导读:本文包含了界面电子结构论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:自旋轨道耦合,极化,界面与异质结,半导体
界面电子结构论文文献综述
张东,娄文凯,常凯[1]（2019）在《半导体极性界面电子结构的理论研究》一文中研究指出半导体电子结构的有效调控一直是人们长期关注的科学问题,也是主流半导体材料物性与器件设计的核心科学问题之一.传统栅极技术只能在小范围内改变半导体材料的带隙,作者从理论上通过人工设计半导体极性界面,产生约10 MV/cm的内建电场,从而实现对Ge、InN等主流半导体带隙在0—2 eV范围内的有效调控,并显着增强Rashba自旋轨道耦合强度,作者进一步利用构建的多带k.p模型证明增强的Rashba自旋轨道耦合可以将常规半导体驱动至拓扑相.文章重点介绍极性半导体InN的极性界面能隙调控;以及Ⅳ族非极性半导体Ge的极性界面能带调控.半导体极性界面的制备与主流半导体工艺兼容,展现了极性界面在主流半导体量子结构的物性调控与光电器件中潜在的应用前景.(本文来源于《物理学报》期刊2019年16期）
张振华,刘伟伟,许并社,郭俊杰[2]（2019）在《材料界面原子、电子结构的设计与表征》一文中研究指出材料的变形与相变、晶体生长、电荷分离传输、催化反应等过程均涉及到材料中的界面问题,并且紧密依赖于界面附近的原子和电子结构。因此,可以通过调控材料的界面原子、电子结构来赋予材料特殊的新功能。介绍了材料界面研究的最新进展,枚举了研究者如何获得固-固材料界面的原子结构,在光催化和太阳能电池中如何利用界面分离和电荷传输及电子全息技术定量分析二维电子气,以及在材料生长和催化过程中的固-液和固-气界面演化。这些研究结果展示了人们对界面原子、电子结构前所未有的认知,这些科学而直观的构效关系对于启发研究者设计和构筑更加精细、高效的界面结构提出了新思路。(本文来源于《中国材料进展》期刊2019年08期）
姚婷婷,尹德强,陈春林,马秀良,IKUHARA,Yuichi[3]（2018）在《Sr_2Nb_2O_7/SrNbO_3与Sr_2Nb_2O_7/LaAlO_3界面的原子与电子结构》一文中研究指出本文利用球差校正透射电子显微术与第一性原理理论计算相结合的方法研究了Sr_2Nb_2O_7/SrNbO_3与Sr_2Nb_2O_7/LaAlO_3异质界面的原子与电子结构。LaAlO_3对Sr_2Nb_2O_7电学性质的影响较小,界面附近的Sr_2Nb_2O_7和其体材料一样表现为绝缘体,但其带隙减小了～0.3 eV。SrNbO_3对Sr_2Nb_2O_7电学性质具有较大影响,界面附近的Sr_2Nb_2O_7表现为金属性,原因为其NbO_6八面体的畸变由于界面效应的影响变得更小。(本文来源于《电子显微学报》期刊2018年05期）
杜莹莹[4]（2018）在《有机受体材料PC_(61)BM和ITIC与金属或惰性衬底的界面电子结构》一文中研究指出在有机场效应器件和有机光伏器件中,广泛存在有机/金属界面和有机/惰性材料界面,界面的能级排布影响界面问的电荷输运,从而直接影响器件的性能。本文以同步辐射光电子能谱(SRPES)测量为主,软X射线吸收谱(XAS)和密度泛函理论(DFT)计算为辅研究了富勒烯衍生物PC61BM及非富勒烯小分子ITIC与一些衬底间的界面电子结构。对于有机/惰性材料界面,能级排布由整数电荷转移模型(ICT模型)决定;这个模型中有一个重要的概念是负整数电荷转移能级(EICT-,对受体分子而言)。鉴于当前非富勒烯受体分子的迅速发展,本文测量了典型的非富勒烯受体小分子ITIC的EICT-,结果为4.00±0.0δeV。我们还用XAS研究了ITIC薄膜内的分子取向,结果表明ITIC在惰性衬底上是face-on取向。本文还用DFT研究了I IC的电子关联和极化子效应,揭示出电子的强关联效应对有机分子电子结构有重要影响。