导读:本文包含了铋层状结构压电陶瓷论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:铋层状,无铅压电陶瓷,离子掺杂,固相合成法
铋层状结构压电陶瓷论文文献综述
姚忠冉[1]（2017）在《铋层状结构无铅压电陶瓷的掺杂改性研究》一文中研究指出铋层状结构无铅压电陶瓷(BLSFs)因其具有较好的温度稳定性能,兼有居里温度高、介电损耗低等特点,成为高温压电材料研究领域中最为热门的材料之一。本文主要研究了不同离子掺杂对铋层状无铅压电陶瓷的微观结构变化和电学性能的影响,为获得性能优异的铋层状无铅压电陶瓷材料奠定相关理论和技术基础。主要研究内容如下:1.采用传统固相合成法制备了Sm~(3+)、Mo~(6+)和复合离子(K_(0.5)Bi_(0.5))~(2+)掺杂的SrBi_2Nb_2O_9(SBN)铋层状结构无铅压电陶瓷。研究结果表明:掺杂Sm~(3+)、Mo~(6+)或(K_(0.5)Bi_(0.5))~(2+)离子,SBN陶瓷样品均形成了典型的铋层状相结构。其中,Sm~(3+)掺杂取代Bi~(3+),降低了SBN陶瓷的居里温度,但压电性能和铁电性能取得明显改善。当掺杂量为0.03时,取得最佳电学性能:2P_r=14μC/cm~2,d_(33)=19 pC/N,T_c=435℃。价态较高的Mo~(6+)掺杂取代B位Nb~(5+)离子,属施主掺杂,减少氧空位的产生,使SBN陶瓷样品的压电和铁电性能得到明显提高。当掺杂量为0.12时,取得最佳电学性能:2P_r=20.34μC/cm~2,T_c=458℃,tanδ=0.495%,d_(33)=18 pC/N。复合离子(K_(0.5)Bi_(0.5))~(2+)掺杂取代Sr~(2+),促进晶粒的生长,不仅提高了陶瓷样品的居里温度,压电和铁电性能也明显改善。当掺杂量为0.2,获得最为优异的剩余极化强度(2P_r=15.5μC/cm~2);当掺杂量为0.5时,取得最大压电常数(d_(33)=21 pC/N)。掺杂量为0.2时,取得优异的综合性能:2P_r=15.5μC/cm~2,d_(33)=20 pC/N,T_c=469℃,ρrd=95.9%。2.采用传统固相合成法制备Na_(0.5)Bi_(4.5-x)Er_xTi_4O_(15)(NBET-x;x=0.00,0.006,0.012,0.018,0.025)和Na_(0.5)Bi_(4.5-x)(La_(0.5)Ce_(0.5))_xTi_4O_(15)(NBT-LCx;x=0.0,0.1,0.15,0.2,0.3)系列铋层状无铅压电陶瓷。研究结果表明,无论是Er~(3+)离子还是复合离子(La_(0.5)Ce_(0.5))~(3+)掺杂,都未改变NBT铋层状陶瓷的相结构,即均为单一的铋层状结构。掺杂离子半径较小的Er~(3+),提高了陶瓷样品的居里温度,并且温度稳定性较好的Er~(3+)离子取代易挥发的Bi~(3+),减少氧空位的同时,更提高了钙钛矿层的化学稳定性,从而提高陶瓷样品的电学性能。当掺杂量为0.012时,获得最佳电学性能:2P_r=17.2μC/cm~2,d_(33)=21pC/N,T_c=658℃。复合离子(La_(0.5)Ce_(0.5))~(3+)掺杂取代Bi~(3+),由于Ce离子为变价离子(Ce~(3+)和Ce4+),高价Ce~(4+)取代Bi~(3+)的过程中,属施主掺杂,从而提高NBT陶瓷样品的压电性能。当退火温度达到430℃,陶瓷样品NBT-LC_x(x>0)的压电性能依然保持在20pC/N以上,说明NBT-LC_x系列陶瓷不仅具有较高的压电性能并兼具优异的温度稳定性。3.