唐昉:非磁性半金属YBi中极大磁电阻及拓扑电子结构构建论文

唐昉:非磁性半金属YBi中极大磁电阻及拓扑电子结构构建论文

本文主要研究内容

作者唐昉,吴子鸣,林如龙,房勇,韩志达,钱斌,江学范(2019)在《非磁性半金属YBi中极大磁电阻及拓扑电子结构构建》一文中研究指出:通过自助溶剂法制备YBi单晶,并研究其磁输运行为及电子结构.零磁场下, YBi具有金属导电特性.磁场作用下,低温电阻将会极大增强,呈现类似拓扑绝缘体的电阻平台.科勒关系表明YBi中具有多种载流子.第一性原理计算表明,该材料具有一个电子带和两个空穴带,且电子和空穴的数目大致相当.此外,我们还发现YBi具有非平庸的电子能带结构.实验表征及理论计算表明,YBi的极大磁电阻来源于电子-空穴补偿效应及拓扑能带结构.

Abstract

tong guo zi zhu rong ji fa zhi bei YBichan jing ,bing yan jiu ji ci shu yun hang wei ji dian zi jie gou .ling ci chang xia , YBiju you jin shu dao dian te xing .ci chang zuo yong xia ,di wen dian zu jiang hui ji da zeng jiang ,cheng xian lei shi ta pu jue yuan ti de dian zu ping tai .ke le guan ji biao ming YBizhong ju you duo chong zai liu zi .di yi xing yuan li ji suan biao ming ,gai cai liao ju you yi ge dian zi dai he liang ge kong xue dai ,ju dian zi he kong xue de shu mu da zhi xiang dang .ci wai ,wo men hai fa xian YBiju you fei ping yong de dian zi neng dai jie gou .shi yan biao zheng ji li lun ji suan biao ming ,YBide ji da ci dian zu lai yuan yu dian zi -kong xue bu chang xiao ying ji ta pu neng dai jie gou .

论文参考文献

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  • 论文详细介绍

    论文作者分别是来自常熟理工学院学报的唐昉,吴子鸣,林如龙,房勇,韩志达,钱斌,江学范,发表于刊物常熟理工学院学报2019年05期论文,是一篇关于磁电阻论文,电子空穴补偿论文,第一性原理计算论文,常熟理工学院学报2019年05期论文的文章。本文可供学术参考使用,各位学者可以免费参考阅读下载,文章观点不代表本站观点,资料来自常熟理工学院学报2019年05期论文网站,若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权,请联系我们删除。

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