导读:本文包含了铁电薄膜移相器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:相控阵,太赫兹,单片雷达,BST薄膜
铁电薄膜移相器论文文献综述
宁希[1]（2016）在《硅基铁电薄膜太赫兹信号移相器研制》一文中研究指出相控阵雷达因其扫描速度快、质量体积小而得到广泛应用,如果将其工作频率拓展到太赫兹波段,有望实现穿障探测、高分辨成像等。雷达的微型化、单片化是近年来的重要发展方向,由于硅工艺的快速发展,硅基CMOS集成成为单片雷达的首选方案。近年来,太赫兹源与收发器的研究取得一定进展,相对而言信号预处理器件研究较少。移相器是相控阵雷达中需求量最大的预处理器件,现有移相技术难以满足太赫兹单片雷达发展需求,亟需寻求新的解决途径。钛酸锶钡((Ba,Sr)TiO_3,BST)是一种介电常数电可调的铁电材料,其薄膜具有材料漏流低、响应速度快、易于集成等优势,在制备太赫兹波段硅基移相器应用中具有巨大潜力。本文基于BST薄膜材料研制硅基太赫兹移相器,开展了BST薄膜制备与表征、移相器设计仿真与制备和移相器石墨烯电极探索等方面研究,具体研究内容与创新点有以下4点:(1)采用脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition,PLD)在高阻硅(high resistivity Silicon,hrSi)衬底上制备BST薄膜,并通过高温后退火处理提高了薄膜的耐受电压。为了精确提取BST薄膜的高频特性,本文提出了一种基于共面波导(Coplanar Waveguide,CPW)传输线散射参数的特性提取方法:等角匹配(Conformal Mapping,CM)加速的叁维有限元(Three Dimension Finite Element Method,3D-FEM)仿真法,并采用该方法提取了BST/hrSi样片0.1 GHz-110 GHz介电特性。与现有方法相比,该方法能够克服导体简化模型和准横电磁模(quasi Transverse Electromagnetic Mode,quasi-TEM)等引入的模型误差,且通过CM算法加速迭代过程,降低了3D仿真导致的时间开销。(2)基于左手传输线移相器结构,设计了一款中心工作频率100 GHz,带宽10 GHz的BST薄膜移相器,并开展了器件制备与测试试验。为降低器件损耗,开展了器件低损耗设计,提出铬电极偏置电压线和图形化BST薄膜两种低损耗设计方法,有效地降低了器件损耗。与现有左手移相器相比,本文设计的移相器工作频率有大幅度提高,中心工作频率从现有的20GHz提高到100GHz,带宽从2GHz提高到10GHz,铬电极偏置电压线移相器插入损耗5dB,图形化BST薄膜移相器插入损耗7dB,与现有研究相比分别降低了3dB和1dB。(3)基于分布电容移相器结构,设计了一款超宽带移相器,并开展了器件制备与测试试验,测试结果表明器件工作频率高达100GHz,带宽25GHz以上,损耗低于5.7dB,与现有30GHz移相器相比,损耗相当。本文将铬偏压电极与图形化BST低损耗设计方法拓展到分布电容移相器设计中,有效地降低了器件损耗,其中铬电极移相器损耗降低至2.5dB,图形化BST移相器降低至1.9dB。(4)由于金属导体趋肤效应的影响,金属电极损耗会随频率升高而升高,阻碍器件工作频率进一步提高。石墨烯材料(Graphene)具有电子迁移率高、导电性好、趋肤效应不明显等特性,本文据此首次提出采用Graphene/Au组合结构制备移相器电极,降低器件高频损耗,为探索更高频率移相器奠定基础。围绕移相器石墨烯电极,开展了石墨烯薄膜制备与表征、石墨烯薄膜转移、石墨烯电极图形化等工作,制备了相应的石墨烯CPW传输线,并对传输线特性进行了测试。这是对新型传输线和新材料应用的一次全新探索。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2016-03-01）
