导读:本文包含了射频偏压论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:射频放电,空心阴极放电,直流负偏压,PIC,MCC模拟
射频偏压论文文献综述
贺柳良,欧阳吉庭,黄伟,马黎君[1]（2018）在《偏压对射频空心阴极放电特性影响的PIC/MCC模拟研究》一文中研究指出采用粒子网格(PIC)法与Monte Carlo碰撞(MCC)模型相结合的方法(PIC/MCC法),研究了在射频空心阴极放电系统中,负直流偏压(-10～-50 V)对放电特性的影响。通过模拟获得了在不同的外加负直流偏压下,空心电极孔内的电子密度、径向电场、轴向电场等参数的变化。计算结果表明,随着偏压从-10增加到-50 V,阴极孔内电子密度和径向、轴向电场逐渐增大;加偏压的孔内电子密度和径向、轴向电场比不加偏压的更大。从放电早期到达到稳定放电的过程中,电子逐渐从接地阳极附近移入空心电极孔内,孔内电子密度和径向、轴向电场随时间增长而增大;在同一时刻,放电系统施加偏压的孔内电子密度和径向、轴向电场比不加偏压的更大。达到稳定放电后,孔内电子密度和径向、轴向电场等不再发生变化。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2018年12期）
于振声[2]（2018）在《光载射频通信系统中电光调制器偏压控制技术研究》一文中研究指出集成了无线通信以及光纤通信技术优点的光载射频(RoF)技术应用越来越广泛。作为RoF系统关键器件之一的电光调制器受限于材料特质,会在外部因素的影响下发生偏压漂移现象,严重影响RoF系统的通信质量,这对电光调制器的偏压控制提出了极大要求。针对电光调制器的偏压漂移问题,本文进行了偏压控制研究,提出了针对提高系统无杂散动态范围的线性优化方案中DPMZM的任意点偏压控制系统,并针对所提出方案的不足进行改进,在此基础上设计了硬件电路。论文从电光调制器工作的物理基础入手,说明了电光调制器发生偏压漂移的现象及其原因,介绍了几种常用的电光调制器以及常用的调制方式,着重介绍了一种基于DPMZM的线性优化方案,该方案通过调整DPMZM叁个偏置点到最优点,抵消系统叁阶交调干扰以达到增大系统无杂散动态范围的目的。论文详细阐述了几种马赫-曾德尔调制器的偏压控制方案,其中包括直流功率检测法、导频信号法,以及直流功率检测法的改进方法——后向光功率检测法,对以上方案的原理进行了理论推导,分析了其各自的优缺点;之后介绍了一种利用导频法控制DPMZM工作于最大点、最小点以及正交点的常用工作点方案,对该方案进行了理论推导证明,分析了该方案的优势和劣势。论文针对所介绍的线性优化方案,说明了DPMZM在此场景下进行偏压控制的必要性,提出了一种基于叁导频分时隙检测谐波分量比值的DPMZM任意点偏压控制方案,详细介绍、推导了该方案的原理,并对该方案进行仿真验证,针对验证过程中出现的误差分析产生原因,并提出有效的改进措施。最后针对提出的DPMZM的叁导频偏压控制方案,给出该方案中偏压控制的具体电路结构,对完整电路按功能分模块单独实现,包括前置放大、滤波、数据处理、导频生成以及供电模块等,综合选择合理器件对各功能模块进行原理说明、参数调整、仿真验证,说明电路的可行性,最后搭建相对完整的偏压控制硬件系统。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2018-04-01）
