导读:本文包含了全息光刻论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:半导体激光器,波长锁定,腔面光栅,全息光刻
全息光刻论文文献综述
王岳,王勇,李占国,尤明慧[1]（2019）在《全息光刻制备808 nm腔面光栅半导体激光器》一文中研究指出利用全息光刻开展了808 nm腔面光栅半导体激光器腔面膜系制备,制备与表征了单管芯器件,单管芯器件条宽100μm,腔长2 mm,输出中心波长807.32 nm,光谱半宽为0.36 nm,15～45℃温度范围内波长随温度的漂移系数为0.072 nm/℃,室温单管芯最大连续输出功率达到2.8 W,阈值电流为0.49 A,斜率效率为1.05 W/A。测试结果表明808 nm腔面光栅半导体激光器实现了单纵模输出。(本文来源于《发光学报》期刊2019年09期）
李欢,杨成奥,谢圣文,黄书山,柴小力[2]（2018）在《全息光刻制备LC-DFB及光栅刻蚀优化（英文）》一文中研究指出成功制备出室温激射波长为2μm的Ga Sb基侧向耦合分布反馈量子阱激光器.采用全息曝光及电感耦合等离子体刻蚀技术制备二阶布拉格光栅.优化了光栅制备的刻蚀条件,并获得室温2μm单纵模激射.激光器输出光功率超过5 m W,最大边模抑制比达到24 d B.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2018年02期）
卢小香[3]（2018）在《基于全息光刻微结构提高OLED出光效率的研究》一文中研究指出本论文主要开展了微结构图形提高有机发光二极管(OLED)出光效率的研究。实验结果表明,通过在OLED的ITO层引入一维光栅、二维光栅以及无序纳米图形,OLED出光效率显着提高。利用FDTD模拟研究了不同周期和不同刻蚀深度的光栅图形,对OLED的透过率和电场强度的影响进行了研究。将采用全息光刻和湿法刻蚀方法在ITO衬底上制备的光栅用于橙光发光器件,研究了光栅对器件发光性能的影响。器件结果表明,一维光栅周期为350 nm,刻蚀深度为20 nm时,最大外量子效率提高了29.5%。当二维点阵周期为350 nm,刻蚀深度为40 nm时,外量子效率提高了49.5%。当二维孔阵周期为350 nm,刻蚀深度为40 nm时,外量子效率提高了61.5%,实验结果表明光栅图形可以显着地提高OLED器件出光效率。采用金薄膜退火和湿法刻蚀技术在ITO玻璃片上制备了无序纳米图形,并用于橙光OLED器件中,研究了无序纳米图形对器件发光性能的影响。器件结果表明,当金薄膜厚度为10 nm,退火温度为570°C,退火时间为240 s,刻蚀深度30 nm时,外量子效率提高35%,实验结果表明无序纳米图形可以显着地提高OLED器件出光效率。(本文来源于《长春理工大学》期刊2018-03-01）
林达奎,陈火耀,刘正坤,刘颖[4]（2018）在《电子束光刻-近场全息法制作平焦场光栅的误差分析及补偿方法》一文中研究指出在激光等离子体诊断等领域中,以平焦场光栅为核心器件的软X射线光谱仪发挥着重要作用。利用电子束光刻-近场全息法制作的平焦场光栅兼具电子束光刻线密度变化灵活,以及全息光栅低杂散光、抑制高次谐波等的特点。采用光线追迹方法分析电子束光刻-近场全息法制作平焦场光栅的主要制作误差对其光谱成像特性的影响。结果表明:电子束光刻制备熔石英掩模和近场全息图形转移过程的制作误差均会导致谱线展宽;以目前应用较多的软X射线平焦场光栅(中心线密度为2400line/mm、工作波段在0.8~6.0nm)为例,当熔石英掩模在光栅矢量方向的长度为50mm时,电子束光刻分区数目应保证在1500以上;熔石英掩模线密度偏差引入的谱线展宽可以通过调整近场全息制作参数来消除;确定了近场全息中的两个主要影响因素——熔石英掩模与光栅基底的间距和夹角;近场全息中各误差因素之间有相互补偿的效果,故除了尽可能消除制备过程中的每一种制作误差外,也可以通过优化不同误差之间的分配来降低制备误差。本研究对优化电子束直写掩模策略、降低掩模制作难度、设计和调整近场全息光路有重要帮助。(本文来源于《光学学报》期刊2018年05期）