雷强,于军,王梦,王叶安[2]（2012）在《叉指电容对铁电薄膜移相器相移影响的研究》一文中研究指出文章采用准静态场法和分布参数电路模型分析计算了共面波导结构(CPW)铁电薄膜移相器的电容值与有效介电常数,通过对高频仿真软件HFSS的模拟结果与计算的不同结构电容值间的验证,发现电容值与有效介电常数表现出一种近似的线性关系。(本文来源于《计算机与数字工程》期刊2012年03期）
雷强[3]（2012）在《BST铁电薄膜移相器的设计与工艺研究》一文中研究指出相控阵天线用铁电薄膜微带线移相器可靠性高、抗辐射性能好、驱动功率低、体积小、成本低，是国内外军事机构和科研组织研究的热点之一。本文主要对移相器的理论、设计和工艺进行研究，重点讨论了共面波导移相器的基本理论和分析方法、叉指对移相器性能的影响、铁电薄膜的制备工艺等方面。根据传输线理论模型和准静态场法，分别分析了共面波导结构的参数特性，同时结合叉指电容的分解模型，推导出一种可用于频率稍低情况的简化理论计算模型。这种简化理论可以有助于周期叉指结构以及近似周期叉指结构移相器的设计。利用了HFSS软件对叉指电容的共面波导结构进行了模拟仿真。根据仿真结果发现，叉指数量越多，其在高频下的插入损耗和回波损耗就会增加的越快，但是其周期性变化的速率会加快，从而相位角能够变化的很快，有利于移相器实现较大的相移。通过仿真结果得出不同叉指结构模型的实际有效介电常数，并通过计算验证了简化的计算模型，表明了叉指结构的电容值和移相器的相位角变化量有一定的线性关系。利用射频磁控溅射法制备了BST薄膜，通过对薄膜样品的分析，发现BST的成相和气压有很大的关系。采用BTO和STO双靶同时溅射，分别调节BTO和STO的溅射功率来控制薄膜的钡锶比。通过XRD分析可以得出，在工艺参数可控的情况下，双靶共溅的方式可以制备出各种成分的BST薄膜。利用半导体工艺制备了移相器单元结构。通过实际的光刻实验，确定适合本实验大面积不规则基片光刻的试验参数：使用AZ5214E光刻胶，500rpm匀胶15s，4000rpm匀胶30s；前烘97℃，时间120s；曝光80s；后烘112℃，时间120s；泛曝光时间110s；显影49s。在不同的工艺参数下溅射Cu电极，大致确定了Cu电极工艺参数：气压较低，在1Pa左右比较适宜；衬底温度不能过高或过低，120℃比较适宜；Cu的溅射功率过大会影响其沉淀，在60~100W是其可能比较适宜的范围。(本文来源于《华中科技大学》期刊2012-01-09）
王梦[4]（2011）在《钛酸锶钡系铁电薄膜材料特性及其移相器结构性能仿真研究》一文中研究指出本文阐述了基于热力学理论的Devonshire宏观唯像理论,分析了它在铁电体一级、二级相变及弥散相变中的应用,给出了铁电材料的自发极化、介电常数的理论计算方法,并进一步采用了Smolenskii的成份起伏理论解释了实际铁电体在居里温度附近出现弥散相变现象。另外在微观理论方面,为了解释ABO3钙钛矿铁电性的起源,采用第一性原理计算软件,计算了Ti位移对Ba1-xSrxTiO3 (BST)系材料体系能量的影响及BaTiO3的电子结构。基于对铁电相变理论的研究结论,本文深入研究了BST系陶瓷的制备工艺及电学性能。研究结果表明：Ba1-xSrxTiO3陶瓷的晶格常数随Sr含量的增加而减小Ba1-xPbxSr0.4TiO3(BPST)陶瓷的晶格畸变随Pb含量的增加而增加。BST系陶瓷的居里温度点可以通过改变A位替代的Sr、Pb成分来调制。对于Ba1-xSrxTiO3样品随着Sr含量的增加,居里温度降低。而对于Ba0.6-xSr0.4xTiO3陶瓷,随着Pb含量的增加,居里温度增加(从-25℃上升到120℃)。对BPST系陶瓷的拉曼光谱测试,发现TiO6八面体钙钛矿结构的BST系陶瓷随着Pb成份的变化由铁电四方相逐渐转变为顺电立方相结构时,290cm-1与720cm-1处的铁电特征峰几乎消失。