导读:本文包含了互连参数论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:固化,工艺参数,导电胶,机械性能
互连参数论文文献综述
代宣军,张朗萍,雷军乐[1]（2019）在《固化工艺参数对导电胶的LTCC互连机械性能研究》一文中研究指出采用导电胶的唯象模型,用COMSOL互连的有限元模型,分析了导电胶在一定的固化工艺参数(时间、压力、温度)下的剪切应力和翘曲形变,并对叁个工艺参数在一定范围内,进行叁因素叁水平正交试验设计。研究结果表明:工艺参数组合为固化压力1 200 Pa、固化温度120℃、固化时间为10 min变形,其相应的剪切应力为2.4 412 MPa,扭曲度为2.2395E-4%,弓曲度为3.1671E-4%,为互连推荐工艺参数,该工艺参数对导电胶的固化工艺提供了参考。(本文来源于《中国胶粘剂》期刊2019年03期）
赵宇[2]（2018）在《基于积分方程的互连参数提取方法及其快速算法》一文中研究指出本论文主要研究基于积分方程的高速集成电路互连参数提取问题,包括有耗导体的建模和基于H-matrix的核无关快速算法。论文详细论述了基于等效表面阻抗的电场积分方程提取叁维互连参数,提出优化的H-matrix算法加速二维互连分布参数和叁维互连参数提取,以及纯代数的线性复杂度嵌套交叉近似算法。论文主要工作概述如下:1.从准静态近似的麦克斯韦方程组出发,详细介绍了二维互连结构的边界积分方程。利用电流与矢量磁位的关系以及互连线截面上的电压等势分布,得到互连线的二维互连分布参数。2.提出基于边界积分方程的等效表面阻抗模型。以边界积分方程为基础,求解导体边界上的电场与等效表面电流分布,构建等效表面阻抗模型。分析了基于边界积分方程的等效表面阻抗在高频和低频极限情况下的值,并与经典物理模型做对比,验证其正确性。将等效表面阻抗模型与电场积分方程相结合,用于提取叁维互连结构的参数。3.针对互连参数提取问题,选择H-matrix算法加速整个求解过程。探索了混合交叉近似算法在表面积分方程中的应用。详细推导了混合交叉近似用于不同类型表面积分方程的计算公式和具体的矩阵表示方法。将基于混合交叉近似和自适应交叉近似的H-matrix的计算效率进行比较,验证了算法的高效性。4.提出适用于二维互连分布参数和叁维互连参数提取的优化H-matrix的方法。对于二维互连分布参数提取问题,构建特殊形式的指标树结构,并对H-matrix采用后处理的优化方法,使得整体的计算复杂度达到最优。对于叁维互连参数提取问题,提出平衡二叉指标树的构建方法以及自底向上更新分块之间距离信息的方法。根据多项式插值近似矩阵元素的相对误差,分析低秩矩阵的秩的增长规律,并提出判断矩阵低秩特性的辅助检验条件和扩展可容性条件。将优化的H-matrix与传统H-matrix的效率作对比,验证了算法的高效性。5.提出了纯代数的线性复杂度嵌套交叉近似算法用于构建H2-matrix。从自适应交叉近似的角度出发,结合低秩矩阵按照行指标和列指标近似的两种形式,得到嵌套交叉近似的表示形式。针对嵌套交叉近似中的主元选择问题,提出两阶段的纯代数方法,分别对指标树进行自底向上和自顶向下的遍历过程。在理论上证明对于互连参数提取或电小尺寸的问题,两阶段的主元选取方法在保证计算精度的条件下达到线性的计算复杂度。最后,通过若干算例对算法的可靠性和计算复杂度进行了验证。本论文比较系统地研究了基于积分方程的互连参数提取方法,以及适用于加速求解积分方程的快速算法,为先进工艺节点下的高速集成电路的快速建模提供数值求解方案和工具。(本文来源于《上海交通大学》期刊2018-08-01）
