于《2015中国电磁兼容大会论文集》期刊2015-06-08）
胡玉生,温舒桦[6]（2015）在《分割电源地平面隔离电磁干扰的数值建模分析》一文中研究指出采用边界元法分析了多层印制电路板的电源/地平面采用蚀刻缝隙分割成电源岛对电磁噪声隔离的效果。研究了桥接结构对电磁干扰隔离的影响。阐述了计算S参数的边界元法。对有带隙分割、无带隙分割和无分割结构时的S参数和谐振频率进行了计算和对比分析。计算结果表明,分割电源岛可有效提高噪声隔离的带宽,带隙桥接结构对噪声隔离无明显改善作用。(本文来源于《第25届全国电磁兼容学术会议论文集》期刊2015-06-03）
李少东,黄国兵,张敏[7]（2015）在《高压隔离开关智能组件硬件系统的抗电磁干扰策略》一文中研究指出高压隔离开关智能组件是变电站智能一次设备的关键部件,但嵌入在一次设备中运行的智能组件电磁环境恶劣,可能导致隔离开关智能组件的误操作。为了提高智能组件的抗干扰能力,本文提出了改进硬件平台系统抗电磁干扰的设计理念。对智能组件系统所处的电磁干扰环境,电磁干扰源、抗电磁干扰机理做了详细分析,研究了设计电磁兼容性问题,总结出了智能组件系统硬件设计中应采取的抑制电磁干扰措施。通过对设计的硬件系统进行现场测试,试验效果验证了硬件系统抗干扰策略的可行性和有效性。(本文来源于《电子设计工程》期刊2015年07期）
汪泉弟,刘庆升,贾晋,郑亚利,刘青松[8]（2011）在《抑制汽车点火系统电磁干扰的光电隔离方法》一文中研究指出汽车发动机点火系统工作时产生的电磁辐射是车内最强的电磁干扰源,也是造成大多数电控单元(electrical control unit,ECU)误动作的主要原因。为了减小点火噪声对ECU的干扰,采用光电隔离技术来实现干扰源与控制电路的电气隔离。在分析点火系统电磁干扰形成机理的基础上,探讨了光电隔离技术抑制点火系统电磁干扰的可行性,设计了抑制点火系统电磁干扰的平台实验电路。实验结果表明,光电隔离电路在20～100MHz频段抑制点火噪声效果明显,在解决汽车电磁兼容问题上是可行的。(本文来源于《重庆大学学报》期刊2011年02期）
曾小平[9]（2009）在《电信基础设施共建共享中的电磁干扰隔离分析》一文中研究指出对电信基础设施共建共享中的各系统间的电磁干扰隔离要求进行了分析,提出了共天面的系统间电磁干扰隔离分析的方法以及解决干扰隔离的手段。对电信运营商广泛开展基础设施的共享,具有一定的参考意义。(本文来源于《广东通信技术》期刊2009年12期）
Ｍｉｃｈｉｅｌ Ｐｅｌｔ[10]（1999）在《一种评价布线系统的新方法──用耦合衰减衡量信道与干扰源之间的电磁隔离度》一文中研究指出今天，市场上有许多布线系统显示的优异性能已大大超出了国际或国内有线系统的标准。这使最终用户在衰减与串音比相同的两种布线系统间作出选择非常困难。如果你想采用今天的布线系统来支持未来的应用，那么，为了在带宽有限的信道中这到更高的数据速率，将不得不采用非常复杂(本文来源于《通讯世界》期刊1999年05期）
电磁干扰隔离论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
由于开关电源具有效率高、功率密度高、体积小、重量轻等优点,因此被广泛地应用于程控交换、光数据传输、无线基站、有线电视系统及IP网络中。当今通信开关电源多采用单端双端电路、半桥电路和全桥电路等拓扑,在中小功率场合,双单端电路和半桥电路被广泛地应用。然而,由于功率管有较高的开关频率,开关电源开通和关断过程产生的瞬变电压/电流含有较为丰富的高次谐波成分,这些谐波容易经过传导和辐射污染周围电磁环境,对其他通信设备和电子产品造成干扰。因此,通信开关电源需采取必要措施减小其电磁干扰发射的能力,使其符合EMC发射标准的规定。本课题主要针对一种结构较为少见的半隔离式DC/DC开关电源的传导EMI问题进行研究。在该电路拓扑中,部分电能从输入侧直接传递到输出,另一部分电能则通过变压器耦合到输出侧。