本文主要研究内容
作者李晓,张承龙,巫亮,马恩,王瑞雪,苑文仪,白建峰,王景伟（2019）在《硅业副产物四氯化硅在离子液体中溶解—电沉积的研究》一文中研究指出：研究多晶硅工业的主要副产品四氯化硅（SiCl4）在离子液体中的溶解、电沉积过程。结果表明,SiCl4在离子液体中的溶解度随温度升高而降低,离子液体的导电率随温度升高而增加。在阴离子为[TNf2]的情况下,阳离子为[N1114]的季铵盐类离子液体比咪唑类[Bmim]离子液体具有更好的SiCl4溶解度和导电性。SiCl4在季铵盐类离子液体的溶解度随烷基主链长度增加而增大,随侧链长度增加而降低。[N1114][TNf2]和SiCl4之间形成C-Cl、Si-O和C-Si键,在[N1114][TNf2]-SiCl4体系中Si4+的还原电位为-2.2V。在温度25℃、SiCl4浓度0.3mol/L、电流密度20A/m2、电解时间2h的条件下可电沉积得到较为致密的硅薄膜,呈球形颗粒状分布。
Abstract
yan jiu duo jing gui gong ye de zhu yao fu chan pin si lv hua gui （SiCl4）zai li zi ye ti zhong de rong jie 、dian chen ji guo cheng 。jie guo biao ming ,SiCl4zai li zi ye ti zhong de rong jie du sui wen du sheng gao er jiang di ,li zi ye ti de dao dian lv sui wen du sheng gao er zeng jia 。zai yin li zi wei [TNf2]de qing kuang xia ,yang li zi wei [N1114]de ji an yan lei li zi ye ti bi mi zuo lei [Bmim]li zi ye ti ju you geng hao de SiCl4rong jie du he dao dian xing 。SiCl4zai ji an yan lei li zi ye ti de rong jie du sui wan ji zhu lian chang du zeng jia er zeng da ,sui ce lian chang du zeng jia er jiang di 。[N1114][TNf2]he SiCl4zhi jian xing cheng C-Cl、Si-Ohe C-Sijian ,zai [N1114][TNf2]-SiCl4ti ji zhong Si4+de hai yuan dian wei wei -2.2V。zai wen du 25℃、SiCl4nong du 0.3mol/L、dian liu mi du 20A/m2、dian jie shi jian 2hde tiao jian xia ke dian chen ji de dao jiao wei zhi mi de gui bao mo ,cheng qiu xing ke li zhuang fen bu 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自有色金属(冶炼部分)的李晓,张承龙,巫亮,马恩,王瑞雪,苑文仪,白建峰,王景伟，发表于刊物有色金属(冶炼部分)2019年04期论文，是一篇关于四氯化硅论文,离子液体论文,溶解论文,电沉积论文,有色金属(冶炼部分)2019年04期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自有色金属(冶炼部分)2019年04期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
标签：四氯化硅论文; 离子液体论文; 溶解论文; 电沉积论文; 有色金属(冶炼部分)2019年04期论文;