导读:本文包含了半导体颜料论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:共沉淀法,CdZnS,工艺条件,红外发射率
半导体颜料论文文献综述
孙国亮,郑文伟,陈韬文[1]（2010）在《CdZnS半导体颜料涂层红外发射率的研究》一文中研究指出以Cd(CH_3COO)_2,Zn(CH_3COO)_2,Na_2S等为原料,通过共沉淀法制备CdZnS半导体颜料,用XRD,EDS,SEM等手段对颜料结构、成分、形貌进行了表征。研究了烧结温度和掺杂含量对CdZnS半导体颜料涂层红外发射率的影响。结果表明,烧结温度和掺杂含量对半导体颜料涂层光学性能有决定性作用,通过调配工艺条件可以获得较低的颜料涂层红外发射率。(本文来源于《化学工业与工程技术》期刊2010年05期）
孙国亮[2]（2010）在《低红外发射率半导体颜料的制备方法与应用现状》一文中研究指出论述了低红外发射率半导体颜料研究的必要性,介绍了低发射率半导体颜料的特性、研究进展与制备方法。建议低发射率半导体颜料的研究按以下方面进行:深入研究半导体的掺杂理论,探索半导体颜料掺杂含量对涂料红外性能的影响,不同半导体颜料的制备方法和工艺条件的选择研究,以及不同颜色体系的半导体颜料的合成等。(本文来源于《电镀与涂饰》期刊2010年09期）
孙国亮,郑文伟[3]（2010）在《半导体颜料在伪装涂料中的应用研究》一文中研究指出采用共沉淀法制备ATO和CdZnS半导体颜料,比较了制备出的半导体颜料与常见的单组分颜料涂层红外发射率大小。通过颜色混合规律将半导体颜料与着色颜料混合制备了绿色伪装涂料,制备出来的涂层具有较低的红外发射率,并且其光谱反射曲线满足美军标的光谱通道要求,具有较好的应用前景。(本文来源于《化学工程师》期刊2010年06期）
孙国亮,郑文伟[4]（2010）在《Sb掺杂量对ATO半导体颜料涂层光学性能的影响》一文中研究指出采用共沉淀法合成了ATO半导体颜料的前驱体,前驱体经过烧结获得半导体颜料,通过XRD、SEM、EDS等手段对颜料进行表征,研究了Sb掺杂量对ATO半导体颜料粉体电阻率和涂层光学性能的影响。研究结果表明,Sb掺杂量对颜料的粉体电阻率和涂层光学性能影响明显,当Sb掺杂量为6%(质量分数)时,制备的颜料粉体电阻率为15.4Ω.cm,涂层红外发射率仅为0.71。(本文来源于《新技术新工艺》期刊2010年06期）
孙国亮,陈韬文,郑文伟[5]（2010）在《ATO半导体颜料在伪装涂料中的应用研究》一文中研究指出以SnCl4、SbC13、NaOH等为原料,采用共沉淀法制备ATO半导体颜料,采用XRD、SEM、EDS对颜料结构、成分、形貌进行表征,比较了ATO半导体颜料与常见的单组分颜料涂层红外发射率大小。通过颜色混合规律将ATO半导体颜料与着色颜料混合制备了绿色伪装涂料,制备的涂层具有较低的红外发射率,并且其光谱反射曲线满足美军标的光谱通道要求,具有较好的应用前景。(本文来源于《涂料工业》期刊2010年05期）
孙国亮,郑文伟,陈韬文[6]（2010）在《CdZnS半导体颜料的制备与表征》一文中研究指出以Cd(AC)2、Zn(AC)2、Na2S等为原料,采用共沉淀法制备CdZnS半导体颜料,详细讨论了反应温度、反应液pH值、保温熟化时间等共沉淀反应参数对CdZnS半导体颜料合成的影响,确定了CdZnS半导体颜料合成的最佳反应参数。最后采用XRD、EDS、SEM等手段对颜料结构、成分、形貌进行表征,测试了CdZnS半导体颜料的粉体电阻率。(本文来源于《化学工程师》期刊2010年04期）
孙国亮,郑文伟[7]（2010）在《烧结温度对ATO半导体颜料涂层光学性能的影响》一文中研究指出采用共沉淀法合成了ATO半导体颜料的前驱体,前驱体经过烧结获得半导体颜料,通过XRD、EDS等手段对颜料进行表征,测试了不同烧结温度下颜料粉体电阻率,研究了烧结温度对ATO半导体颜料涂层光学性能的影响。研究结果表明,烧结温度对颜料的粉体电阻率和涂层光学性能影响明显,当烧结温度为1300℃时,制备的颜料粉体电阻率为15Ω.cm,涂层红外发射率仅为0.71。(本文来源于《化学工程师》期刊2010年03期）
孙国亮,陈韬文,郑文伟[8]（2009）在《ATO半导体颜料的制备与表征》一文中研究指出采用共沉淀法合成了ATO半导体颜料的前驱体,详细讨论了反应温度、反应液pH值、滴加速度、保温熟化时间等共沉淀反应参数对前驱体合成的影响,确定了ATO半导体颜料前驱体合成的最佳反应参数。前驱体通过烧结转化为半导体颜料,最后对烧结获得的ATO半导体颜料进行了表征。(本文来源于《新技术新工艺》期刊2009年09期）