本文从该电路DC/DC工作过程出发,在分析其差、共模干扰传播特性的基础上,建立其传导电磁干扰的模型,并研究在此拓扑中出现的传导干扰新特性,进而提出相应的改进和抑制措施。为了研究该半隔离拓扑开关电源的电磁干扰机理,文本具体介绍了这台额定输入-48V,输出为-57V,工作在开关频率110k Hz的半隔离功率变换器。隔离部分的变压器原边采用全桥电路,副边采用全波整流。在此基础上,原副边用一根-48V线相连接来实现增压输出。根据电路纹波指标,设计了主电路电感电容等器件参数。变压器采用导线单层绕制的方法,选择PC40作为磁芯材料,磁芯骨架结构为EI28,并由工作电流大小确定绕组的绕线方式和线径大小。变换器采用对角MOS管交替触发的控制方式,对直流输入电压进行逆变和整流后,通过输出侧LC滤波后变换出直流电压。在主电路参数确定的基础上,在控制电路变换器中设计了PID补偿器,使补偿后的系统满足稳定性等要求,并实现DC/DC变换控制。为了对该电源中传导电磁干扰进行仿真,从而实现噪声的准确预测。建立该半隔离变换器电路中器件的高频电路模型,主要包括无源器件、有源器件及PCB板的高频模型。对于无源器件,电容和电感均采用阻抗分析仪测试其传导频段内的阻抗曲线,并与阻抗分析仪内部的高频等效电路仿真结果进行比对,确定其寄生元件的参数。对于MOSFET和二极管等有源器件,利用SABER软件中自带的MOSFET高频模型和二极管高频模型,将厂家提供的元器件各特性曲线导入到SABER软件中进行拟合,由软件自动计算出有源器件高频模型中的寄生电感和寄生电容。由于变压器的高频模型和绕组的绕制方式和磁芯参数有很大关系,而且本课题中采用了副边中心抽头式的变压器,其高频建模是较大难点。本研究采用传统变压器高频模型,主要参数包括原副边漏阻抗,原边的励磁阻抗和绕组间的寄生电容。其中,通过对变压器进行短接实验,由阻抗分析仪可以得到其漏阻抗和励磁阻抗的高频曲线,对这些阻抗的仿真结果和实测结果进行拟合对比,从而得到变压器的漏阻抗模型和励磁阻抗模型及参数。绕组间的耦合电容则采用解析计算的方法,由算式得到变压器原副边之间的寄生电容值。为了进一步分析EMI噪声的耦合通路,对本课题所用变压器的最终的高频寄生电容进行了简化。PCB板中走线也存在高频寄生电感和寄生电容,使用LCR表可以测得PCB板上走线的电感、电容以及MOS管对地寄生电容。将上述所有模型组合后,可以得到该半隔离式DC/DC变换器完整的高频仿真模型。将母线上的噪声仿真结果与样机实测得到的噪声进行比对,两者的频谱高度吻合,以此验证该高频模型的正确性。为了明确传导干扰的路径及各噪声源产生干扰成分的大小,从而为滤波器的设计提供依据,本文分析了半隔离开关电源的传导(CE)干扰形成机理和特点。根据EMI叁要素定义,分别阐述了差模(DM)和共模(CM)噪声的干扰源、干扰路径及它们噪声频谱的特点。根据已有的研究共识,半隔离式变换器中的主要干扰源来自MOSFET和二极管等有源器件在开通和关断过程中产生的过快的电压和电流变化。根据有关文献成果,由于MOSFET的散热片与物理大地之间存在寄生耦合电容,作为噪声源的MOSFET由于其在开关过程中产生的电压尖峰不断地对此寄生电容进行充放电,导致其产生明显的共模电流,而寄生电容也为共模电流提供了耦合通道。同时,二极管在开通和关断的动态过程中,也存在较为明显的反向恢复电流,这些峰值较大的电流从而成为差模干扰的主要来源。本课题在建模过程中,将全桥每个桥臂电压低边侧的MOSFET等效成电压源,而每个桥臂电压高边侧的MOSFET以及所有的二极管则按照电流源等效。其中,实测样机的MOSFET电压电流波形以及二极管的电流波形将在文中给出,以便于分析各噪声源的幅值大小。在确定了噪声源的基础上,该半隔离电源噪声通路的分析主要依据电路迭加和等效原理进行。分析电压源的影响时,所有的电流源被当作开路处理。