采用传统固相合成法制备Sr_(1-x)(K_(0.5)Ce_(0.5))_xNa_(0.5)Bi_(4.5)Ti_5O_(18)(KCSNBT-x,x=0.0,0.1,0.2,0.3)系列铋层状无铅压电陶瓷。研究结果表明:(K_(0.5)Ce_(0.5))~(2+)复合离子掺杂并未改变SNBT陶瓷的铋层状相结构,但随掺杂量的增加,晶胞参数发生明显的变化。(K_(0.5)Ce_(0.5))~(2+)复合离子掺杂对陶瓷的居里温度影响并不明显,但随掺杂量的增加,KCSNBT-x陶瓷的铁电及压电性能取得显着提高。当掺杂量为0.3时,取得较为优异的综合性能:2P_r=16.4μC/cm~2,d_(33)=21 pC/N,T_c=567℃。此外,当退火温度达到400℃,陶瓷的压电性能依然保持在20 pC/N以上,表明KCSNBT-x陶瓷具有良好的温度稳定性能。(本文来源于《聊城大学》期刊2017-06-01）
赵莹,赵科良,寇玉娟,孙社稷[2]（2015）在《铋层状结构无铅压电陶瓷共生与复合结构的研究进展》一文中研究指出综述了铋层状压电陶瓷共生与复合体系结构特点及性能研究。组构共生结构或复合结构都是增大铋系层状钙钛矿结构铁电材料(BLSFs)剩余极化(2Pr)的有效手段。两种不同的BLSFs组构成共生或复合结构后,铋氧层以及与之相连的氧八面体的结构都发生变化,使共生结构的2Pr大于其任一组成单元,居里温度也发生了变化。(本文来源于《电子科学技术》期刊2015年01期）
曹召鹏[3]（2014）在《高温铋层状结构SrBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷的性能及温度稳定性研究》一文中研究指出铋层状结构铁电体具有较大的自发极化、良好的抗疲劳性能和较高的居里温度,因此在铁电存储和高温压电方面具有广泛的应用前景。铋层状结构铁电体的铁电性主要来源于铋氧层(Bi202)2+之间的类钙钛矿层中的B位阳离子的偏移、氧八面体沿c轴的倾侧以及八面体在a-b面内的旋转,但是由于其自发极化的旋转受到晶体结构的限制,只能在a-b二维平面内转动,使得铋层状结构铁电材料难以极化,压电活性较低。目前,对铋层状结构铁电体在高温压电方面的研究主要是：在维持高居里温度的前提下,通过提高烧结密度、增加电阻率、提高剩余极化、降低矫顽场等手段来提高其压电活性。本论文选择居里温度Tc=521℃,压电常数d33=15pC/N的铋层状结构压电材料钛酸铋锶SrBi4Ti4O15(SBT)作为研究对象,采用传统的固相烧结工艺对其进行组分优化研究,以期获得压电性能优良,又能保持较高居里温度的高温铋层状结构压电材料。本论文首先采用适合于十二配位的Ce离子对SrBi4Ti4O15的A位Sr离子进行取代改性研究,表达式为Sr1-xCexBi4Ti4O15。研究结果显示Ce对Sr的取代降低了烧结温度,同时提高了陶瓷材料的致密度,并且显着降低了SBT材料的矫顽场,使得材料更容易被极化。当x=0.04时,SBT系列陶瓷的压电性能得到显着提高,压电常数d33达到27pC/N,介电损耗显着降低。改性后的SBT压电陶瓷的平面机电耦合系数kp,频率常数Np和Nt具有优异的温度稳定性,从室温到475℃的温度范围内,kp在5%附近变化,Np和Nt的温度变化率分别为-68ppm/K和-25ppm/K。随着温度的增加(室温至475℃),串联谐振频率基频fs0和并联谐振频率基频fp0几乎线性地降低,其温度变化率均为-68ppm/K。改性后的材料抗热老化性能好,在高温下保持较高的压电性。在研究A位离子取代改性的同时,我们还研究了B位离子取代对SrBi4Ti4O15压电陶瓷电学性能的影响,本论文选用了Co离子和Mn离子分别取代B位的Ti离子。