对于有机/金属界面,本文用PES详细研究了 Au(111)、Ag(111)、Au(100)和Ag(100)这四种衬底上PC61BM薄膜的界面电子结构。这里的界面是化学吸附。我们以前提出的TSI+ICT方法(即双子界面模型加上整数电荷转移模型)能够分析这类界面。这部分工作除了拓展了 TSI+ICT方法的内涵和应用范围,还揭示出PC61BM分子的本征偶极矩影响界面处的分子排列方式,进而对界面电子结构有很大影响。最后,我们研究了更复杂的Ca/PC61BM(在PC61BM薄膜上沉积Ca)和PC61BM/Ca(在Ca薄膜上沉积PC61BM)界面的电子结构。这类界面存在显着的金属原子扩散。针对这类界面本文提出了过渡层模型(TL模型)。根据这个模型,电子在从PC61BM薄膜内部传输到Ca金属层的过程中不会遇到能量势垒,界面是欧姆接触。(本文来源于《浙江大学》期刊2018-07-01）
顾芳,孙亚飞,张加宏,何鹏翔,王丽阳[5]（2018）在《掺杂Si/SiO_2界面电子结构与光学性质的第一性原理研究》一文中研究指出采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似(LDA)下研究了B掺杂Si/SiO_2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO_2界面均属于直隙半导体材料,但掺B后界面带隙由0. 74 eV减小为0. 57 eV,说明掺B使材料的金属性增强;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,发现随着压强不断增大,Si/SiO_2界面的带隙呈现了逐渐减小的趋势,并且由直隙逐渐转变为间隙.光学性质的计算结果表明:掺B对Si/SiO_2界面在低能区(即红外区)的介电函数虚部、吸收系数、折射率以及反射率等光学参数有显着影响,且在红外区出现新的吸收峰;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,随着压强增大,红外区的吸收峰逐渐消失,而在紫外区出现了吸收峰.上述结果表明,对Si/SiO_2界面掺B及施加正压强均可调控Si/SiO_2界面的电子结构与光学性质.本文的研究为基于Si/SiO_2界面的光电器件研究与设计提供一定的理论参考.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2018年05期）
刘越[6]（2018）在《石墨烯/Al基复合材料界面性质与电子结构的第一性原理研究》一文中研究指出石墨烯具有远远高于传统材料的物理及力学性能,且二者完美统一,是理想的增强体材料,已证明其作为增强体能够大幅提升复合材料性能。石墨烯/Al复合材料具备高比强度、优异延展性及良好机加性能,其较于传统Al基复合材料性能有显着改善。目前石墨烯/Al复合材料的试验研究主要在组织表征与性能研究等领域,而对复合材料结合的重点—界面结合机制的研究受石墨烯特点及设备因素制约。第一性原理在复合材料界面结合、成键类型、界面电子结构等领域研究不受材料和仪器限制,弥补了试验的不足。本文采用第一性原理研究了石墨烯/Al复合材料相界面的界面稳定性、能量大小、电子结构。石墨烯/Al复合材料存在石墨烯、Al、Si及4H-SiC相。对多层石墨烯的能量计算结果表明:双层石墨烯以AB型堆垛顺序排列、叁层石墨烯以ABA型堆垛顺序排列的总能量较低。对石墨烯的单空位缺陷、双空位缺陷及拓扑缺陷叁种缺陷的能量讨论,缺陷类型为拓扑缺陷时,缺陷形成能最小;缺陷的引入能够提高石墨烯的非金属性,同时缺陷对石墨烯起到钉扎作用。