由于MOSFET作为电压源作用时,其产生的电流会对输入和输出侧的滤波电容有较大的影响,此时可以等效为在输入和输出侧额外增加了两个噪声源。对模型进一步简化后可知,共模噪声的幅值为叁个电压源单独作用时在LISN上测得的噪声之和。利用迭加定理,单独分析每一个电压源作用时,其他两个电压噪声源看作短路处理,由此可以得到共模电流的具体流通通路,并可以通过计算得到LISN上100?电阻的共模电压值。迭加定理同样应用于差模通路的建模过程。当所有的电流源单独作用时,电路中的电压源看作短路。MOSFET作为电流源会在输入侧的滤波电容上产生压降,同理副边侧二极管作为电流源也会在输出侧的滤波电容上产生一定的电压,输入和输出侧电容上的电压通过电压源等效,由此电流源作为噪声源的电路转化为电压源作为噪声源。分别分析两侧电压源单独作用的情况,最后再进行迭加,从而得出差模电流的流通路径。值得注意的是,在分析单个电源作用的时候,会出现噪声源同时产生共模电流和差模电流的情况。将所有电源单独作用的情况分析完成后,提取并简化差模和共模的电流通路模型,仿真后得出电路在传导频段内(150k Hz-30MHz)的频谱,并与实测的噪声频谱进行对比。通过对比发现测试波形和仿真波形一致,验证了共模和差模传导噪声模型的正确性。由于电源传导的实测噪声已经超过了国际通用的传导干扰发射标准,需要采取有效的措施抑制噪声的幅值,使之降低到标准以下。本文采用国际上CISPER组织Class B标准,将实测的共模和差模噪声频谱幅值与限值进行比较,从而确定共模噪声和差模噪声需要衰减的量。首先,采用传统滤波器的设计方法进行噪声抑制。由传统滤波器电路可得到共模衰减斜率和差模衰减斜率,根据各频点需要衰减确定滤波器的差、共模转折频率。选择共模滤波电容和差模滤波电容,再由滤波器转折频率公式,计算得到共模滤波电感的值。一般差模电感不需单独设计,共模电感的漏感可以起到滤除差模电流的作用。滤波器设计完成后,实测加入滤波器后的半隔离变换器噪声,与原始噪声进行对比,发现噪声幅值有了较大下降,从而证明设计有良好效果和准确性。进一步研究发现,鉴于半隔离电源特殊的噪声通路,可以改进滤波器的拓扑,设计体积更小的滤波器。由于共模电感的存在,其漏感对差模电流有很大的阻碍作用,导致副边产生的差模电流更多的流经LISN上的电阻,使测试得到的差模噪声幅值增加。基于此原理,在保留共模滤波电感的基础上,在-48V原副边的连接线上加入了一个差模滤波电感。此差模电感可以切断副边产生的差模电流流入LISN侧的流通路径,从而进一步抑制了差模噪声电流的幅值,实现良好的滤波效果。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电磁干扰隔离论文参考文献
[1].李维江,檀英辉,李广渊,王强,马宁.强电磁干扰环境下隔离开关回路电阻测量方法的优化[J].华电技术.2018
[2].郑博.半隔离DC/DC开关电源传导电磁干扰预测与抑制研究[D].哈尔滨工业大学.2016
[3].陈鹏.GIS中隔离开关操作产生的电磁干扰问题研究[D].广西大学.2016
[4].张姣,陈文洁,张斌,杨旭.非隔离型逆变器直流侧电磁干扰滤波器研究[J].电工技术学报.2015
[5].张姣,陈文洁,张斌,杨旭.非隔离型逆变器输入侧电磁干扰滤波器分析[C].2015中国电磁兼容大会论文集.2015
[6].胡玉生,温舒桦.分割电源地平面隔离电磁干扰的数值建模分析[C].第25届全国电磁兼容学术会议论文集.2015
[7].李少东,黄国兵,张敏.高压隔离开关智能组件硬件系统的抗电磁干扰策略[J].电子设计工程.2015
[8].汪泉弟,刘庆升,贾晋,郑亚利,刘青松.抑制汽车点火系统电磁干扰的光电隔离方法[J].重庆大学学报.2011
[9].曾小平.电信基础设施共建共享中的电磁干扰隔离分析[J].广东通信技术.2009
[10].Ｍｉｃｈｉｅｌ Ｐｅｌｔ.一种评价布线系统的新方法──用耦合衰减衡量信道与干扰源之间的电磁隔离度[J].通讯世界.1999