X射线衍射图谱分析显示,取代后的样品为纯的铋层状结构铁电体(m=4)的正交相。随着Co含量的提高,SrBi4Ti4-yCoyO15压电陶瓷的烧结温度显着降低,样品致密度得到增加,居里温度Tc略有上升。经过Co取代后,材料的压电活性提高,当y=0.03时,SrBi4Ti4-yCoyO15系列陶瓷的改性效果最为显着,压电常数d33达到28pC/N,说明Co对B位Ti的取代也能显着提高SBT压电陶瓷的压电性能压电常数。在Mn取代B位Ti的研究中,我们发现Mn和Co具有同样的压电性能改善效果。结果显示Mn对Ti的取代(SrBi4Ti4-zMnzO15)降低了烧结温度,改善了样品致密度,降低了介电损耗,增强了压电性能,提高了居里温度Tc。当z=0.04时,SBT-zMn系列陶瓷的性能改性效果最为显着,压电常数d33达到30pC/N。高温电学性能测试表明Mn取代改性的SBT压电陶瓷,其介电、压电性能具有优异的温度稳定性。(本文来源于《山东大学》期刊2014-05-06）
郭振雷[4]（2013）在《高温铋层状结构压电陶瓷的电学性能研究》一文中研究指出铋层状结构压电材料具有大的剩余极化和良好的抗疲劳性能,因此在铁电存储方面具有广阔的应用前景。同时,铋层状结构压电材料也具有高居里温度、高电阻率、低介电常数、机电耦合系数各向异性明显、老化率低等特点,因此在高温压电领域也具有广泛的应用。本论文选取具有代表性的CaBi2Nb2O9(m=2), Bi4Ti3O12(m=3)和K0.5Bi4.5Ti4O15(m=4)(m为钙钛矿层数)叁种铋层状结构压电材料作为研究对象。其中,CaBi2Nb209居里温度高达940℃；Bi4Ti3O12由于其优异的铁电特性,是被研究最为广泛的铋层状结构化合物；K0.5Bi4.5Ti4O15是一种具有较高压电性能的铋层状结构化合物。论文中采用传统固相反应法,通过组分调控,制备了高温铋层状压电陶瓷,系统研究了材料的结构、介电、压电和铁电性能,以期得到既有较高屑里温度,同时又具有较强压电性能的高温高性能铋层状结构压电陶瓷材料。主要的研究内容总结如下：(1)采用传统固相反应法制备了A位复合取代的CaBi2Nb2O9(?)高温压电陶瓷,分子式为：[Ca(1-x)(Na0.5Bi0.5)x]0.9(NaCe)0.05Bi2Nb2O9(x=0.0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)简写为CBN-NaBi,分析了A位取代对其压电性能的影响。X射线衍射图表明随着NaBi含量的增多衍射峰逐渐向小角度偏移,(NaBi)0.5对A位Ca的取代作用使晶格常数a,b,c逐渐增大,居里温度逐渐降低。室温下介电常数随着x的增大而升高。当x=1.0时,改性的材料具有优良的压电性能,压电常数d33=24pC/N,机械品质因数Qm为3020,介电损耗tanδ为0.21%,平面机电耦合系数kp为9.8%,厚度机电耦合系数k1为26.4%。从室温到950℃对材料进行热退极化的研究表明,除了x=0.6的样品之外,其他样品的压电常数在其居里温度附近仍能保持在室温下的80%。这表明A位(NaBi)0.5取代的CBN系列陶瓷可作为高温压电方面的应用。(2)采用传统固相反应法用Ce02对La3+掺杂的Bi4Ti3O12进行A位取代,制备得到了Bi3.25-xCexLa0.75Ti3O12(BLT-Ce)系列陶瓷,其中x的值为0,0.005,0.01,0.02和0.03。X射线衍射图表明BLT-Ce陶瓷为正交晶系结构,随着Ce02含量的增多d33值先增大后降低。当x=0.01时与纯的BIT(d33=3.5pC/N)相比样品具有较高的压电常数d33=22pC/N,介电损耗tanδ仅为0.23%,机械品质因数Qm达到了4150,Tc为405℃。