王霞,吕浩,赵秋玲,张帅一,谭永炎[5]（2016）在《激光全息光刻技术在微纳光子结构制备中的应用进展》一文中研究指出微纳光子结构研究随着光子学、半导体物理学及微加工技术的发展而逐渐蓬勃开展,并在其结构、理论、制备技术等方面取得了系列进展。受限于目前的微加工技术水平,要成功制备大尺度、高质量的光子材料仍然存在着一定挑战。激光全息光刻技术作为一种简便快捷的微结构制作技术已经发展成为一种经济快速制作大面积微纳超材料及光子晶体模板的重要手段。介绍了激光全息光刻技术的原理,详细阐述了该技术在制作叁维面心立方、木堆积结构、金刚石结构光子晶体以及光学周期类准晶、手性超材料、周期性缺陷结构等微纳光子结构中的应用研究进展。激光全息光刻技术成功制作微纳光子结构为光子材料在更多领域的广泛应用提供了基础和方法。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2016年11期）
付伟平,李静[6]（2016）在《基于DMD的全息光刻系统设计》一文中研究指出设计搭建了一套基于DMD(Digital Micro-mirror Derice)的全息光刻系统,它包括光路和软件部分。在软件设计中,采用MATLAB语言编制基于博奇编码的计算全息图,以二维灰度光栅为例,对其进行了计算全息的设计和模拟再现,并通过实验再现了二维灰度光栅图案,验证了设计的合理性和可靠性。(本文来源于《新技术新工艺》期刊2016年09期）
叶镇[7]（2016）在《多光束全息光刻制作纳米阵列图形的研究》一文中研究指出本论文基于光的干涉、全息光刻理论以及条纹锁定技术等理论基础。先通过理论分析设计出纳米级阵列图形,再通过建立多光束全息光刻系统成功在光刻胶层制备出光栅,孔阵及点阵周期阵列图形,设计周期均为528nm。然后通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术,制备出高分辨率,大视场,精细的纳米级阵列图形。基于GaAs衬底,得出全息光刻单曝光制备光栅图形最优曝光时间为40s。全息光刻双曝光制备孔阵图形最优曝光时间为60s,全息光刻双曝光制备点阵图形最优曝光时间为90s。采用H3PO4:H2O2:H2O=1:1:10配比的刻蚀液,得出最佳刻蚀光栅的时间为20s,刻蚀点阵及孔阵的时间为30s。扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示,光栅图形刻蚀深度为85nm,孔阵图形刻蚀深度为124nm,均具有完美的表面形貌及良好均匀性和周期性。最后基于以上技术,引入图形反转工艺对点阵图形进行优化,提高了点阵图形精度。得到点阵图形刻蚀深度约为190nm,点状结构直径约为340nm。(本文来源于《长春理工大学》期刊2016-06-30）
夏侯命玖[8]（2016）在《基于全息光刻法的红外光子晶体薄膜的研制》一文中研究指出光子晶体作为新型的人工电磁介质材料,具有优异的性能和广阔的应用前景,近年来国内外对光子晶体尤其是对于一维和二维的光子晶体研究比较深入,但是对于叁维光子晶体的制备与研究成果相对较少,可以说光子晶体已经成为光学领域的一个研究热点。本文主要利用激光全息的方法制备柔性光子晶体薄膜,并结合了接触式曝光光刻技术、激光全息光刻技术、模压复制技术和迭层等相关技术的制备方法。本论文的主要工作有:1.综合阐述了光子晶体的概念、结构、特性以及制备方法,特别介绍了激光全息光刻法制备光子晶体的相关理论。