对石墨烯/Al复合材料的Al、Si、4H-SiC相的多个低指数表面的表面能计算结果表明,表面能最低的表面分别是Al(111)面、Si(011)面,能量值分别为0.6363J/m~2、1.0556J/m~2;4H-SiC的非极性表面中SiC(11(?)0)面表面能最低;4H-SiC极性表面中和非极性表面SiC(0001)-Si终端,表面Si原子仅含有一个未饱和键的表面的表面能最低。利用第一性原理研究了合金元素掺杂的纯Al/石墨烯/纯Al界面的界面稳定性、电子结构。对于Al/石墨烯/Al界面模型,不同层数石墨烯及不同的石墨烯-Al间界面结合方式几乎不影响界面结合强度;结合界面分离功和界面间距判定界面结合机制为弱相互作用(物理吸附)或机械结合;Al/缺陷石墨烯/Al界面的界面结合稳定性较纯铝有所提升,界面分离功大小提升到-1.1764J/m~2。分别引入Si、Mg合金元素,均提高了界面的界面分离功。掺杂原子与石墨烯间存在电子相互作用,Si、Mg原子与石墨烯结合机制为强相互作用(化学吸附)。本文研究了石墨烯/Al复合材料相界面性质。Si/单层石墨烯/Si界面的界面分离功大小为0.0278J/m~2,Si和C之间存在少量电荷转移。SiC/单层石墨烯/SiC界面中SiC(11(?)0)/石墨烯(0001)/SiC(11(?)0)界面的界面分离功值较高,为0.0132J/m~2。SiC(11(?)0)/石墨烯(0001)/SiC(11(?)0)界面第一层Si原子与石墨烯间与C和石墨烯间相比发生更加强烈的电荷转移,其界面结合机制主要为SiC中的Si原子与石墨烯C原子的共价结合。对于Al/石墨烯/Si界面,Al(111)/单层石墨烯/Al(111)界面的界面分离功值为0.191J/m~2;Al(111)/双空位缺陷石墨烯/Al(111)界面的界面分离功值为1.7695J/m~2。Al(111)/双空位缺陷石墨烯/Al(111)界面界面上C原子和Al原子、C原子和Si原子之间均有电子云的重迭,其中C原子和Al原子间重迭较为强烈,表明了界面的成键性。差分密度图表明缺陷的引入破坏了石墨烯自身的完美结构,其能够加大石墨烯与Al、Si间的电荷转移量,从而增加界面结合强度。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-06-01）
李雄[7]（2018）在《金属/钙钛矿界面电子结构与化学反应的研究》一文中研究指出钙钛矿太阳能电池由于具有效率高、成本低和可柔性制备等优势,引起了研究者们极大的兴趣和广泛的关注,因此成为太阳能电池领域的研究热点。目前,钙钛矿太阳能电池的最高转化效率达到了 23%,在器件性能上已经可以与部分无机太阳能电池相媲美。但是钙钛矿太阳能电池的稳定性问题仍然没有解决,这限制了器件的商业化应用。在钙钛矿太阳能电池中,金属电极是器件的重要组成部分,通常用以收集来自活性层的载流子。然而研究发现金属电极与钙钛矿材料界面处存在着离子迁移和化学反应等复杂情况,对器件的稳定性有着重要的影响。因此,研究金属/钙钛矿界面性质有助于理解器件性能衰减机制,会为提高钙钛矿太阳能电池的稳定性提供理论支撑和技术指导。基于以上研究背景,本论文通过表面灵敏的光电子能谱实验技术原位研究了金属/钙钛矿界面性质,包括界面化学反应和界面电子结构。研究成果如下:(1)通过X射线光电子能谱(XPS)和同步辐射光电子能谱(SRPES)原位研究了 Ag/CH3NH3PbI3界面处化学反应和离子迁移情况。研究结果表明金属Ag在钙钛矿材料表面沉积过程中,会与CH3NH3PbI3发生化学反应,导致CH3NH3PbI3的分解以及PbI2、AgI和金属Pb物种的生成。随着金属Ag沉积量的增加,Cls和N 1s芯能级谱图强度逐渐衰减,I3d芯能级谱图强度反而增强,这一现象为碘离子从钙钛矿层向Ag电极迁移提供了直接证据。此外,通过紫外光电子能谱(UPS)研究了 Ag/CH3NH3PbI3界面能级排列情况,发现在界面处存在向下的界面偶极,会进一步促进碘离子从钙钛矿层向Ag电极的迁移,从而加速钙钛矿层的分解和Ag电极的侵蚀。