朱和康,魏秋平,马莉,周科朝,刘娜[3]（2017）在《射频偏压辅助磁控溅射制备类金刚石薄膜及其性能》一文中研究指出类金刚石薄膜具有优异的力学、耐摩擦性能、抗腐蚀性能和生物相容性,且可以在低温下沉积,在摩擦学、生物医用等领域有着很大的应用潜力。目前,类金刚石薄膜走向应用的主要障碍是缺乏一种可以工业化大面积高效率沉积出综合性能优异的类金刚石薄膜的制备方法。本实验为了克服此障碍,通过改装磁控溅射设备,使得基底可以施加不同大小的射频偏压,成功对基底实现了离子注入和刻蚀清洗,高效率地制备出了膜基结合强度高,力学性能、耐摩擦性能和耐腐蚀性能均优异的类金刚石薄膜。运用这种射频偏压辅助磁控溅射方法,可以对类金刚石薄膜的结构进行大范围有效的调控,并成功在不锈钢上制备出了梯度Cr掺杂类金刚石薄膜(GCr-DLC:H),纳米硬度高达24GPa,摩擦系数低至0.07。本实验还通过调控CrC过渡层的成分和结构,运用DLC:H/CrC薄膜体系将304不锈钢的耐腐蚀性能提升了4个数量级。运用该制备方法还成功实现了对镁合金AZ31的N~+离子注入(Ar&N/AZ31),并将镁合金表面转变成非晶态。DLC:H/SiN_x/Ar&N/AZ31体系能够极大地提升镁合金的耐腐蚀性能,并具有高的长期耐腐蚀性能。(本文来源于《TFC’17全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2017-08-19）
薛婵,高飞,张钰如,王友年[4]（2017）在《感性耦合等离子体中射频偏压相位对离子能量分布的影响》一文中研究指出感性耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,即ICP)由于其具有大面积、高密度、离子能量和通量能够独立控制等优点,通常被用于半导体器件的生产过程中。随着晶元尺寸的增大,刻蚀线宽的减小,半导体芯片刻蚀过程中对等离子体源控制的要求变得更加严格。因此,基片台上离子能量分布的研究也变得日益重要。我们利用减速场离子能量分析仪,研究了射频偏压的相位延迟(相对于射频源的射频信号)对连续及同步脉冲调制的射频感性耦合等离子体中离子能量分布(ion energy distribution,IED)的影响。研究发现,无论是在连续放电还是脉冲调制放电模式下,当相位延迟从0°增加至180°时,IED向低能区移动,并且IED的能量宽度变窄。然而,当相位延迟从180°增加至360°时,IED随相位延迟的演化与0°~180°时相反。这是因为随着相位延迟从0°增加至180°,施加的射频偏压波形与射频鞘层的电压波形耦合,从而会引起基片台上总电压波形的电压降减小,进而降低离子的能量,即表现为IED向低能区移动且IED的能量宽度变窄。这可以通过高压探头测得的基片台上的电压波形得到验证。(本文来源于《第十八届全国等离子体科学技术会议摘要集》期刊2017-07-26）
麻晓琴[5]（2017）在《氯氩感应耦合等离子体脉冲调制射频偏压对原子层刻蚀影响的研究》一文中研究指出微电子制造中特征尺寸(Critical Dimensions,CD)的不断减小对工艺提出了更严格的要求,要实现对刻蚀槽形貌演化的更精确的控制,甚至达到原子层级别的精度。等离子体刻蚀(Plasma Etching)相比于传统的湿法刻蚀有着其显着的优点,如:高各向异性,高选择性,高刻蚀速率等。等离子体原子层刻蚀(Plasma Atomic Layer Etching,PALE)有原子尺寸的分辨率,能够实现对材料的单层刻蚀。在刻蚀过程中,入射到基片上的离子能量和角度分布(Ion Energy and Angular Distributions,IEADs)对于刻蚀槽形貌的演化起着关键的作用,所以在工艺中灵活地控制IEADs是非常重要的。特定的偏压波形(Tailored Bias Waveforms)是调节离子能量和角度分布的一种有效的方式,进而实现对刻蚀槽形貌的改善。本文采用耦合反应腔室模型(Reactor Model)、鞘层模型(Sheath Model)和刻蚀槽剖面演化模型(Etch Model)的多尺度模型来研究不同的放电参数和偏压波形对氯氩感应耦合等离子体中硅的原子层刻蚀的影响。