BPST样品520-550 cm-1处的拉曼峰对应的Ti06伸缩模的频率随着Pb含量的增加而增加,这也说明TiO6八面体稳定性随着Pb含量的增加而加强。通过采用Smolenskii的成份起伏理论对BST系陶瓷介温峰进行了拟合,发现掺Pb的BST相对与纯的BST固溶体弥散指数明显增加,说明了对BST的A位Pb替代加剧了弥散相变。而对Ba2Pb4Sr4TiO3样品在不同频率下的介温测试发现该材料具有弥散相而没有驰豫体特性(即居里温度没有随频率而发生偏移),说明了弥散相的产生并非来源于内部的离子结构,而是因为微区内Pb,Sr,Ba的成份不均所致。为了使BST薄膜在室温附近兼有良好的介电和铁电性能,根据Ba0.6Sr0.4TiO3的化学分子式比例,采用了改进的固相反应法,制备了BST陶瓷靶材。采用RF磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了(Ba,Sr)TiO3薄膜,研究了基片温度、溅射气压、02气氛、靶基距对薄膜晶体结构及择优取向的影响,分析了形核过程中体形核(相变驱动力)、表面能、界面能等因素的作用机制。通过优化薄膜的磁控溅射工艺,获得(110)择优取向的BST薄膜,电滞回线测试表明其具有较高剩余极化强度。当电压为5V,对应电场强度为280KV/cm时,BST薄膜的矫顽场(EC+)为33kV/cm,剩余极化(2Pr)为6.2μC/cm2。经过1010读/写周期疲劳特性测试后,该薄膜的剩余极化几乎没有衰减。在7V扫描电压下,该薄膜的相对介电常数为161～255,调谐率约为37%。当工作电压低于5V,漏电流低于10-7A/cm2。该薄膜具有优良的介电调谐特性。最后,本文研究了介电常数可调的BST薄膜在移相器中的应用。根据准静态场法和全波分析法得出了共面波导型薄膜移相器(CPW)的等效介电常数和特性阻抗解。基于这些理论计算分析,设计了CPW的几何结构参数,并采用了HFSS软件分析了CPW的结构参数对移相器性能如器件损耗、特性阻抗、移相度等的影响。这为后续的移相器器件实用化制备提供了模型参考。(本文来源于《华中科技大学》期刊2011-07-01）
王磊[5]（2011）在《BST铁电薄膜移相器结构仿真与工艺研究》一文中研究指出铁电薄膜介质移相器相比较其它类型的移相器具有成本低、体积小、抗辐射、驱动功率低、可靠性强等优点而备受人们青睐,是军用雷达领域的热点研究对象。本文主要对叉指电容加载共面波导移相器结构做了简要的理论研究和实验制备,给出了共面波导与外接电路匹配的结构(CPW-MS)结构设计,重点讨论了双周期结构对器件性能的改进作用,最后通过半导体工艺成功地制备出了双周期、单周期移相器单元结构,并给出了器件的测试方案。利用HFSS软件对叉指电容的结构参数进行了模拟仿真,研究了叉指电极宽度、叉指电极间隙、叉指电极长度对器件性能的影响,结果发现大的移相量和小的损耗很难同时满足,需要根据具体情况对参数进行折中选择。对具有CPW-MS转换结构的移相器模型也做了HFSS仿真,结果发现在微带线(MS)宽度为一定值时,转换结构的角度越大,即转换结构的长度越小,器件的损耗越小,然而器件的移相量只在长度较大时有明显的变化。对双周期结构相邻叉指电容之间的不同距离进行了研究,最终得出可以在更宽的频段内阻抗匹配的一组L1和L2的值,并且这种相邻叉指电容位置的变化还可以降低某单个频率点的损耗,优化了移相器的性能。结合实际制备工艺以及本论文和本实验小组的相关结论给出了移相器的最终设计参数:信号线宽度为40μm~60μm,缝隙宽度在没有叉指电极存在时为10μm~20μm,有叉指电容时我们取为70μm,叉指长度40μm~60μm,叉指宽度4μm~8μm,叉指间距8μm~12μm;衬底主要有Sapphire、Si,电极材料主要有Al、Cu、Pt;BST薄膜厚度为0.3μm~0.8μm,Al电极厚度在1.152μm以上,Cu电极厚度0.934μm以上。利用剥离工艺成功的制备了单周期和双周期两种移相器单元结构,图形完整清晰,制备效果良好。最后提出可用在片测试技术对器件性能进行测试分析。(本文来源于《华中科技大学》期刊2011-05-26）