(2)通过XPS和SRPES原位研究了 Al/CH3NH3PbI3界面处化学反应和离子迁移情况。研究结果表明金属A1在钙钛矿材料表面沉积过程中,会与CH3NH3PbI3发生剧烈的化学反应,导致CH3NH3PbI3的分解以及A113、C-N-A1复合物和金属Pb物种的生成。通过改变电子出射角度获得更表面灵敏的N 1s信号,得到掠出射的N 1s信号相比正出射的N 1s信号更强,证明反应强度随深度增加而递减。随着金属Al沉积量的增加,C1s和Pb4f芯能级谱图强度逐渐衰减,I 3d芯能级谱图强度反而增强,这一现象为碘离子从钙钛矿层向A1电极迁移提供了直接证据。此外,通过UPS研究了 Al/CH3NH3PbI3界面能级排列情况,发现在界面处存在向下的能带弯曲和界面偶极,会进一步促进碘离子从钙钛矿层向A1电极的迁移,从而加速钙钛矿层的分解和Al电极的侵蚀。(3)通过XPS和SRPES原位研究了 Ca/CH3NH3PbI3界面处化学反应和离子迁移情况。研究结果表明金属Ca在钙钛矿材料表面沉积过程中,会与CH3NH3PbI3发生剧烈的化学反应,导致CH3NH3PbI3的分解和CaI2和金属Pb物种的生成。随着金属Ca沉积量的增加,C1s、N 1s和Pb4f芯能级谱图强度逐渐衰减,I 3d芯能级谱图强度反而增强,这一现象为碘离子从钙钛矿层向Ca电极迁移提供了直接证据。此外,通过UPS研究了 Ca/CH3NH3PbI3界面能级排列情况,发现在界面处存在向下的能带弯曲和界面偶极,会进一步促进碘离子从钙钛矿层向Ca电极的迁移,从而加速钙钛矿层的分解和Ca电极的侵蚀。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-05-09）
孙梅芳[8]（2018）在《有机分子/铁磁半金属自旋界面的电子结构和自旋输运特性》一文中研究指出由于较长的自旋寿命,有机材料在自旋电子器件中具有潜在应用价值,因此受到了人们的广泛关注。有机自旋电子学是一门新兴的研究领域,旨在结合分子电子学的优势和自旋电子学的固有特性,期望能实现多功能的有机自旋电子器件。有机分子和铁磁性材料之间的界面是影响这些自旋器件性能的关键,所以全面理解界面相互作用及界面微观接触构型对器件性能的影响十分重要。Fe_3O_4和Co_2MnSi是典型的半金属材料,居里温度高于室温,在自旋电子器件中具有重要的应用价值。本文利用密度泛函理论和非平衡格林函数方法,研究了有机分子/铁磁半金属自旋界面的电子结构及自旋相关的输运特性。在Fe_3O_4表面不同位置吸附有机分子C_6H_6的结构中,发现界面处的吸附作用较弱,Fe_3O_4保持半金属特性。分子和Fe_3O_4之间的p-d轨道杂化使分子的C p_z轨道发生自旋劈裂。在桥位吸附体系中,分子吸附引起Fe_3O_4表面发生几何畸变,从而导致表面层中的八面体Fe原子发生价态转变。施加电场后,C_6H_6/Fe_3O_4界面的磁性被有效调控。不同电场强度下,Fe_3O_4表面层中的Fe原子磁矩出现了不同程度的降低,并且Fe原子磁矩降低的程度和相对于C_6H_6分子的位置有关。通过分析界面原子的投影态密度,发现电场通过影响界面耦合来改变表面层中的Fe与O原子之间的杂化,导致费米能级附近未配对的Fe 3d电子的占据发生改变,造成磁矩降低。在Co_2MnSi表面吸附C_6H_6分子的结构中,发现界面处存在较强的p-d轨道杂化作用,导致在分子的吸附位置处出现明显的自旋极化率反转。通过计算d轨道分辨的磁各向异性,发现C_6H_6分子可以影响d_(z ~2)轨道,从而改变Co_2MnSi表面层原子的磁各向异性。在Fe_3O_4/4’4-bipyridine/Fe_3O_4有机磁性隧道结中,发现不同的有机分子/电极界面接触构型会导致不同的界面耦合机制,导致体系在平衡态下的隧穿磁电阻不仅大小有差异,符号也发生了反转。施加偏压后,最大磁电阻高达22000%,并且保持高的自旋注入效率。(本文来源于《天津大学》期刊2018-05-01）