孙国亮[9]（2008）在《低发射率半导体颜料制备及其在伪装涂料中的应用研究》一文中研究指出随着红外探测技术的提高,红外伪装技术的发展也越来越迅速,低发射率伪装涂料作为伪装材料的一种,是目前研究的难点。颜料是伪装涂料的主要组成部分,对伪装涂层红外发射率有较大影响,为了降低伪装涂层红外发射率,制备和研究低发射率颜料具有重要意义。本论文采用共沉淀法合成了ATO(掺锑二氧化锡)和CdXZn1-XS(掺镉硫化锌)半导体颜料的前驱体。详细讨论了反应温度、反应液pH值、滴加速度、保温熟化时间等共沉淀反应参数对前驱体合成的影响,确定了ATO和CdXZn1-XS半导体颜料前驱体合成的最佳反应参数。结果发现,反应温度和反应液pH值对颜料前驱体合成影响较大,滴加速度和保温熟化时间对颜料前驱体合成影响较小;经过重复性实验,合成出的两种半导体颜料前驱体性质稳定,验证了反应参数的可靠性。前驱体通过烧结转化为半导体颜料,工艺条件对半导体颜料涂层的光学性能影响较大,主要研究了烧结温度、掺杂含量和烧结保温时间对颜料涂层红外发射率和光谱反射率的影响,并确定了ATO和CdXZn1-XS半导体颜料制备最佳的工艺条件。研究表明,烧结温度和掺杂含量对半导体颜料涂层红外发射率有决定性作用,烧结保温时间对其影响较小,通过调配工艺条件可以获得较低的颜料涂层红外发射率;同时通过控制烧结温度和掺杂含量可以制备出蓝色的ATO颜料和黄色的CdXZn1-XS颜料,并且其颜色在一定范围内可调,有利于伪装涂层光谱反射率的调配。为了考察半导体颜料的实用性能,尝试将半导体颜料应用于伪装涂料之中,通过配色实验制备了一系列伪装涂料,对其涂层的红外发射率和光谱反射率进行分析测试,探索其应用于伪装涂料中的可行性。实验表明,半导体颜料的加入能够有效地降低伪装涂层红外发射率;以CdXZn1-XS 3.2g、ATO 0.8g、绿色素颜料1g配制绿色伪装涂料,铝布基底涂层红外发射率为0.658,比传统绿色伪装涂料铝布基底涂层红外发射率降低了0.107,同时其涂层光谱近红外反射率大于42%,并满足美军标光谱通道的要求,取得了比较好的伪装效果,具有较好的实用价值。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2008-11-01）
张朝阳,程海峰,陈朝辉,郑文伟,孙国亮[10]（2008）在《低发射率半导体颜料在伪装涂料中的应用研究》一文中研究指出采用共沉淀法合成了Cd_(0.5)Zn_(0.5)S半导体颜料,并对颜料进行了表征。研究了不同烧结温度下颜料粉体电阻率及其涂层发射率的关系。分析了颜料粉体电阻率对其涂层红外性能的影响规律。通过Kubelka—Munk配色定律将低发射率半导体颜料与着色颜料混合制备了林地型绿色伪装涂料,该绿色伪装涂料的光谱曲线满足美军标的光谱通道要求,同时具有较低的热红外发射率,解决了伪装涂料在光学和红外波段的兼容性问题,具有很好的应用前景。(本文来源于《2008全国功能材料科技与产业高层论坛论文集》期刊2008-10-01）
半导体颜料论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
论述了低红外发射率半导体颜料研究的必要性,介绍了低发射率半导体颜料的特性、研究进展与制备方法。建议低发射率半导体颜料的研究按以下方面进行:深入研究半导体的掺杂理论,探索半导体颜料掺杂含量对涂料红外性能的影响,不同半导体颜料的制备方法和工艺条件的选择研究,以及不同颜色体系的半导体颜料的合成等。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半导体颜料论文参考文献
[1].孙国亮,郑文伟,陈韬文.CdZnS半导体颜料涂层红外发射率的研究[J].化学工业与工程技术.2010
[2].孙国亮.低红外发射率半导体颜料的制备方法与应用现状[J].电镀与涂饰.2010
[3].孙国亮,郑文伟.半导体颜料在伪装涂料中的应用研究[J].化学工程师.2010
[4].孙国亮,郑文伟.Sb掺杂量对ATO半导体颜料涂层光学性能的影响[J].新技术新工艺.2010
[5].孙国亮,陈韬文,郑文伟.ATO半导体颜料在伪装涂料中的应用研究[J].涂料工业.2010
[6].孙国亮,郑文伟,陈韬文.CdZnS半导体颜料的制备与表征[J].化学工程师.2010
[7].孙国亮,郑文伟.烧结温度对ATO半导体颜料涂层光学性能的影响[J].化学工程师.2010
[8].孙国亮,陈韬文,郑文伟.ATO半导体颜料的制备与表征[J].新技术新工艺.2009
[9].孙国亮.低发射率半导体颜料制备及其在伪装涂料中的应用研究[D].国防科学技术大学.2008
[10].张朝阳,程海峰,陈朝辉,郑文伟,孙国亮.低发射率半导体颜料在伪装涂料中的应用研究[C].2008全国功能材料科技与产业高层论坛论文集.2008