贺伟,杨传仁,陈宏伟,张继华,廖宇[6]（2010）在《X波段铁电薄膜移相器设计》一文中研究指出本文基于传输线周期性加载可变电容理论,设计了一种X波段的铁电薄膜移相器。测试结果表明,随着偏压的增加,移相度增大、插损减小。在32伏的直流偏压下,X波段最大移相度为140°,最大插损为10dB,回波损耗优于-10dB。(本文来源于《微波学报》期刊2010年S1期）
陈宏伟[7]（2010）在《铁电薄膜材料及在介质移相器中的应用研究》一文中研究指出可调微波器件用铁电薄膜材料,必须具有高的介电系数电压变化率(即调谐率)、低的介质损耗、高的温度稳定性、长的使用寿命以及良好的抗疲劳特性等性能,目前主要有BaxSr1-xTiO3 (BST)、BaZrxTi1-xO3 (BZT)、PbxSr1-xTiO3 (PST)等。本论文采用射频磁控溅射法制备BST铁电薄膜,通过对临界晶粒尺寸、界面效应、择优取向、可靠性等的研究优化BST薄膜性能,同时对BZT、PST材料进行了初步探讨,探索了廉价陶瓷基片替代单晶基片的可能性,并采用微细加工工艺制作了BST薄膜介质移相器,取得以下主要结果:(1)通过调节退火温度和时间,实现了对Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜晶粒尺寸的控制。研究发现:Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的晶化临界尺寸约为10 nm,铁电临界尺寸约为20 nm。(2)在BST/Pt界面有7~8 nm的过渡层,厚的界面过渡层主要是因为高能Ti原子扩散导致的。通过减小初始射频溅射功率,过渡层厚度可减小至2~3 nm,εr-V曲线的对称性从52.37%提高到95.98%,而且调谐率、正负剩余极化强度之差(△Pr)以及正负矫顽场强之差(△EC)显着改善。(3) BST薄膜的结构强烈地依赖基片取向,生长在LaAlO3 (100)基片上的BST薄膜(简称BST-100)为(h00)方向择优,而生长在LaAlO3 (110)基片上的BST薄膜(简称BST-110)为(110)方向择优。BST-110薄膜比BST-100薄膜具有更高的调谐率、更大的优值以及更低的漏电流。(4)研究了Pt/Ti/LAO (100)衬底上BST薄膜的可靠性,发现在-30°C~130°C范围内,随着温度升高,BST薄膜的介电系数、介质损耗、调谐率(在300 kV/cm时)缓慢增加;频率在20 Hz ~1 MHz范围内,BST薄膜的介电系数、介质损耗、调谐率变化很小;在反转1亿次后,BST薄膜的调谐率稍有减小、介质损耗略有增大。(5)当x = 0.20时,BaZrxTi1-xO3陶瓷的晶体结构接近顺电相;而x < 0.20时,属于四方铁电相。而且随着Zr含量的增加,BZT陶瓷的扩散相变行为增强。BaZrxTi1-xO3陶瓷中Zr/Ti增加导致矫顽场强和剩余极化强度均减小。(6)生长在LaAlO3 (100)基片上的BaZr0.1Ti0.9O3薄膜为明显的(h00)择优,是立方-立方的生长,而BaZr0.2Ti0.8O3薄膜没有明显的择优。BaZr0.1Ti0.9O3薄膜比BaZr0.2Ti0.8O3薄膜有更大的晶粒、更高的介电系数、更高的调谐率以及更大的剩余极化强度和矫顽场强,同时BaZr0.1Ti0.9O3薄膜有更大的介质损耗和漏电流密度。表明Zr4+离子可降低介电系数、抑制非线性特性。(7)室温下,x≥0.45的PbxSr1-xTiO3 (x = 0.2~0.8)陶瓷为四方相。PbxSr1-xTiO3陶瓷在x = 0.40和0.45时的电滞回线显示反铁电行为。