本文采用商业软件CFD-ACE+模拟感应耦合等离子(Inductively Coupled Plasma,ICP)腔室放电过程,得出了不同放电气压、不同放电功率条件下腔室中离子和中性粒子的密度分布情况。本文使用的鞘层模型是耦合了流体模型(Fluid Model)和蒙特卡洛模型(Monte Carlo Model)的混合鞘层模型,将CFD-ACE+给出的离子及中性粒子密度作为边界条件,其中流体模型给出了随时空变化的物理量,如极板电势和鞘层厚度等,蒙特卡洛模型考虑离子和中性粒子之间的碰撞过程,计算出到达极板处的离子能量分布(Ion Energy Distributions,IEDs)和离子角度分布(Ion Angle Distributions,IADs)。最后,刻蚀槽模型将CFD-ACE+给出的离子和中性粒子通量以及鞘层模型给出的极板处离子能量和角度分布(IEADs)作为边界条件,模拟给出不同条件下刻蚀槽的剖面演化情况。本文第叁章讨论了射频偏压条件下,不同的脉冲等离子源参数对腔室离子密度和极板处离子能量角度分布的影响。结果显示,不同的放电参数、源脉冲占空比及源脉冲频率能够影响腔室离子密度和极板离子能量角度的分布情况。本文第四章研究了射频等离子体源条件下,不同放电参数对腔室各离子密度和极板处IEADs的影响,以及不同的偏压波形对IEADs的影响。结果表明,不同的放电参数对腔室各离子密度和极板处的IEADs有明显的影响,而且,在极板电极施加特定的偏压波形能够灵活地控制轰击到极板上的离子能量分布,以便得到更加均匀的IEDs。本文第五章讨论了不同的放电参数及不同的偏压波形对刻蚀槽剖面演化的影响。结果表明,特定的偏压波形能够有效地改善刻蚀槽的形貌,得到较理想的刻蚀剖面。(本文来源于《大连理工大学》期刊2017-05-01）
解艳凤,施芸城,黄晓江,石建军,郭颖[6]（2013）在《直流脉冲偏压协同射频等离子体对PET膜的表面改性》一文中研究指出利用协同射频等离子体对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜进行表面改性,主要研究了直流(DC)脉冲偏压协同作用对PET膜表面快速(15 s)处理效果的影响。实验表明:DC脉冲偏压作用后PET表面润湿性得到了明显的改善,接触角可在15 s的处理时间内降到20°。改性后的PET与Au膜的剥离力比未处理样品提升了近6倍。场发射扫描电镜测试结果发现,薄膜表面刻蚀现象明显,表面粗糙程度增加。经过X射线光电子能谱分析表明,改性后的PET表面生成了大量的含氧极性官能团,使得表面含氧量有了很大的提高。结果表明DC脉冲偏压可快速有效地提高PET膜表面粗糙程度和含氧官能团数量,进而影响其亲水性和表面黏结性,为进一步改善等离子体表面改性工艺提供了依据。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2013年09期）
陈树君,王海亮,刘松,李振东,王建新[7]（2013）在《真空镀膜领域射频迭加直流偏压技术研究》一文中研究指出针对射频辉光放电过程中射频电源与直流偏压电源的迭加问题,通过分析阻抗匹配网络和高频屏蔽网络的工作原理,利用阻抗匹配网络将射频电源的高频能量最大效率的输出到真空室,利用高频屏蔽网络将射频电源的高频能量进行屏蔽的同时将直流偏压电源的低频能量最大效率的输出到真空室。对射频辉光放电过程中射频电源、直流偏压电源以及真空室模型进行了系统的电路仿真,实现了射频电源与直流偏压电源的迭加,利用自制的射频电源与直流偏压电源系统进行了真空镀膜实验,证实了双电源系统的可行性。研究结果表明,利用阻抗匹配网络和高频屏蔽网络能够很好地将射频电源与直流偏压电源进行迭加,由双电源系统产生的带有负偏压的高频能量能够对真空镀膜工艺产生影响,有助于探索新的镀膜工艺。(本文来源于《机电工程》期刊2013年08期）