从室温到400℃对材料进行热退极化的研究表明d33值虽然有所减小但是仍然保持在室温时的90%左右,这表明材料具有较好的温度稳定性Bi3.25La0.75Ti3O12和Bi3.24Ce0.01La0.75Ti3O12的剩余极化强度Pc分别为9.6、11.0μC/cm2,矫顽场Ec分别为54.7和70.4kV/cm。(3)采用传统固相反应法用Co2O3对K0.5Bi4.5Ti4O15进行B位取代制备得到了K0.5Bi4.5CoxTi4-xO15(KBT-Co)系列陶瓷,其中x的值为0,0.03,0.04,0.05,0.06,0.08和0.1。从XRD图可以看出KBT-Co系列陶瓷为正交晶系结构。与纯的KBT陶瓷相比,Co改性的KBT陶瓷衍射峰向小角度偏移,表明Co的引入导致轻微的晶格畸变。研究了KBT-Co系列陶瓷的介电,压电和铁电性质。Co改性的陶瓷损耗明显降低,居里温度随着Co含量的增加而增加。掺入Co后导致氧八面体微弱畸变,KBT-Co陶瓷的压电和铁电性能得以提高。KBT-Co5爪电常数d33为28pC/N,居里温度Tc为575℃,剩余极化强度Pr为13.8μC/cm2,矫顽场Ec为63.3kV/cm。平面机电耦合系数kp大约为3.8%,厚度机电耦合系数k1约26.5%,k1约为kp的7倍,机电耦合系数具有明显的各项异性。KBT-Co5(?)内kp、k1随温度变化曲线和热退极化的分析表明其具有较好的温度稳定性。(本文来源于《山东大学》期刊2013-04-26）
赵燚[5]（2010）在《铋层状结构无铅压电陶瓷的离子取代改性研究》一文中研究指出铋层状结构无铅压电陶瓷具有较高的居里温度和良好的抗疲劳性能,因此在高温压电应用及铁电存储方面具有广阔的应用前景。但是单一铋层状材料具有难以实用化的缺点,因此本文采用生成固溶体和离子取代两种方法改善材料的电学性能,系统研究了材料的结构特性与介电性能、铁电及压电性能的关系,对制备高性能且实用性的铁电材料具有一定的指导意义。本论文采用传统陶瓷制备工艺,成功制备了(SrBi_2Ta_2O_9)_x(Bi_3TiTaO_9)_(1-x)陶瓷体系。该体系形成了单一正交晶系铋层状结构,随着SBT引入量的增多,晶粒逐渐增大,结晶度逐步提高,晶粒尺寸趋于一致。当x=0.6mol时,室温下的介电性能最优,此时=131.6516,tan =0.01273。SBT含量的增多使晶体中A位加权离子半径增大,同时离子极化率减小,因此居里温度随之降低(x=0.6,Tc=450℃)。首次将钙钛矿结构与铋层状结构固溶制得(BaTiO_3)_x(SrBi_2Ta_2O_9)_(1-x)(0.05≤x≤0.3)陶瓷。当x≤0.2时为单相铋层状结构,当x=0.3时形成了四方相。由扫描电镜可知,陶瓷样品形成了铋层状结构与钙钛矿结构共存的固溶体。室温下BT-SBT陶瓷的介电常数在1kHz~100kHz范围内具有频率稳定性,tan维持在6.0×10~(-3)数量级以下。BT-SBT系列陶瓷具有弥散相变和频率色散特征,同时具有较大的弥散性指数(>1.6),具有典型弛豫型铁电体特征。随着BT含量的增加,陶瓷样品的居里温度T_c均为650℃,远高于BT(T_c=130℃)和SBT(T_c=335℃)的居里温度。当x=0.1mol时, =200,tan =0.00376,d_(33)=12 pC/N,表现出优异的综合性能。本文还采用了离子取代的方法对铋层状结构化合物进行改性研究。