对于Pb0.45Sr0.55TiO3陶瓷,反铁电行为随着烧结温度、最大外加电场的增加而增加。而且过量Pb增加也导致反常的电滞回线。反铁电行为是由于具有强应力的混合结构、电畴钉扎、氧空位所致。(8)在被覆玻璃釉的改性基片上制备了BST铁电薄膜电容器,其微结构、介电性能、漏电流特性与在单晶LaAlO3基片上制备的BST薄膜相当。即改性基片可替代价格昂贵的单晶基片和机械抛光基片。(9)采用优化的BST铁电薄膜和图形化工艺,成功制备了薄膜型介质移相器,实现了360°相移。在16.5 GHz、40 V直流偏压下,最大连续线性移相度达到405°;0 V、40 V的插入损耗分别为-16 dB、-12 dB。(本文来源于《电子科技大学》期刊2010-01-01）
杨传仁,陈宏伟,张继华,姬洪,王波[8]（2009）在《介质移相器用铁电薄膜研究》一文中研究指出作为介质移相器用的铁电薄膜材料,必须具有介电常数大、非线性强、介质损耗小、漏电流低等特性。采用射频磁控溅射法制备了介质移相器用钛酸锶钡(Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3,简称BST)铁电薄膜。在对BST薄膜制备工艺研究的基础上,通过对临界晶粒尺寸、界面效应、纳米线自组装现象、择优取向、可靠性、X射线衍射的研究,对BST薄膜进行性能优化,并设计和制作介质移相器。主要研究结果如下:(本文来源于《TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2009-08-15）
杨瑞朝[9]（2009）在《铁电薄膜移相器的设计与制备研究》一文中研究指出相控阵天线用铁电薄膜移相器具有速度快、驱动功率小、功率容量大、可靠性好、抗辐射性好及成本低等优点,是目前各国军事机构和科研机构研究的热点之一。本文研究了铁电薄膜移相器平面波导( CPW )结构的传输特性、移相器用Ba_(1-x-y)Pb_xSr_yTiO_3(BPST)材料的制备与表征以及移相器单元的设计和制备工艺等。根据准静态场法和全波分析法分别得出了CPW结构特征阻抗解。利用MATLAB软件分析了模型结构参数对特征阻抗的影响,利用HFSS软件对CPW结构和电容加载CPW结构进行了模拟仿真和参数优化。给出了移相器单元设计的优化参数:信号线宽度40μm~60μm;缝隙宽度10μm~20μm;BST薄膜厚度0.5μm~1μm;铂电极厚度为4.6μm以上,金电极厚度为2.2μm以上;加载叉指电极的叉指宽度2μm ~5μm,叉指间距2μm ~5μm,叉指长度35μm。设计了BPST材料体系,利用固态烧结工艺制备了BPST靶材,利用射频磁控溅射法制备了BPST薄膜。通过对薄膜样品的XRD分析和介电性能测试,得出BST薄膜制备的优化工艺参数:衬底温度为600℃,溅射气压为2Pa,溅射气氛为O2:Ar =1:5,此条件下制备的BST薄膜介电常数为455,介电损耗为0.0143,调谐率为34%,FOM因子为23.77;得出BPST薄膜制备的优化工艺参数为:衬底温度为400℃,溅射气压为2Pa,溅射气氛为O2:Ar =1:5,此条件下制备的BPST薄膜介电常数为520,介电损耗为0.017,调谐率为48%,FOM因子为28.24。由以上结果得出,Pb掺杂改良了BST薄膜材料的介电性能。利用半导体工艺制备了相应的铁电薄膜移相器单元。采用剥离工艺制备了移相器单元和叉指阵列单元电极,电极图形最小线宽为1.5μm。(本文来源于《华中科技大学》期刊2009-05-01）
