导读:本文包含了双带红外探测论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:阻挡杂质带,暗电流,远红外,太赫兹
双带红外探测论文文献综述
廖开升,李志锋,王超,李梁,周孝好[1]（2016）在《用于远红外探测的Si:P阻挡杂质带红外探测器研制》一文中研究指出提出了全外延技术方案制备阻挡杂质带薄膜,避免了离子注入制备背电极层影响外延薄膜质量的技术难点.基于硅器件工艺设计制作了Si:P阻挡杂质带红外探测器.测量了器件的光电流响应谱和暗电流特性曲线,指认了迭加在光电流响应谱上的尖锐杂质峰对应阻挡层中磷原子的杂质跃迁.研究了器件在低温下小偏压范围内的暗电流起源.通过对计算结果分析,排除了该区域暗电流起源于热激发电导和跳跃式电导的可能,指出暗电流来自器件对冷屏的光电响应.器件工作温度5 K,工作偏压1.6 V时,响应波段覆盖2.5~40μm,峰值波长28.8μm,峰值响应率20.1 A/W,峰值探测率3.7×1013cm·Hz1/2/W(背景光子通量低于1013ph/cm2·s).(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2016年01期）
周利刚,沈文忠[2]（2009）在《GaN/AlGaN双带红外探测及光子频率上转换研究》一文中研究指出研究了GaN/AlGaN异质结构中的双带(中、远)红外探测及光子频率上转换特性.通过光致发光光谱确认GaN/AlGaN探测器结构中AlGaN本征层的Al组分,讨论了不同Al组分GaN/AlGaN异质结的导带带阶界面功函数差.在拟合单周期GaN/AlGaN探测器中红外和远红外波段响应谱的基础上,研究多周期GaN/AlGaN探测器与GaN/AlGaN发光二极管集成结构的中红外和远红外光子频率上转换效率与GaN发射层厚度、AlGaN本征层厚度、紫光光子出射效率、内量子效率、空间频率和发射层掺杂浓度间的关系,优化了器件结构参数.研究结果表明,GaN基红外上转换器件具有较高的上转换效率,具备良好的应用前景.(本文来源于《物理学报》期刊2009年10期）
周利刚[3]（2009）在《GaN/AlGaN双带红外探测及光子频率上转换研究》一文中研究指出在可见光和近红外波段(最长到1.1μm),硅电荷耦合器件(Si CCD)是一种性能优异、并已成熟的成像器件。紫外及更短波段光的探测可通过在Si CCD上涂以合适的发光材料加以实现。波长较长的中红外波段,一般采用InGaAs列阵、InSb列阵、HgCdTe列阵或GaAs/AlGaAs量子阱列阵来进行探测成像。对于波长更长的远红外/THz波段,所用的成像方法有扫描成像和实时成像等,但成像设备复杂昂贵,只应用在军事、天文等特殊领域,目前还没有一种可以普遍采用的、低成本、有效的成像方法。远红外/THz波段常用的探测器是热敏探测器,如测辐射热仪和焦热电探测器,但它们往往具有较长的响应时间,而且价格高昂。近年来出现的远红外/THz探测中灵敏度高,响应速度快的半导体光电探测器,如GaAs远红外同质结探测器(HIWIP)和GaN/AlGaN异质结中红外/远红外双带探测器(HEIWIP)等,为实现半导体远红外/THz探测成像提供了新的思路。基于光子频率上转换的概念,在半导体远红外/THz探测器结构上面集成生长一短波长发光二极管(LED),其发射波长位于Si CCD的探测范围之内,由此串联而成的光学上转换结构在一恒定的偏压下,入射的远红外/THz信号被探测器检测到,引起探测器电阻的下降,并导致发光二极管上电压的增加,使LED发出可被Si CCD直接收集的短波长光,从而可以实现远红外/THz信号的上转换成像。新近研制的单周期GaN/AlGaN HEIWIP中红外/远红外双带探测器,为我们提供了另外一种实现红外上转换成像的途径。通过光致发光光谱确认GaN/AlGaN探测器结构中AlGaN本征层的Al组分,讨论了不同Al组分GaN/AlGaN异质结的导带带阶界面功函数差。利用光学传递矩阵方法以及有效质量理论分别模拟了单周期GaN/AlGaN HEIWIP中红外和远红外波段的响应率,计算结果与实验得到的双带响应率很好地符合。在此基础上,设计了多周期结构的GaN/AlGaN HEIWIP双带探测器。研究发现相对于单周期结构,多周期结构的HEIWIP探测器在中红外和远红外/THz波段的响应都得到了明显加强。利用优化的多周期HEIWIP与GaN/AlGaN紫光LED的集成结构,可以实现中红外/远红外双带上转换成像。研究多周期GaN/AlGaN探测器与GaN/AlGaN发光二极管集成结构的中红外和远红外光子频率上转换效率与GaN发射层厚度、AlGaN本征层厚度、紫光光子出射效率、内量子效率、空间频率和发射层掺杂浓度间的关系,优化了器件结构参数。GaN/AlGaN半导体红外上转换成像器件具有简单、成本低、响应波长可调等特点。由于红外探测成像在天体物理、红外物理和新材料探索等领域广泛的应用前景,这类半导体红外上转换成像器件具有潜在的应用价值。(本文来源于《上海交通大学》期刊2009-01-01）
双带红外探测论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究了GaN/AlGaN异质结构中的双带(中、远)红外探测及光子频率上转换特性.通过光致发光光谱确认GaN/AlGaN探测器结构中AlGaN本征层的Al组分,讨论了不同Al组分GaN/AlGaN异质结的导带带阶界面功函数差.在拟合单周期GaN/AlGaN探测器中红外和远红外波段响应谱的基础上,研究多周期GaN/AlGaN探测器与GaN/AlGaN发光二极管集成结构的中红外和远红外光子频率上转换效率与GaN发射层厚度、AlGaN本征层厚度、紫光光子出射效率、内量子效率、空间频率和发射层掺杂浓度间的关系,优化了器件结构参数.研究结果表明,GaN基红外上转换器件具有较高的上转换效率,具备良好的应用前景.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双带红外探测论文参考文献
[1].廖开升,李志锋,王超,李梁,周孝好.用于远红外探测的Si:P阻挡杂质带红外探测器研制[J].红外与毫米波学报.2016
[2].周利刚,沈文忠.GaN/AlGaN双带红外探测及光子频率上转换研究[J].物理学报.2009
[3].周利刚.GaN/AlGaN双带红外探测及光子频率上转换研究[D].上海交通大学.2009