选用同主族的Ba~(2+)取代CaBi_4Ti_4O_(15)中A位的Ca~(~(2+)),所形成的Ca_(1-x)Ba_xBi_4Ti_4O_(15)体系为四层的铋层状结构,Ba~(2+)取代减小了正交畸变程度,降低了陶瓷样品的居里温度,提高了陶瓷在室温下的介电和铁电性能,还选用同主族的K~+取代Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)中A位的Na~+,样品均形成单一相的铋层状结构,K~+含量的增加,增大了晶格畸变,提了结晶度。由于烧结过程中K~+容易挥发,造成反应物配比中(K,Bi)空位的增加,使居里温度不随K~+含量的变化,四个样品的居里温度均为660℃。样品的介电损耗峰值在低温处出现了弛豫峰,根据Arrhenius公式拟合可知,该弛豫过程是由于氧空位的热运动引起的。(本文来源于《西安科技大学》期刊2010-06-30）
赵亮[6]（2009）在《高温铋层状结构Na_（0.5）Bi_（4.5）Ti_4O_（15）压电陶瓷的研究》一文中研究指出铋层状结构铁电体具有较高的居里温度和良好的抗疲劳性能,因此在高温压电应用及铁电存储方面具有广阔的应用前景。但是由于其晶体结构受二维限制,使得这类压电材料的压电活性很低。本论文的研究目的是研究铋层状结构压电陶瓷的结构性能关系,在保持高居里温度的前提下,提高材料的压电活性。另外结合高温使用的要求,对影响材料的高温电阻率、压电机电性能的温度稳定性进行研究。本文选择居里温度(T_c)高达670℃的Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)(NBT)作为研究对象,采用传统烧结工艺对其进行掺杂改性研究,以期得到压电性能大幅提高,性能优良,居里温度高(T_c＞600℃)的Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)压电陶瓷材料。从提高材料压电活性的角度讲,A位替代改性比B位替代改性效果明显,因此,本论文首先采用适合于十二面体配位的Ce离子对Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)的A位离子进行掺杂取代。对于Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)-x wt%CeO_2陶瓷,掺杂量在0.25wt%时,晶格常数a,b,c都减小,但随着Ce掺杂含量的增大,晶格常数a,b,c均逐渐增大。NBT陶瓷的居里温度随Ce掺杂量降低,压电性能得到很大的提高。在保持材料高居里温度的前提下,获得了压电性能明显改善的铋层状结构Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)压电陶瓷,其中,掺杂0.25 wt%CeO_2的NBT陶瓷具有最大的压电常数(d_(33)=28 pC/N),而且温度稳定性得到了较大提高。在研究A位离子替位改性的同时,本论文也研究了B位离子对Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)压电陶瓷的替代改性。本论文选用Co来掺杂取代B位置的Ti原子,Co掺杂引起了NBT材料的微弱的晶格畸变。与纯NBT陶瓷相比,B位Co离子替位改性后的NBT陶瓷具有更高的致密度和收缩率。Co离子替位改性的NBT陶瓷的压电性能得到了很大程度提高;在室温下,厚度机电耦合系数K_t大约是平面机电耦合系数K_p的6倍,这表明NBT陶瓷机电耦合系数具有很强的各项异性。本论文同时研究了在不同温度下阻抗模量与频率的变化关系,结果显示Co离子替位改性的NBT陶瓷在高温条件下具有良好的机电特性。