公发全,李刚,吕起鹏,贾春燕,刘万发[8]（2013）在《射频磁控溅射中偏压对薄膜污染的影响》一文中研究指出薄膜溅射过程中杂质污染问题是影响薄膜质量的重要因素,会造成薄膜的吸收和散射损耗增大、结合力下降,形成针孔等。采用射频磁控溅射沉积氧化铝薄膜时,发现在不同负偏压条件下,真空室内的金属离子会造成不同程度薄膜污染,采用XPS对污染物进行了测试表征,并对污染来源进行了分析,最后得出结论:在较高负偏压条件下真空室器壁金属溅射,是造成镀制氧化铝薄膜的重要污染源。(本文来源于《长春理工大学学报(自然科学版)》期刊2013年Z2期）
高飞,刘巍,张钰如,赵书霞,李雪春[9]（2013）在《射频感应耦合等离子体的模式跳变及偏压效应的实验研究》一文中研究指出引言射频感应耦合等离子体源(ICP)具有等离子体密度高(10~(11)-10~(12)cm~(-3))、工作气压低(0.1-100 mTorr)、独立的控制离子能量和等离子体密度及装置结构简单等优点,从而被广泛地应用于等离子体辅助加工领域,尤其是应用于半导体芯片刻蚀工艺。众所周知,ICP存在两种运行模式:E模式和H模式。E模式是由线圈两端的电压降来(本文来源于《第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会会议摘要集》期刊2013-08-15）
解艳凤[10]（2013）在《脉冲偏压协同射频等离子体对PET膜的表面改性》一文中研究指出柔性电子技术是一场全新的电子技术革命,引起全世界的广泛关注并得到了迅速发展。鉴于透明度、柔韧性及力学性能要求,高分子聚合物材料是柔性基板的理想选择,但是由于高分子薄膜的表面能低,柔性基板表面与导电膜之间的黏结情况会直接影响柔性电子器件的整体质量。目前,最普遍的方法就是对其进行表面改性处理。本文采用直流(DC)脉冲偏压协同射频(RF)脉冲等离子体对聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜进行表面改性,并对其改性原因进行分析。借助场发射电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)等测试方法对改性后PET膜表面的形态结构和化学组成进行了表征分析,通过接触角测试仪和剥离试验对改性后的润湿性和黏结性进行了测量和表征。利用朗缪尔探针和发射光谱对等离子体内粒子状态进行诊断,发射光谱主要讨论O777.3nm (3s5P→3s5S0)、844.6nm (3p3P→3s5S0)、Ar912.3nm (2p→101s5)特征谱线的发光强度。实验结果如下：通过增加脉冲偏压协同作用,可以在15s时间内快速有效的提高表面亲水性和黏结性。调制频率1KHz情况下,接触角15s内降低至200,且随着偏压的增大,表面亲水性越好,黏结性越好,改性后的PET与Au膜的剥离力比未处理样品提升了近6倍。通过FESEM和XPS测试分析,经偏压协同等离子体处理后,PET膜表面刻蚀现象明显,粗糙程度增加,甲基碳(O-CH2)含量上升,溅射镀金过程产生Au-O键,增加金膜与PET膜之间的结合力。脉冲调制频率200Hz时,相对于1KHz时改性后亲水性更佳,接触角最低降至17°,表面粗糙程度增大。低频调制时有利于等离子体活性种能量的增大,表面刻蚀加剧。时效性分析表明,改性效果越好接触角恢复越慢,例如BV=-800V最慢。且施加偏压的时效性优于未加偏压的情况,当处理条件为BV=0V时,4天后恢复至47°,而处理条件BV=-800V恢复至47。需要15天。通过改变等离子体活性种浓度时发现,偏压源未延迟,即delay0ms时,活性种浓度和能量最大,AFM测试表面粗糙度最大,XPS分析表面C-C键被打断,含量降低,PET膜表面改性效果最好。时间延迟后,等离子体活性种浓度和能量降低,刻蚀程度降低,表面粗糙度下降,同时表面C-C无法打开,羧基、羟基等含氧官能团含量略有上升,脂基氧含量下降,而脂基官能团亲水性最好,所以导致延迟后改性处理效果略差,说明DC脉冲偏压的协同处理作用效果显着。(本文来源于《东华大学》期刊2013-01-01）