论文中着重介绍了激光全息光刻中光致抗蚀剂的原理与实际应用,以及激光全息光刻的研究进展工作等。2.论文的第二、叁章内容为之后实验的进行提供了扎实的理论依据。结合PVC接触式光刻、基于铬版的激光全息光刻和PDMS的转印技术搭建了制备二维光子晶体薄膜的平台,并成功制备了具有柔软性质的二维光子晶体薄膜。同时也利用模压复制技术、迭层技术制备了叁维光子晶体薄膜。3.利用数字显微镜和红外半导体激光波段的光对二维和叁维的光子晶体进行了观察和检测的工作,进一步佐证了四种制备光子晶体方法的可行性。论文的最后还对整个论文的工作进行了总结。(本文来源于《南昌航空大学》期刊2016-06-01）
杨婉文[9]（2016）在《电子束光刻全息技术创造更高级别的光学防伪标签》一文中研究指出我们常说的"光学防伪标签"一般是指全息标识。日常生活中,我们在身份证、护照、纸钞等很多物品上都能看到全息防伪标识的影子,它们也许是透明的,也许是银色的,也有金色的。银色全息标识最受市场欢迎,因为在银色基材上制作的全息防伪元素最容易被肉眼辨识。除了印度由于受传统文化影响更喜欢金色全息标识外,其他亚洲国家使用最多的也都是银色全息标识。全息标识之所以被广泛应用(本文来源于《标签技术》期刊2016年02期）
叶镇,王勇,高占琦,刘丹丹,庄允益[10]（2015）在《基于全息光刻系统制备528nm周期孔阵图形》一文中研究指出基于Ga As衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60 s。采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10配比的刻蚀液,得出最佳刻蚀时间为30 s。扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示,孔阵周期为528 nm,刻蚀深度为124 nm,具有完美的表面形貌及良好均匀性和周期性。(本文来源于《中国激光》期刊2015年08期）
全息光刻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
成功制备出室温激射波长为2μm的Ga Sb基侧向耦合分布反馈量子阱激光器.采用全息曝光及电感耦合等离子体刻蚀技术制备二阶布拉格光栅.优化了光栅制备的刻蚀条件,并获得室温2μm单纵模激射.激光器输出光功率超过5 m W,最大边模抑制比达到24 d B.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
全息光刻论文参考文献
[1].王岳,王勇,李占国,尤明慧.全息光刻制备808nm腔面光栅半导体激光器[J].发光学报.2019
[2].李欢,杨成奥,谢圣文,黄书山,柴小力.全息光刻制备LC-DFB及光栅刻蚀优化（英文）[J].红外与毫米波学报.2018
[3].卢小香.基于全息光刻微结构提高OLED出光效率的研究[D].长春理工大学.2018
[4].林达奎,陈火耀,刘正坤,刘颖.电子束光刻-近场全息法制作平焦场光栅的误差分析及补偿方法[J].光学学报.2018
[5].王霞,吕浩,赵秋玲,张帅一,谭永炎.激光全息光刻技术在微纳光子结构制备中的应用进展[J].光谱学与光谱分析.2016
[6].付伟平,李静.基于DMD的全息光刻系统设计[J].新技术新工艺.2016
[7].叶镇.多光束全息光刻制作纳米阵列图形的研究[D].长春理工大学.2016
[8].夏侯命玖.基于全息光刻法的红外光子晶体薄膜的研制[D].南昌航空大学.2016
[9].杨婉文.电子束光刻全息技术创造更高级别的光学防伪标签[J].标签技术.2016
[10].叶镇,王勇,高占琦,刘丹丹,庄允益.基于全息光刻系统制备528nm周期孔阵图形[J].中国激光.2015