张倩倩[3]（2018）在《叁维集成电路中硅通孔互连参数提取的研究》一文中研究指出硅通孔技术是通过在芯片与芯片之间、晶圆与晶圆之间制作垂直导通,从而达到芯片之间进行互连的技术,它可以使3D封装在一定尺寸的芯片上实现更多的功能,同时避免高密度下2D封装的长互连导致的RC延迟。作为叁维集成电路中互连的硅通孔,其寄生参数的提取将直接影响到集成电路功耗,时延,噪声等方面的性能,因此硅通孔寄生参数提取对高性能芯片的成功设计具有十分重要意义。硅通孔电容参数的提取方法已经较为成熟,本文重点研究硅通孔电阻电感的高效提取方法。数值法是硅通孔电阻电感参数提取的常用方法,多数数值法只适用于分析硅通孔形状规则且表面光滑的情况,对于实际制作中出现的误差等情况无法分析,难以满足叁维集成电路对硅通孔参数提取的实际要求,并且数值法计算过程中存在奇异点,而且需要进行矩阵转置等处理,计算量大,所以寻求集成电路模型的解析分析方法是必要的和急需的。本文以数值法结果为基础展开如下工作:(1)以高面率比且表面光滑的硅通孔为研究对象,根据大量计算结果分析其电阻电感参数的影响因素,结合拟合方法得到计算电阻电感随频率变化的解析式;(2)考虑实际制作工艺会出现的误差,建立梯形硅通孔模型,分析其角度对参数提取的影响,得到梯形硅通孔电阻电感参数计算解析式;(3)对表面粗糙的硅通孔参数提取进行初步研究,以规律性变化的表面模拟粗糙表面,分析不同粗糙表面对硅通孔参数提取的影响,得到粗糙表面电阻电感参数计算解析式。本文建立了实际硅通孔模型,计算的电阻电感参数更加贴近实际情况,使用拟合法得到的参数提取解析式计算误差在5%以内,大大提高了参数提取效率。(本文来源于《大连交通大学》期刊2018-06-17）
钟岳松,刘再平[4]（2018）在《浅谈刚挠印制板内层互连失效与钻孔参数的关联》一文中研究指出刚挠印制板在制作过程中如何保证印制板内层互连的可靠性是其工艺关键点之一。文章通过调整钻孔参数来分析和验证钻孔对内层互连失效的关联性,从而为解决包含多张软板的刚-挠结合板钻孔工艺技术难题提供可行解决方案。(本文来源于《印制电路信息》期刊2018年02期）
苏晓,刘宝宏,陈瑛,郭玄灜[5]（2016）在《纳米尺度互连线寄生参数的仿真及应用于CMOS射频集成电路设计》一文中研究指出本文给出了一种应用于电路版图仿真的互连线寄生参数模型。该模型基于物理现象的集总参数模型,模型各个参数都可以采用电磁场仿真软件提取得到。文中分析了模型的仿真精度,并通过仿真显示该模型有效性。最后,对该互连线的寄生参数模型应用于CMOS集成电路设计的流程进行了讨论分析。分析表明在集成电路设计中采用该模型可以根据电路设计要求进行调整互连线的尺寸,并可将互连线参数作为电路设计的一部分进行综合考虑,有助于提高电路综合性能。(本文来源于《数字技术与应用》期刊2016年10期）
田伟,曹新亮[6]（2016）在《高频互连线的分布参数特征分析及建模》一文中研究指出无论是片上互连还是板上互连,电路互连线的分布参数将能引起高速数字信号的完整性问题和高频模拟信号的寄生效应,建立互连线新模型是适应电路系统工作日益高频化的需要。研究基于导体中电涡流理论,定性分析互连线等效阻抗随频率的变化规律,建立一种新型互连线RL集总参数模型。并根据此模型对直径为0.04 mm、长度为2 cm的互连线在不同频率下进行定量仿真分析,结果表明:互连线寄生电阻随频率升高而增大、寄生电感随频率升高而减小,整体阻抗随频率升高而增大。这为信号完整性分析和射频电路设计提供依据。(本文来源于《延安大学学报(自然科学版)》期刊2016年03期）