本论文还对Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)及其衍生化合物K_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)(KBT),Na_(0.5)La_(0.5)Bi_4Ti_4O_(15)(NLBT),K_(0.5)La_(0.5)Bi_4Ti_4O_(15)(KLBT)进行了对比研究。NBT及其衍生化合物KBT,NLBT,KLBT是典型的四层铋层状结构铁电体材料,它们都具有正交结构。对于含La的NLBT和KLBT,介电损耗tanδ均明显降低,其中KLBT的介电损耗tanδ不到0.1%。材料的结构正交性NBT>KBT>>NLBT>KLBT,这与居里温度变化趋势基本吻合,说明居里温度与材料结构的正交性有密切关系。(本文来源于《山东大学》期刊2009-04-26）
赵莹,杜慧玲,李会录,程卫星[7]（2008）在《铋层状结构压电陶瓷的制备与性能优化》一文中研究指出采用固相烧结工艺制备了(SrBi2Nb2O9)x(Na0.5Bi2.5Nb2O9)1–x(SBN–NBN,x=0.1,0.3,0.6,0.9)新型铋层状结构无铅压电陶瓷。用X射线衍射仪、扫描电镜、介电和铁电测试系统分析SBN–NBN的结构、微观形貌与性能。结果表明:随着SBN含量的增加,样品均形成了稳定的层状铋结构,Curie温度(θC)减小,铁电–顺电相变弥散减弱,当x≤0.6时,剩余极化强度(2Pr)和矫顽场(Ec)均增大,当x>0.6时,2Pr和Ec均减小。当x=0.6时,θC>650℃,2Pr=18.93μC/cm2,Ec=86.79kV/cm,均大于两单体系的。进一步研究了SBN和NBN两个预合成粉料的共混工艺对其性能的影响。结果表明:共混工序的差异对烧结体的物相结构没有产生明显影响,但对铁电性能产生了不容忽视的影响,两预合成粉造粒前混合比造粒后混合制得样品的θC高,弥散特性弱且易于极化。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2008年09期）
赵莹[8]（2008）在《铋层状结构无铅压电陶瓷的制备技术与性能研究》一文中研究指出随着人类环保意识的增强,传统铅基陶瓷介质材料因其在生产和使用过程中给环境和人类健康带来的巨大危害,已不能满足人们的要求,寻找一种新型、环保、高温和良好性能的无铅压电陶瓷成为各国材料研究人员的共同目标。铋层状结构无铅压电陶瓷因为具有居里温度高、介电损耗小、低老化率和高电阻率,被认为是无铅压电陶瓷最有希望的候选材料之一。但单一铋层状材料具有难以实用化的缺点,因此本文采用共生和固溶形成多元混合体系的两种方法改善材料的铁电和压电性能,系统研究了材料的制备工艺、结构特性与介电性能、铁电及压电性能的关系,对制备高性能且实用性的铁电材料具有一定的指导意义。本论文采用传统陶瓷制备工艺,成功制备了共生结构层状铋陶瓷MBi2Nb2O9-Bi4Ti3 O12 (M=Ca,Sr,Pb,Ba;简称MBN-BTO)和Bi4Ti3O12-MBi4Ti4O15(M=Ca,Sr,Pb,Ba;简称BTO-MBT),其中除样品CBN-BTO没有生成预期的共生结构,其它组分均生成了2-3层共生和3-4层共生的单相结构,且无杂相生成。研究发现这两组共生结构的介电和铁电性能与A位离子半径的大小关系密切,当A位离子为Sr2+、Pb2+、Ba2+时,随着半径的增大,MBN-BTO和BTO-MBT的铁电性能依次变差。其中,A位离子为Sr2+时都能得到高居里温度,且具有较好铁电性能的无铅压电陶瓷。2-3层共生结构中最不容易被极化的是BaBi2Nb2O9-Bi4Ti3O12陶瓷,将La3+离子引入到其A位改变其性能,随着La3+含量的增加,晶粒由片状逐渐变为棒柱状,介电常数增大,居里温度提高。