闻伟[10]（2008）在《电光移相器阵列用铁电薄膜研究》一文中研究指出利用光学相控阵实现电扫描技术在军用雷达方面具有重要的应用前景，其基本构成单元是电光移相器。采用具有电光效应、响应速度快、热稳定性高、耐强激光的高性能铁电薄膜锆钛酸铅镧(PLZT)和钛酸锶钡(BST)制作电光移相器是实现电扫描技术的重要途径。本文选择ITO透明导电薄膜作为铁电薄膜PLZT和BST的电极，用溅射法在石英玻璃上制备了ITO薄膜，用化学湿法刻蚀对ITO薄膜微图形化，并初步探索了PLZT薄膜和BST薄膜的电光性能。ITO电极图形化方法：刻蚀液为(?)(HCl：HNO_3：H_2O)=50：3：50的混合溶液，刻蚀温度为35℃，刻蚀速率约为30nm／min。对溅射法加高温退火处理制备的铁电薄膜PLZT和BST的选择性优于17：1。研究了高光学和电光性能的PLZT(8／65／35)薄膜的制备工艺。沉积在ITO／quartz上的PLZT薄膜，经700℃、Pb氛围、20min退火处理后，在可见光范围内，平均透过率为81．3％，对应的吸收边带位于350nm处；折射率n=2．21(λ=632．8nm)；消光系数k<0．040；吸收系数α=0．031×10~5cm~(-1)，对应的禁带宽度Eg=3．41eV。PLZT薄膜具有高阶电光效应，线性电光系数r=3．5×10~(-9)m／V，二次电光系数R=2．9×10~(-16)m~2／V~2，叁次电光系数为8．9×10~(-24)m~3／V~3，四次电光系数为1．4×10~(-31)m~4／V~4。沉积在ITO／quartz上的BST(60／40)薄膜，经700℃、20min退火处理后，在可见光范围内，平均透过率为83．0％，对应的吸收边带位于320nm处；折射率n=2．44(λ=632．8nm)；消光系数k<0．013；吸收系数α=0．038×10~5cm~(-1)，对应的禁带宽度Eg=3．68eV；BST薄膜表现出高阶电光效应，线性电光系数r=2．5×10~(-9)m／V，二次电光系数R=2．3×10~(-16)m~2／V~2，叁次电光系数为9．4×10~(-24)m~3／V~3，四次电光系数为1．3×10~(-31)m~4／V~4。通过对PLZT和BST薄膜电光性能的研究，得出采用溅射法加高温热处理在ITO／quartz上制备的PLZT和BST薄膜都具有优良的光学和电光性能，且PLZT薄膜表现出更强的电光记忆效应，适合制作高质量的电光器件。(本文来源于《电子科技大学》期刊2008-04-01）
铁电薄膜移相器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
文章采用准静态场法和分布参数电路模型分析计算了共面波导结构(CPW)铁电薄膜移相器的电容值与有效介电常数,通过对高频仿真软件HFSS的模拟结果与计算的不同结构电容值间的验证,发现电容值与有效介电常数表现出一种近似的线性关系。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
铁电薄膜移相器论文参考文献
[1].宁希.硅基铁电薄膜太赫兹信号移相器研制[D].国防科学技术大学.2016
[2].雷强,于军,王梦,王叶安.叉指电容对铁电薄膜移相器相移影响的研究[J].计算机与数字工程.2012
[3].雷强.BST铁电薄膜移相器的设计与工艺研究[D].华中科技大学.2012
[4].王梦.钛酸锶钡系铁电薄膜材料特性及其移相器结构性能仿真研究[D].华中科技大学.2011
[5].王磊.BST铁电薄膜移相器结构仿真与工艺研究[D].华中科技大学.2011
[6].贺伟,杨传仁,陈宏伟,张继华,廖宇.X波段铁电薄膜移相器设计[J].微波学报.2010
[7].陈宏伟.铁电薄膜材料及在介质移相器中的应用研究[D].电子科技大学.2010
[8].杨传仁,陈宏伟,张继华,姬洪,王波.介质移相器用铁电薄膜研究[C].TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2009
[9].杨瑞朝.铁电薄膜移相器的设计与制备研究[D].华中科技大学.2009
[10].闻伟.电光移相器阵列用铁电薄膜研究[D].电子科技大学.2008