黄春跃,吴松,梁颖,李天明,郭广阔[7]（2015）在《随机振动加载条件下焊点形态参数对板级光互连模块对准偏移影响分析》一文中研究指出建立了光互连模块有限元分析模型并进行随机振动加载有限元分析,获取了垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)与耦合元件间的对准偏移;采用水平正交表设计了不同焊点结构参数组合并建立有限元模型,获取了对准偏移数据并进行方差分析。结果表明:在随机振动加载后,光互连模块VCSEL与耦合元件间会产生水平、垂直、轴向的偏移;陶瓷基板焊点高度、VCSEL焊点高度对对准偏移具有高度显着性影响;因素显着性排序由大到小依次为:陶瓷基板焊点高度、VCSEL焊点高度、陶瓷基板焊点体积和VCSEL焊点体积;单因子分析表明VCSEL与耦合元件对准偏移值随陶瓷基板焊点高度增加而增大,随VCSEL焊点高度增加而增大。(本文来源于《振动与冲击》期刊2015年19期）
简刚,韩国栋,马钊坤,周玉瀚[8]（2016）在《基于参数的层次化Mesh互连片上网络结构》一文中研究指出提出一种基于参数的层次化Mesh互连片上网络结构——PHNo C,解决片上网络规模扩张引起的通信延迟和吞吐性能下降问题。采用分簇多层次互连的思想,提高片上网络扩展性和连通性;引入层数和分簇类型参数,实现不同网络规模的灵活配置;引入跨层流控参数,控制并平衡层间负载流量。仿真实验表明,在多种流量模式下,不同网络规模时,PHNo C结构的延迟和吞吐性能相比传统的平面或两层结构优势明显,而资源开销和实现复杂度增加不大,说明增加多层互连资源可有效换取通信性能的提高。(本文来源于《计算机应用研究》期刊2016年06期）
吴松,黄春跃,梁颖,李天明,郭广阔[9]（2015）在《热循环加载条件下焊点形态参数对板级光互连模块对准偏移影响分析》一文中研究指出建立光互连模块有限元分析模型并进行热循环加载有限元分析,获取了垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)与耦合元件间的位置偏移;采用正交实验设计法设计了不同焊点结构参数组合并建立有限元模型,计算相应焊点形态参数组合下的位置偏移数据并进行方差分析.结果表明:在一个热循环周期内低温保温结束时刻位置偏移最大;外端光通道的位置偏移比中间光通道的偏移值大;在置信度为95%时VCSEL焊点高度对对准偏移具有显着影响,因素显着性排序由大到小依次为:VCSEL焊点高度、陶瓷基板焊点高度、VCSEL焊点体积和陶瓷基板焊点体积;单因子变量分析表明,位置偏移随VCSEL焊点高度增加而增大.(本文来源于《电子学报》期刊2015年06期）
黄飞,丁善婷,李婳婧[10]（2015）在《薄膜互连线形状参数对电迁移的影响》一文中研究指出为了探究Au互连线的形状参数对互连线寿命的影响,在环境温度为150℃、加载电流为500mA的试验条件下,使用恒温箱同时对多种不同形状的样品进行加速寿命试验。结果表明:在此试验条件下,不同形状参数的互连线的失效模式相同,且皆为电迁移导致互连线出现断路;互连线与电极连接处的圆弧半径越大,电迁移导致的失效现象出现的越晚,对应的薄膜互连线的寿命也越长。(本文来源于《湖北工业大学学报》期刊2015年02期）