首次制备的(SrBi2Nb2O9)x(Na0.5Bi2.5Nb2O9)1-x(简称SBNx-NBN)体系中,随着SBN含量的增加,样品均形成了稳定的铋层状结构,居里温度(TC)减小,铁电-顺电相变弥散减弱。当x=0.6时,TC>650℃,剩余极化强度(2Pr)、矫顽场(Ec)和压电常数d33达最大值:2Pr=18.93μC/cm2,Ec=86.79kV/cm,d33(120℃)=20pC/N,均大于两单体系,明显提高了材料的铁电和压电性能。进一步研究了SBN和NBN两个预合成粉料的共混工艺对其性能的影响。结果表明:共混工序的差异对烧结体的物相结构没有产生明显影响,但对铁电性能产生了不容忽视的影响,两组分预合成粉造粒前混合比造粒后混合制得样品的居里温度高,弥散特性弱且易于极化。选用造粒前将两体系预合成粉按比例共混的工艺制备(SrBi2Ta2O9)x(BaBi2Nb2O9)1-x(简称SBTx-BBN)陶瓷,样品均形成了铋层状结构相。随着SBT含量的增加,晶粒由粒状逐渐长大变成层片状。SBTx-BBN在整个测量温度范围内有两个介电峰,经分析是典型的弛豫峰,SBTx-BBN是弛豫铁电体。将铋层状结构与钙钛矿结构固溶制得(K0.5Na0.5NbO3)x(SrBi2Nb2O9)1-x(简称KNNx-SBN)铋层状复结构陶瓷。当x≤0.1时晶体结构以SBN相为主;当x>0.1时出现了KxNaySr1-x-yNbO3的钙钛矿结构相。随着KNN含量的增加,陶瓷样品的居里温度从451℃增加到495℃,2Pr和d33均减小。当x=0.05时,KNNx-SBN的铁电性能和压电性能达到最好,2Pr=19.44μC/cm2,Ec=65.29kV/cm,d33=13pC/N,提高了材料的铁电和压电性能。(本文来源于《西安科技大学》期刊2008-04-15）
郑夏莲,许华[9]（2007）在《铋层状结构无铅压电陶瓷的研究进展》一文中研究指出铋层状结构无铅压电陶瓷具有优良的铁电性能,适合应用于高温、高频领域以及疲劳特性好的铁电存储器领域.本文介绍了铋层状压电材料的结构特点,综述了铋层压电材料的改性研究;着重综述了铋层状结构压电陶瓷材料的掺杂改性研究进展,并对存在的问题和解决方法进行了分析,为制备出高性能的铋层状结构无铅压电陶瓷材料提供一定的参考价值,经过改性的材料可能应用在铁电显示器中.(本文来源于《宜春学院学报》期刊2007年04期）
赁敦敏,肖定全,朱建国,余萍,鄢洪建[10]（2003）在《铋层状结构无铅压电陶瓷的研究与进展——无铅压电陶瓷20年发明专利分析之叁》一文中研究指出铋层状结构无铅压电陶瓷因其居里温度高、介电常数低、介电击穿强度大及各向异性大等特征近年来受到广泛研究。本文归纳和分析了铋层状结构无铅压电陶瓷近20年的发明专利,着重介绍了主要体系的压电铁电性能,并对铋层状结构无铅压电陶瓷今后的发展与研究提出了一些建议。(本文来源于《功能材料》期刊2003年05期）
铋层状结构压电陶瓷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
综述了铋层状压电陶瓷共生与复合体系结构特点及性能研究。组构共生结构或复合结构都是增大铋系层状钙钛矿结构铁电材料(BLSFs)剩余极化(2Pr)的有效手段。两种不同的BLSFs组构成共生或复合结构后,铋氧层以及与之相连的氧八面体的结构都发生变化,使共生结构的2Pr大于其任一组成单元,居里温度也发生了变化。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
铋层状结构压电陶瓷论文参考文献
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