侯雪瑶[9]（2018）在《钙钛矿材料/Fe_3O_4异质界面的电子结构和磁性》一文中研究指出由于具有高介电常数、压电性和铁电性等性质,钙钛矿材料成为应用最广泛的电子陶瓷材料之一。多功能氧化物Fe_3O_4与钙钛矿材料复合形成异质结构,表现出丰富的物理性质。近年来,通过应力或电场等手段调控界面已经成为材料科学与凝聚态物理领域的研究热点之一。本文利用密度泛函理论计算了BaTiO_3/Fe_3O_4和CH_3NH_3PbI_3(MAPbI_3)/Fe_3O_4界面的电子结构。系统地研究了外加电场和双轴应力对异质界面的电子结构和磁性的影响。首先,研究了BaTiO_3/Fe_3O_4异质界面的电子结构和磁性。所有模型(TiO-Fe_A、OTi-Fe_A、TiO-Fe_BO和OTi-Fe_BO)均可以稳定存在,且TiO-Fe_BO模型是最稳定的构型。在TiO-Fe_BO模型中,BaTiO_3表现出100%自旋极化率。外加-100到1000kV/cm电场下,界面Ti原子保持自旋极化状态;在-500和-1000 kV/cm下,界面Ti原子的自旋极化消失。Fe_3O_4/BaTiO_3界面的自旋极化转变与BaTiO_3的铁电性有关。其次,研究了BaTiO_3/Fe_3O_4界面的应力效应,考虑了OTi-Fe_BO和TiO-Fe_BO两种模型。在应力作用下的OTi-Fe_BO模型中,观察到了界面Fe_3O_4发生金属-绝缘体转变和轨道重构现象。在-6%、-4%、-2%和2%应力下,OTi-Fe_BO模型保持半金属性;在4%和6%应力下,半金属性消失;在2%应力下,界面Fe原子出现轨道重迭现象。金属-绝缘体转变可归因于界面八面体畸变引起的t_(2g)轨道劈裂。最后,计算了MAPbI_3/Fe_3O_4异质界面的电子结构。所有模型(PbI_2/Fe_A、MAI/Fe_A、PbI_2/Fe_BO和MAI/Fe_BO)均可以稳定存在,PbI_2/Fe_A是最稳定的构型。PbI_2/Fe_A异质结中,Fe_3O_4从半金属转变为自旋相关半导体,自旋向上和自旋向下的带隙分别为1.20和0.75 eV。外电场可以调控PbI_2/Fe_A模型的能带结构。在500 kV/cm电场下,PbI_2/Fe_A模型中,Fe_3O_4出现了直接带隙到间接带隙的转变。Fe_3O_4自旋向上能带会从直接带隙转变为间接带隙,而自旋向下能带的变化趋势恰好相反。(本文来源于《天津大学》期刊2018-05-01）
杨振振[10]（2018）在《CH_3NH_3SnI_3、CH_3NH_3SnBr_3以及TiO_2/CH_3NH_3SnI_3界面电子结构的第一性原理研究》一文中研究指出太阳能,和风能,生物能,潮汐能和地热能一样,均为可再生能源。钙钛矿太阳能电池(Perovskite solar cells:PSCs),以光电转换效率高、载流子迁移率高、制备成本低和制备方法简单的优点,引起了人们的广泛关注。钙钛矿材料,在太阳能电池中作为光吸收层,通式为ABX_3,其中A、B和X位置都不是唯一的原子或者基团,不同的原子或者基团对于太阳能电池的性能和效率有很大的影响。MAPbI_3(MA:CH_3NH_3)是目前人们研究最多的一种材料,是目前世界PSCs效率较高的光吸收层材料。但是,这种材料有一个突出的缺点,Pb的毒性很大,对于生存环境都很大的威胁。因此,我们用它同主族的无毒的Sn来代替B位置的Pb,来研究PSCs的结构和电子性质。我们使用第一性原理计算方法分别计算了X位置为I和Br的钙钛矿材料的性质。首先,完整的制备了介孔钙钛矿太阳能电池,探索不同的制备方法,分析不同方法的影响。