射频偏压论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
集成了无线通信以及光纤通信技术优点的光载射频(RoF)技术应用越来越广泛。作为RoF系统关键器件之一的电光调制器受限于材料特质,会在外部因素的影响下发生偏压漂移现象,严重影响RoF系统的通信质量,这对电光调制器的偏压控制提出了极大要求。针对电光调制器的偏压漂移问题,本文进行了偏压控制研究,提出了针对提高系统无杂散动态范围的线性优化方案中DPMZM的任意点偏压控制系统,并针对所提出方案的不足进行改进,在此基础上设计了硬件电路。论文从电光调制器工作的物理基础入手,说明了电光调制器发生偏压漂移的现象及其原因,介绍了几种常用的电光调制器以及常用的调制方式,着重介绍了一种基于DPMZM的线性优化方案,该方案通过调整DPMZM叁个偏置点到最优点,抵消系统叁阶交调干扰以达到增大系统无杂散动态范围的目的。论文详细阐述了几种马赫-曾德尔调制器的偏压控制方案,其中包括直流功率检测法、导频信号法,以及直流功率检测法的改进方法——后向光功率检测法,对以上方案的原理进行了理论推导,分析了其各自的优缺点;之后介绍了一种利用导频法控制DPMZM工作于最大点、最小点以及正交点的常用工作点方案,对该方案进行了理论推导证明,分析了该方案的优势和劣势。论文针对所介绍的线性优化方案,说明了DPMZM在此场景下进行偏压控制的必要性,提出了一种基于叁导频分时隙检测谐波分量比值的DPMZM任意点偏压控制方案,详细介绍、推导了该方案的原理,并对该方案进行仿真验证,针对验证过程中出现的误差分析产生原因,并提出有效的改进措施。最后针对提出的DPMZM的叁导频偏压控制方案,给出该方案中偏压控制的具体电路结构,对完整电路按功能分模块单独实现,包括前置放大、滤波、数据处理、导频生成以及供电模块等,综合选择合理器件对各功能模块进行原理说明、参数调整、仿真验证,说明电路的可行性,最后搭建相对完整的偏压控制硬件系统。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
射频偏压论文参考文献
[1].贺柳良,欧阳吉庭,黄伟,马黎君.偏压对射频空心阴极放电特性影响的PIC/MCC模拟研究[J].真空科学与技术学报.2018
[2].于振声.光载射频通信系统中电光调制器偏压控制技术研究[D].西安电子科技大学.2018
[3].朱和康,魏秋平,马莉,周科朝,刘娜.射频偏压辅助磁控溅射制备类金刚石薄膜及其性能[C].TFC’17全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2017
[4].薛婵,高飞,张钰如,王友年.感性耦合等离子体中射频偏压相位对离子能量分布的影响[C].第十八届全国等离子体科学技术会议摘要集.2017
[5].麻晓琴.氯氩感应耦合等离子体脉冲调制射频偏压对原子层刻蚀影响的研究[D].大连理工大学.2017
[6].解艳凤,施芸城,黄晓江,石建军,郭颖.直流脉冲偏压协同射频等离子体对PET膜的表面改性[J].真空科学与技术学报.2013
[7].陈树君,王海亮,刘松,李振东,王建新.真空镀膜领域射频迭加直流偏压技术研究[J].机电工程.2013
[8].公发全,李刚,吕起鹏,贾春燕,刘万发.射频磁控溅射中偏压对薄膜污染的影响[J].长春理工大学学报(自然科学版).2013
[9].高飞,刘巍,张钰如,赵书霞,李雪春.射频感应耦合等离子体的模式跳变及偏压效应的实验研究[C].第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会会议摘要集.2013
[10].解艳凤.脉冲偏压协同射频等离子体对PET膜的表面改性[D].东华大学.2013