本文主要研究内容
作者吕通,张恩爽,原因,樊志敏,马向雨,成中军,刘宇艳,宫元勋,赵宏杰（2019）在《大片单层低缺陷MXene的制备及其膜材料的电磁屏蔽性能》一文中研究指出：采用原位生成氢氟酸法刻蚀Ti3AlC2制备了单片层二维过渡金属碳化物（MXene）,用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）及原子力显微镜（AFM）等表征了MXene的微观形貌.结果表明,所制备的MXene材料具有大片、单层及低缺陷等特点.通过抽滤MXene分散液制备的MXene膜材料具有导电性高（3280 S/cm）及韧性优异等特点.MXene膜的屏蔽性能测试结果表明,8μm厚的MXene膜屏蔽效能为60.6d B,SSE/t值则高达19531.1 d B·cm2·g-1.推测MXene膜的屏蔽机理是一种以吸收为主的电磁干扰屏蔽机制.
Abstract
cai yong yuan wei sheng cheng qing fu suan fa ke shi Ti3AlC2zhi bei le chan pian ceng er wei guo du jin shu tan hua wu （MXene）,yong sao miao dian zi xian wei jing （SEM）、tou she dian zi xian wei jing （TEM）ji yuan zi li xian wei jing （AFM）deng biao zheng le MXenede wei guan xing mao .jie guo biao ming ,suo zhi bei de MXenecai liao ju you da pian 、chan ceng ji di que xian deng te dian .tong guo chou lv MXenefen san ye zhi bei de MXenemo cai liao ju you dao dian xing gao （3280 S/cm）ji ren xing you yi deng te dian .MXenemo de bing bi xing neng ce shi jie guo biao ming ,8μmhou de MXenemo bing bi xiao neng wei 60.6d B,SSE/tzhi ze gao da 19531.1 d B·cm2·g-1.tui ce MXenemo de bing bi ji li shi yi chong yi xi shou wei zhu de dian ci gan rao bing bi ji zhi .
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自高等学校化学学报的吕通,张恩爽,原因,樊志敏,马向雨,成中军,刘宇艳,宫元勋,赵宏杰，发表于刊物高等学校化学学报2019年10期论文，是一篇关于屏蔽材料论文,大片论文,高性能论文,高等学校化学学报2019年10期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自高等学校化学学报2019年10期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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