介孔钙钛矿电池是由FTO玻璃、致密层、介孔层、光敏层、空穴传输层和电极组成。我主要探索了电子传输层和光敏层的制备工艺,发现用水热法比浆料法制备出来的器件效率要高,钙钛矿的制备二步法比一步法效率要高。我们推断,这是因为水热法制备的介孔层整齐有序,两步法能够让钙钛矿更好地渗透到纳米棒之间,渗透在其中的钙钛矿材料与介孔层的接触面积比较大,便于从钙钛矿吸收层的电子快速转移到介孔层TiO_2中,增强了电荷分离,减少了复合,从而提高了效率。然后,我们利用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了无铅的MASnI_3和MASnBr_3的不同相的结构和电子结构性质。通过计算发现,它们的电子结构性质受卤素原子和晶体结构的影响比较大。我们发现,随着卤素原子尺寸大小的增加或者是从Br到I的改变,带隙和有效质量在减小。我们还证明了,四方相有最小的带隙和最轻的有效质量。尤其是,MASnI_3的TETP在钙钛矿中表现出了很好的性能,因为它有最小的带隙和最轻的有效质量。通过与MAPbI_3相比,我们认为MASnI_3可以作为钙钛矿太阳能电池的吸光材料。我们预测,MASnI_3,可能是代替MAPbI_3的最好的选择。我们利用第一性原理计算方法研究在常温条件下为四方相的CH_3NH_3SnI_3晶体和介孔层TiO_2之间的界面结构和电子结构性质。我们发现锐钛矿二氧化钛的(001)表面可以和CH_3NH_3SnI_3匹配的更好。同时,SnI_2-T界面可以使电子-空穴对更好的分离和传输。因此,锐钛矿TiO_2可能是CH_3NH_3SnI_3太阳能电池中比较好的电子传输层材料。(本文来源于《河南大学》期刊2018-05-01）
界面电子结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
材料的变形与相变、晶体生长、电荷分离传输、催化反应等过程均涉及到材料中的界面问题,并且紧密依赖于界面附近的原子和电子结构。因此,可以通过调控材料的界面原子、电子结构来赋予材料特殊的新功能。介绍了材料界面研究的最新进展,枚举了研究者如何获得固-固材料界面的原子结构,在光催化和太阳能电池中如何利用界面分离和电荷传输及电子全息技术定量分析二维电子气,以及在材料生长和催化过程中的固-液和固-气界面演化。这些研究结果展示了人们对界面原子、电子结构前所未有的认知,这些科学而直观的构效关系对于启发研究者设计和构筑更加精细、高效的界面结构提出了新思路。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
界面电子结构论文参考文献
[1].张东,娄文凯,常凯.半导体极性界面电子结构的理论研究[J].物理学报.2019
[2].张振华,刘伟伟,许并社,郭俊杰.材料界面原子、电子结构的设计与表征[J].中国材料进展.2019
[3].姚婷婷,尹德强,陈春林,马秀良,IKUHARA,Yuichi.Sr_2Nb_2O_7/SrNbO_3与Sr_2Nb_2O_7/LaAlO_3界面的原子与电子结构[J].电子显微学报.2018
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[5].顾芳,孙亚飞,张加宏,何鹏翔,王丽阳.掺杂Si/SiO_2界面电子结构与光学性质的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报.2018
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[10].杨振振.CH_3NH_3SnI_3、CH_3NH_3SnBr_3以及TiO_2/CH_3NH_3SnI_3界面电子结构的第一性原理研究[D].河南大学.2018