互连参数论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本论文主要研究基于积分方程的高速集成电路互连参数提取问题,包括有耗导体的建模和基于H-matrix的核无关快速算法。论文详细论述了基于等效表面阻抗的电场积分方程提取叁维互连参数,提出优化的H-matrix算法加速二维互连分布参数和叁维互连参数提取,以及纯代数的线性复杂度嵌套交叉近似算法。论文主要工作概述如下:1.从准静态近似的麦克斯韦方程组出发,详细介绍了二维互连结构的边界积分方程。利用电流与矢量磁位的关系以及互连线截面上的电压等势分布,得到互连线的二维互连分布参数。2.提出基于边界积分方程的等效表面阻抗模型。以边界积分方程为基础,求解导体边界上的电场与等效表面电流分布,构建等效表面阻抗模型。分析了基于边界积分方程的等效表面阻抗在高频和低频极限情况下的值,并与经典物理模型做对比,验证其正确性。将等效表面阻抗模型与电场积分方程相结合,用于提取叁维互连结构的参数。3.针对互连参数提取问题,选择H-matrix算法加速整个求解过程。探索了混合交叉近似算法在表面积分方程中的应用。详细推导了混合交叉近似用于不同类型表面积分方程的计算公式和具体的矩阵表示方法。将基于混合交叉近似和自适应交叉近似的H-matrix的计算效率进行比较,验证了算法的高效性。4.提出适用于二维互连分布参数和叁维互连参数提取的优化H-matrix的方法。对于二维互连分布参数提取问题,构建特殊形式的指标树结构,并对H-matrix采用后处理的优化方法,使得整体的计算复杂度达到最优。对于叁维互连参数提取问题,提出平衡二叉指标树的构建方法以及自底向上更新分块之间距离信息的方法。根据多项式插值近似矩阵元素的相对误差,分析低秩矩阵的秩的增长规律,并提出判断矩阵低秩特性的辅助检验条件和扩展可容性条件。将优化的H-matrix与传统H-matrix的效率作对比,验证了算法的高效性。5.提出了纯代数的线性复杂度嵌套交叉近似算法用于构建H2-matrix。从自适应交叉近似的角度出发,结合低秩矩阵按照行指标和列指标近似的两种形式,得到嵌套交叉近似的表示形式。针对嵌套交叉近似中的主元选择问题,提出两阶段的纯代数方法,分别对指标树进行自底向上和自顶向下的遍历过程。在理论上证明对于互连参数提取或电小尺寸的问题,两阶段的主元选取方法在保证计算精度的条件下达到线性的计算复杂度。最后,通过若干算例对算法的可靠性和计算复杂度进行了验证。本论文比较系统地研究了基于积分方程的互连参数提取方法,以及适用于加速求解积分方程的快速算法,为先进工艺节点下的高速集成电路的快速建模提供数值求解方案和工具。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
互连参数论文参考文献
[1].代宣军,张朗萍,雷军乐.固化工艺参数对导电胶的LTCC互连机械性能研究[J].中国胶粘剂.2019
[2].赵宇.基于积分方程的互连参数提取方法及其快速算法[D].上海交通大学.2018
[3].张倩倩.叁维集成电路中硅通孔互连参数提取的研究[D].大连交通大学.2018
[4].钟岳松,刘再平.浅谈刚挠印制板内层互连失效与钻孔参数的关联[J].印制电路信息.2018
[5].苏晓,刘宝宏,陈瑛,郭玄灜.纳米尺度互连线寄生参数的仿真及应用于CMOS射频集成电路设计[J].数字技术与应用.2016
[6].田伟,曹新亮.高频互连线的分布参数特征分析及建模[J].延安大学学报(自然科学版).2016
[7].黄春跃,吴松,梁颖,李天明,郭广阔.随机振动加载条件下焊点形态参数对板级光互连模块对准偏移影响分析[J].振动与冲击.2015
[8].简刚,韩国栋,马钊坤,周玉瀚.基于参数的层次化Mesh互连片上网络结构[J].计算机应用研究.2016
[9].吴松,黄春跃,梁颖,李天明,郭广阔.热循环加载条件下焊点形态参数对板级光互连模块对准偏移影响分析[J].电子学报.2015
[10].黄飞,丁善婷,李婳婧.薄膜互连线形状参数对电迁移的影响[J].湖北工业大学学报.2015